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BTA12_BTB12_T12.pdf
T12 12 12 11 BTA 19 10 8 8 7 6 6 5 4 4 3 2 IT(RMS)(A) 2 Tc(°C) 1 0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 0 25 50 75 100 125 Fig. 2-2: RMS on-state current versus ambient Fig. 3: Relative variation of thermal impedance temperature (printed circuit board FR4, copper versus pulse duration. thickness: 35µm),full
in „Thyristortetrode für Wechselspannung geeignet ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BTA12_BTB12_T12.pdf
T12 12 12 11 BTA 19 10 8 8 7 6 6 5 4 4 3 2 IT(RMS)(A) 2 Tc(°C) 1 0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 0 25 50 75 100 125 Fig. 2-2: RMS on-state current versus ambient Fig. 3: Relative variation of thermal impedance temperature (printed circuit board FR4, copper versus pulse duration. thickness: 35µm),full
in „Thyristortetrode für Wechselspannung geeignet ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ITS716G.pdf
Switching Capabilities and Characteristics On-state resistance (V to OUT); I = 2 A bb L each channel, T j 25°C: R ON -- 110 140 mΩ T j 150°C: -- 210 280 two parallel channels, T = 25°C: -- 55 70 four parallel channels, T = 25°C: -- 28 35 j see diagram, page 11 Nominal load current one channel active: I L(NOM
in „SPS-kompatible Ein- und Ausgänge am uC“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SM7505.PDF
40~150 ℃ VESD 人体放电模式 ＞ 4000 V Rθja 热阻 SOP8 65 ℃/W 电气工作参数 （除非特殊说明，下列条件均为 TA=25℃） 范围 符号 说明 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 芯片 HVDD 工作部分 IDDstart 启动充电电流 HVDD=5V - 200 - μA IDDop 工作电流 FB=2V，CS=0V，HVDD=20V - 1.5 - mA HVDD OFF HVDD 关闭电压 7.0 8.0 9.0 V HVDD HVDD 启动电压 13.5 14.5 16.0 V ON HVDD clamp
in „Ersatz für SM7505 DIP-8 Flyback controller“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SM7505.PDF
40~150 ℃ VESD 人体放电模式 ＞ 4000 V Rθja 热阻 SOP8 65 ℃/W 电气工作参数 （除非特殊说明，下列条件均为 TA=25℃） 范围 符号 说明 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 芯片 HVDD 工作部分 IDDstart 启动充电电流 HVDD=5V - 200 - μA IDDop 工作电流 FB=2V，CS=0V，HVDD=20V - 1.5 - mA HVDD OFF HVDD 关闭电压 7.0 8.0 9.0 V HVDD HVDD 启动电压 13.5 14.5 16.0 V ON HVDD clamp
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fr-el.16.01.pdf
4-12A erledigt das verwendete Standard USB-Netzteil, das i.A. ohnehin mitgeführt wird. Ladung bei 25°C und 2A z.B. in ~90min. So werden die Zellen auch wieder perfekt balanciert. Daher wird auf balancing im Fahrbetrieb verzichtet. Über Tiefentladeschutz (unter 2 -2.5V) ist noch zu entscheiden. B B Anzeigen
in „Fahrrad (nicht E-Bike!) Elektrik - Fragen zu Akku-Handling u. Verwandtes“ · Fahrzeugelektronik ·
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kk_sd_cmd25_write.h
stored in kksectors/kkcltbl * if there is only one fragment, data can be written in this file with * cmd25 - write multiblock - beginning from the startsector. * * the spi-cmd25-sequence is * 0xfc-512xdata-crc-crc-response * crc and response are only dummies, therefore can be written * a stream of 516data
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SFH4544-Datasheet.pdf
Radiant Intensity Relative spektrale Emission 2) Seite 11 Strahlstärke 2) Seite 11 Irel f(λ), A = 25°C Ie/ e (100 mA) = f(F ), single pulse,pt = 100 µs, OHF04134 T A 25°C 100 % 101 OHF05641 Irel Ιe Ι (100mA) 80 e 100 60 10-1 40 20 10-2 0 800 850 900 950 nm 1025 10-3 10 0 101 102 mA 10 3 λ IF 2014-11
in „Max. Strom für IR-LED für NEC-Code“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ZXM61N02F.pdf
Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate Source Voltage V ± 12 V GS Continuous Drain Current (V GS=4.5V; TA=25°C)(b) D 1.7 A (VGS=4.5V; TA=70°C)(b) 1.3 Pulsed Drain Current (c) DM 7.4 A Continuous Source Current (Body Diode) (b) I 0.8 A S Pulsed Source Current (Body Diode) SM 7.4 A Power Dissipation at TA=25°
in „74LS109 Toggelt nicht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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nFET_ZXM61N02FTA.pdf
Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate Source Voltage V ± 12 V GS Continuous Drain Current (V GS=4.5V; TA=25°C)(b) D 1.7 A (VGS=4.5V; TA=70°C)(b) 1.3 Pulsed Drain Current (c) DM 7.4 A Continuous Source Current (Body Diode) (b) I 0.8 A S Pulsed Source Current (Body Diode) SM 7.4 A Power Dissipation at TA=25°
in „ESP8266 Module mit Batterie betreiben - Strom sparen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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nFET_ZXM61N02FTA.pdf
Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate Source Voltage V ± 12 V GS Continuous Drain Current (V GS=4.5V; TA=25°C)(b) D 1.7 A (VGS=4.5V; TA=70°C)(b) 1.3 Pulsed Drain Current (c) DM 7.4 A Continuous Source Current (Body Diode) (b) I 0.8 A S Pulsed Source Current (Body Diode) SM 7.4 A Power Dissipation at TA=25°
in „Wellenlänge Infrarot Leuchtdiode?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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nFET_ZXM61N02FTA.pdf
Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate Source Voltage V ± 12 V GS Continuous Drain Current (V GS=4.5V; TA=25°C)(b) D 1.7 A (VGS=4.5V; TA=70°C)(b) 1.3 Pulsed Drain Current (c) DM 7.4 A Continuous Source Current (Body Diode) (b) I 0.8 A S Pulsed Source Current (Body Diode) SM 7.4 A Power Dissipation at TA=25°
in „3.3V MOSFET ersetzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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nFET_ZXM61N02FTA-1.pdf
Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate Source Voltage V ± 12 V GS Continuous Drain Current (V GS=4.5V; TA=25°C)(b) D 1.7 A (VGS=4.5V; TA=70°C)(b) 1.3 Pulsed Drain Current (c) DM 7.4 A Continuous Source Current (Body Diode) (b) I 0.8 A S Pulsed Source Current (Body Diode) SM 7.4 A Power Dissipation at TA=25°
in „ATtiny13A: ESP8266 ein- und ausschalten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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nFET_ZXM61N02FTA.pdf
Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate Source Voltage V ± 12 V GS Continuous Drain Current (V GS=4.5V; TA=25°C)(b) D 1.7 A (VGS=4.5V; TA=70°C)(b) 1.3 Pulsed Drain Current (c) DM 7.4 A Continuous Source Current (Body Diode) (b) I 0.8 A S Pulsed Source Current (Body Diode) SM 7.4 A Power Dissipation at TA=25°
in „richtiger n-Kanal MOSFET, 3,3V soll 5V und 100mA schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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nFET_ZXM61N02FTA.pdf
Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate Source Voltage V ± 12 V GS Continuous Drain Current (V GS=4.5V; TA=25°C)(b) D 1.7 A (VGS=4.5V; TA=70°C)(b) 1.3 Pulsed Drain Current (c) DM 7.4 A Continuous Source Current (Body Diode) (b) I 0.8 A S Pulsed Source Current (Body Diode) SM 7.4 A Power Dissipation at TA=25°
in „RaspiPi mit 3,3V einen 5V Kreis wie schalten?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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TPCA8048-H_Toshiba.pdf
Enhancement mode: V th = 1.3 to 2.3 V (V DS = 10 V, I D 1.0 mA) S 0.05S . 0 . Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 1 4 1 0 6 . Characteristic Symbol Rating Unit 0 4.25 ± 0.2 ± . Drain-source voltage VDSS 60 V 3 Drain-gate voltage (RGS = 20 kΩ) V DGR 60 V 8 5 1 0 Gate-source voltage V GSS ±20 V 8 0 DC (Note 1)
in „WER KENNT DIESES 10S BMS von 36V Lion Akku vom Hersteller GW.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SSD1315.pdf
COM16 Row16 RAM16 Row24 RAM24 Row16 RAM24 Row16 RAM16 Row24 RAM24 Row16 RAM24 COM17 Row17 RAM17 Row25 RAM25 Row17 RAM25 Row17 RAM17 Row25 RAM25 Row17 RAM25 COM18 Row18 RAM18 Row26 RAM26 Row18 RAM26 Row18 RAM18 Row26 RAM26 Row18 RAM26 COM19 Row19 RAM19 Row27 RAM27 Row19 RAM27 Row19 RAM19 Row27 RAM27 Row19
in „I2C Display einfache Frage“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SSD1315.pdf
COM16 Row16 RAM16 Row24 RAM24 Row16 RAM24 Row16 RAM16 Row24 RAM24 Row16 RAM24 COM17 Row17 RAM17 Row25 RAM25 Row17 RAM25 Row17 RAM17 Row25 RAM25 Row17 RAM25 COM18 Row18 RAM18 Row26 RAM26 Row18 RAM26 Row18 RAM18 Row26 RAM26 Row18 RAM26 COM19 Row19 RAM19 Row27 RAM27 Row19 RAM27 Row19 RAM19 Row27 RAM27 Row19
in „I2C Display einfache Frage“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Netzteil.pdf
1 2222 100k/2.100W0kW/2.0 WW 100p/400V 470P/400V VD802 VD801 MSZ18T1G 470n/50V V908 R947 M814 M813 FR107 1 W811 C922 22R FR107 R943 100n 2 M801 1 1 1 1 20K 24 R807 M827 1 V906 24k CS1N60 M805 M807 M810 3 M825 R808 10K6 24k R809 VD819 MUR160 200V 10k 1 2 HV R803 XP805 3.3M VD818 XP810 VCC MUR160 1 M804
in „Hisense H55N5705 geht einfach aus bei verschiedenem verhalten.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sed1335.pdf
.................................................................................................. 25 8.2.1.9. FY ......................................................................................................................................... 25 8.2.1.10. C/R ................................
in „Extrem schwere Frage“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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tpc8123.pdf
Note 2: (a) Device mounted on a glass-epoxy board (a) (b) Device mounted on a glass-epoxy board (b) FR-4 FR-4 25.4 × 25.4 × 0.8 25.4 × 25.4 × 0.8 (Unit: mm) (Unit: mm) (a) (b) Note 3: V DD = −24 V, Tch = 25 °C (initial), L = 500 μH,GR = 25 Ω, AR = −11 A Note 4: Repetitive rating: pulse width limited by
in „Autobatterie Ladegerät Transistor defekt - Äquivalentes Bauteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MRF89XAM8A.pdf
Preliminary DS70651A-page 13 MRF89XAM8A FIGURE 2-9: PCB LAYER STACK UP 1/2 oz. Copper Top Copper 8 mil FR4 1/2 oz. Copper Ground Plane 0.032” 12 mil FR4 ± 0.005” 1/2 oz. Copper Power Plane 8 mil FR4 1/2 oz. Copper Bottom Copper 2.3 PCB Antenna FIGURE 2-10: PCB ANTENNA DIMENSIONS The PCB antenna is fabricated
in „Was darf man von einer PCB-Antenne erwarten?“ · HF, Funk und Felder ·
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Alto_D1__D2__D3__D4_Power_Amp_Service_Manual.pdf
ZB-plastic panel D1_V1.0 1 5 MI03890 D-fixed bracket D1 1t*24.5*30*60_V1.0 1 6 NI04551 fixed cover D1 f 25*12_V1.0 1 7 NI04553 pass light key D1 f 18.5*17.7_V1.0 1 8 NI04554 leach net D1 389*82*4t_V1.0 1 9 MI02856 ZB-fixed bracket PA-240P 2.0t*24*26*88 Lmould 2 10 HE00065 fan DC12V/0.19A 80*80*25 380mm 1
in „Endstufe reparieren, Bauteil identifizieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BC856_BC857_BC858.pdf
mA CM peak collector current − −200 mA BM peak base current − −200 mA P total power dissipation T ≤ 25 °C; note 1 − 250 mW tot amb Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature − 150 °C Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C Note 1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board
in „LEDs: Konstantstrom-Multiplexing. Schaltung & Teile so ok?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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dmf5001.pdf
Page 8/15 4.3.Block Diagram 8 D0~D7 Row Driver 128 L C D P WR T6961B ×2 160 × 128 dots RD CDATA LP FR 160 Control LSI 3 CE LP T6963C HSCP 3 Column Driver C/D ED FR FR T6A39 × 2 RESET Counter Circuit HALT X-tal 13 8 64K S-RAM VDD VSS Bias Circuit To LSI J FG VCONT VEE DMF5001NF (AA) No.98-0048 OPTREOPTREX
in „graphisches LC-Diplay über LTP ansteuern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Z-Diode_SMD_MM3ZxxxT1G-D.PDF
(Pb−Free) Tape & Reel Rating Symbol Max Unit SZMM3ZxxxT1G SOD−323 3,000 / Total Device Dissipation FR−4 Board, PD (Note 1) @ A = 25°C 300 mW (Pb−Free) Tape & Reel Derate above 25°C 2.4 mW/°C Thermal Resistance, Junction−to−AmbientR 416 °C/W †For information on tape and reel specifications, qJA including
in „Hilfe bei der Fehlersuche eines China LED-Treibers“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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hitachi_55hk6t64u_55293dlb_48hk6t64u_48293dlb_chassis_17mb100-r1_17ips20-r9_sm.pdf
LNBH29EPTR 6 R263 S246 NC4 SCL 100R SYS_SCL S247 NC4 SCL 100R SYS_SCL 1N5819 D 1N5819 D C2144 C2143 C2145 25V 16 LX N M ADDR 5 C2147 C2146 C2148 25V 16 LX N M ADDR 5 10k 3V3_VCC D20 10u 10u 10u 2u2 C - X C D25 10u 10u 10u 2u2 C - X C R489 L15 N P E N L16 N P E N E S383 1N5819 25V 25V 25V C2139 S382 1N5819 25V
in „Vestel Netzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SSD1331_v1.2.pdf
-480.7 9 VCC -5562.6 -712.5 89 VCC 533.4 -712.5 169 COM26 6420.1 -438.9 10 VLSS -5486.4 -712.5 90 FR 609.6 -712.5 170 COM25 6420.1 -397.1 11 VLSS -5410.2 -712.5 91 CL 685.8 -712.5 171 COM24 6420.1 -355.3 12 VLSS -5334.0 -712.5 92 VSS 762.0 -712.5 172 COM23 6420.1 -313.5 13 VLSS -5257.8 -712.5 93 CLS
in „Spannungsreglerproblem durch Frequenzen bei Arduino Adafruit“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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an-1140.pdf
set at 25 ºC, R θJCis the maximum value of thermal resistance between the top of die (junction) and the backside, middle of the heat sink. This approach to setting the IDmax has been around as long as power MOSFETs
in „2000W Wechselrichter mit Mosfet einschalten :-(“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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S1D13305.pdf
.................................................................................................. 25 8.2.1.9. FY ......................................................................................................................................... 25 8.2.1.10. C/R ................................
in „SP14Q002-A1 aus eBay - Erfahrungsaustausch“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Epson_S1D13305.pdf
.................................................................................................. 25 8.2.1.9. FY ......................................................................................................................................... 25 8.2.1.10. C/R ................................
in „SP14Q002-A1 aus eBay - Erfahrungsaustausch“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Energizer-L91.pdf
Cylindrical Primary Lithium" Chemical System: Lithium/Iron Disulfide (L2/FeS ) Designation: ANSI 15-LF, IEC-FR14505 (FR6) Nominal Voltage: 1.5 Volts Sizing Compatibility E91 NH15 1215 Storage Temp: -40°C to 60°C (-40°F to 140°F) Operating Temp: -40°C to 60°C (-40°F to 140°F)* Typical Weight: 15 grams (0.5 oz.
in „Optimale Batterieversorgung für ESP32C3/C2: Erfahrungen und Ratschläge gesucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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YU_REC80-12_DB-DE.pdf
Lagerung Selbstentladung pro Monat bei 20°C in % (ca.) 3 Layout Gehäusematerial Standard ABS (UL94:HB) FR-Version erhältlich UL94:V0 Ladespannung Schwebeladespannung bei 20°C (V)/Block 13.65 (±1%) Schwebeladespannung bei 20°C (V)/Zelle 2.275 (±1%) Ladespannungskompensationsfaktor bei -3 Schwebeladung bei
in „Wie lädt man einen Blei-gel Akku mit Labornetzteil?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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L91GL0225.pdf
Cylindrical Primary Lithium" Chemical System: Lithium/Iron Disulfide (L2/FeS ) Designation: ANSI 15-LF, IEC-FR14505 (FR6) Nominal Voltage: 1.5 Volts Sizing Compatibility E91 NH15 1215 Storage Temp: -40°C to 60°C (-40°F to 140°F) Operating Temp: -40°C to 60°C (-40°F to 140°F)* Typical Weight: 15 grams (0.5 oz.
in „2xAA + Elektronik -> Batterielebensdauer“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Digitaler Zeitvergleich PTB und ARD Text
24.01.2025 21:44:15 MEZ (UTC+01:00) PTB ARD Text Fr. 24.01. 21:44:09 Das Erste: Fr 24.01.25
in „Uhrenquarz Genauigkeit messen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik · · Screenshots
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CD00002265_Triac_von_ST_Microelectonics.pdf
board FR4, copper thickness: 35 µm 2 3.5 (S=1cm ) Zth(j-c) 3.0 Zth(j-a) 2.5 2.0 1E-1 1.5 1.0 0.5 t (s) TC(°C) 1E-2 p 0.0 0 25 50 75 100 125 1E-3 1E-2 1E-1 1E+0 1E+1 1E+2 5E+2 Figure 5. On-state characteristics
in „Triac Probleme mit MOC3043“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BTA16-600CWRG__600V__16A__TO220_isoliert__ST.pdf
board FR4, copper thickness: 35 µm 2 3.5 (S=1cm ) Zth(j-c) 3.0 Zth(j-a) 2.5 2.0 1E-1 1.5 1.0 0.5 t (s) TC(°C) 1E-2 p 0.0 0 25 50 75 100 125 1E-3 1E-2 1E-1 1E+0 1E+1 1E+2 5E+2 Figure 5. On-state characteristics
in „MOIC ---> Triac, 115V, 400 Hz, 4A“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ADum1200pdf.pdf
ADuM1200BRZ 2 2 0 10 50 3 −40 to +105 R-8 2 ADuM1200BRZ-RL7 2 0 10 50 3 −40 to +105 R-8 ADuM1200CR 2 0 25 45 3 −40 to +105 R-8 ADuM1200CR-RL7 2 0 25 45 3 −40 to +105 R-8 ADuM1200CRZ 2 2 0 25 45 3 −40 to +105 R-8 2 ADuM1200CRZ-RL7 2 0 25 45 3 −40 to +105 R-8 ADuM1201AR 1 1 1 100 40 −40 to +105 R-8 ADuM1201AR-RL7
in „ADum1200 Digitalisolator“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Osram_LW_P4SG.pdf
Sperrschichttemperatur Tj + 125 °C Junction temperature Durchlassstrom F 20 mA Forward current (min.) I 5 mA F (TA=25°C) Stoßstrom I 200 mA FM Surge current t ≤10 μs,D = 0.005,TA=25°C 3)Seite 18 Sperrspannung VR 5 V Reverse voltage3) page 18 (T =25°C) A Leistungsaufnahme P 75 mW tot Power consumption (TA=25°C) Wärmewiderstand
in „Conrad 181801 - LED-Leiste mit NiMH Akkus betreiben“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TBU-CA.pdf
protected state 1 µs block IQ Current through the triggered TBU device with 50 Vdc circuit voltage 0.25 0.50 1.00 mA Vreset Voltage below which the triggered TBU device will transition to normal operating state 12 16 20 V R th(j-l) Junction to package pads - FR4 using recommended pad layout 98 °C/W R Junction
in „USB selbstrückstellende Schutzschaltung bis 24V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SSD1306B_1.1.pdf
SEG3 2868.5 356 209 SEG83 -891.5 356 50 VSS -215.705 -352.83 130 SEG4 2821.5 356 210 NC -940 356 51 FR -151.955 -352.83 131 SEG5 2774.5 356 211 SEG84 -988.5 356 52 CL -89.815 -352.83 132 SEG6 2727.5 356 212 SEG85 -1035.5 356 53 VSS -25.665 -352.83 133 SEG7 2680.5 356 213 SEG86 -1082.5 356 54 CS# 38.635
in „OLED zeigt nur wirre Pixel am I2C“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MOSFET_N_Dual_DMT3020LSD_LowRDS_SOIC8.pdf
125℃ - ).4 R N D N 0.018 O Z O TJ= 85℃ E L E 0.016 R A.2 C U R U 0.014 O O VGS= 4.5V,DI = 7.0A O TJ= 25℃ - N( 1 - 0.012 I I R R 0.01 T J -55℃ D 0.8 D ,N N 0.008 S ( D D 0.006 R 0.6 R -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 ID, DRAIN CURRENT (A) TJ, JUNCTION TEMPERATURE (℃) Figure 6.
in „Unerwünschter Peak beim Ausschalten eines Kleinsignal-MOSFET“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sm6t100a.pdf
CA 0.2 1 12.8 14.3 15 15.8 1 21.2 28 0.193 27.2 147 0.078 8.4 SM6T18A/CA 0.2 1 15.3 17.1 18 18.9 1 25.2 24 0.263 32.5 123 0.111 8.8 SM6T22A/CA 0.2 1 18.8 20.9 22 23.1 1 30.6 20 0.375 39.3 102 0.159 9.2 SM6T24A/CA 0.2 1 20.5 22.8 24 25.2 1 33.2 18 0.444 42.8 93 0.189 9.4 SM6T27A/CA 0.2 1 23.1 25.7 27
in „Suche Diode GP839“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Neues_Textdokument.txt
LINEOUT set volume Level-[31]<\n> [XRADIO_INTERNAL_CODEC] Route(play): lineout Disable<\n> ----avi fr 25 375<\n> /record/2021/07_2/01/00/001004_100_00.avi<\n> [bl ERR] main():642, white led off<\n> [FD I]: mode: 0x4, freq: 48000000Hz, drv: 0<\n> <\r><\n> Password:PMA: mode select:e<\n> <\n> wlan information
in „Hab eine 10 eur security cam gekauft. Läuft nicht. Bootlog experten?“ · Haus & Smart Home ·
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top_gesamt.vhd
in std_logic; -- die blichen Verdï¿œhtigen rdfifo : in std_logic; clk_dac : inout std_logic; -- clk fr D A C (20 MHz) dac_cs : out std_logic; clk_adc : inout std_logic -- clk fr A D C (!!! max 2,4 MHz !!!) ); end component; component dac_ctrl Port ( reset : in std_logic; -- dac_data : in std_logic_vector
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A9RDB11.pdf
Antenna dimensions Device marking SYMBOL DETAILS DIMENSIONS (mm) CENTRE FREQUENCY MARKING L − 7.35 ±0.25 CODE (GHz) W − 5.5 ±0.2 2.45 no marking T − 1.3 ±0.2 2.60 6 F feed termination 0.9 ±0.25 2.70 7 G optional ground termination) 1.25 ±0.35 2.80 8 C − 0.5 ±0.3 2.90 9 S 1 NC solder termination 1.25 ±0.35
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Verpackung von Original Bungard Leiterplattenmaterial
Weg zur Leiterplatte... Presensitized Base Material Attention: Light Sensitive 708.84.16 * U3 258 B 25 $ EPOXYDPL.100X1 529273 MG 4007194.2571137 .04 Materialarten FR 4 FR 2 CEM 1 Materialstärken in mm 0,5 0,8 1,0 1,5 2,0 2,5 Kupferlagen in µm 18/0 18/18 35/0 35/35 70/0 70/70 Size 100 x 160 mm Contents
in „[V] Bungard Basis Material Einseitig 6x Europa-Format“ · Markt · · Fotos
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NUD4001.pdf
Storage Temperature T STG −55 to +150 °C Total Power Dissipation (Note 2) P D 1.13 W Derating above 25°C (Figure 3) 9.0 mW/°C Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 2) RqJA 110 °C/W Thermal Resistance, Junction–to–Lead (Note 2) RqJL 77 °C/W 2. Mounted on FR−4 board, 2 in sq pad, 2 oz coverage.
in „LED-Leuchtmittel reparieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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mmbt4401-d.pdf
Current o s e ) A ) ( ( E 1 m G β = 10 A V = 5V p A 1 L CE i L O i V - 40 °C V.8 - 40 °C e R0.8 N r E 25 °C O 25 °C T E M 125 °C T.6 -0.6 M 125 °C S - A 0.4 - A A0.4 B B N V E.2 1 10 100 500 B 0.1 1 10 25 I C- COLLECTOR CURRENT (mA) V IC - COLLECTOR CURRENT (mA) Figure 5. Base-Emitter Saturation Voltage
in „moderner Ersatztyp für BC550 Audio low noise gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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techb_myavr_board_20.pdf
48/88/168) • Mit Controller und typischen Ein- und Ausgabegeräten (Taster, LEDs, usw.) • Material: FR4, 1,5 mm; 0.35 µm Cu • Leiterplatte gebohrt, verzinnt, Industriefertigung, robust, bedruckt • Buchsenleiste für den Anschluss von weiteren Add-Ons • Integrierter USB Programmer, kompatibel zum Atmel
in „Probleme mit rjmp beim AVR Atmega 8L“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
