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24V/10A PWM mit Stop Funktion
Man kann natürlich den sich daraus egebenden Strom dann auch als Urstrom bezeichnen. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf sagt 1,2V bei 16A
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Konstantstromquelle für hohe Ströme
An was könnte das denn liegen? Allerdings habe ich die Schaltung auch mit einem LM741 und IRF540 aufgebaut die ich noch hatte. Gehts damit vielleicht auch einfach nicht? Spannung lag bei 18V. Und Verschiedene Lastwiderstände hab ich auch ausprobiert ohne Veränderung. Wäre nett wenn du (
eher um die ~400Watt Verlustleistung die im Extremfall verheizt werden müssen. Da komme ich mit einem IRF540 wohl nicht weit - deshalb dachte ich an parallel schalten. Was wäre denn wenn ich die Fet's parallel schalte und dann jedes Gate mit einer eigenen Regelung (hab ja im lm224 noch 3 opv's frei
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Mos Fet als Schalter bei 100kHz
>Schon wieder diese IR Krücken :).......55 bzw 160mOhm ist ja echt >Wahnsinn Naja, die 9nF Gate-C vom IPP100N10 aber auch, da schiebt man die Verluste vom Schalter in den Treiber ... klasse. Guck mal IRF540Z ... http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540z.pdf 100V 26,5mOhm
>>Schon wieder diese IR Krücken :).......55 bzw 160mOhm ist ja echt >>Wahnsinn > > Naja, die 9nF Gate-C vom IPP100N10 aber auch, da schiebt man die > Verluste vom Schalter in den Treiber ... klasse. > > Guck mal IRF540Z ... > http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540z.pdf >
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Eigenbau Frequenzumformer 50->60 Hz
Endstufenzüge an. Über jeweils ein 4bit 2R2 Netzwerk mit anschliessendem Tiefpass. Leistungsmosfets: IRF540N Als Versorgungsspannung habe ich 24 V DC Ich habe einen Ringkerntrafo, 2x115V, 50 Hz, 80 W Leistung mit 2 getrennten 18 V Wicklungen die Wechselseitig angesteuert werden. Zuerst habe ich mit
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Welche Kondensatoren für "hohe Frequenz "
LT1227 Dreieck geht an Komparator wider LT1016 und für die H-Brücke nehme ich nen HIP4081A und 4 IRF540N. Das ist mein jetziger Aufbau.
Leitungsinduktivität dämpft dieser bei mehreren MHz nicht mehr. Hab jetzt neue Spulen gewickelt. Der 470nF sind jetzt 7 parallele 68nF Kunststofffolienkondensatoren. Die 33nF sind 3 X7R SMD Kondensatoren in Reihe mit 100nF und 50V. Die 100nF in Reihe mit 22 ohm hab ich noch nicht eingebaut. Ist jetzt
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Messaufbau für MOSFET (N) als Schalter
Datenblatt zu finden, wie z.B. hier auf Seite 5, Fig 10a, oder auch auf Seite 6, Fig13b. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf Nun brauchst du nur noch einen Impulsgenerator und einen passenden Mosfettreiber. Bei den schnellen Schaltzeiten ist die Messung des Stromes aber alles
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Plasmalautsprecher die 2.
www.datasheetcatalog.org/datasheet/SGSThomsonMicroelectronics/mXutxqt.pdf zum bessern ansteuern des irf 540 transistors in meiner schaltung gebrauchen kann und wenn ja wie?
ich werde mich in Threads die älter als 5 Jahre sind umsehen und kommentieren wenn diese m.M.n geschlossen werden können :D
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Plasmalautsprecher
Hast du auch die Anmerkung gelesen, die im Schaltplan beim IRF540 dabeisteht?
hallo noch mal, kann ich die nicht Betriebsspannung erhöhen damit der tl494 schneller schaltet und der irf 540 nicht mehr so heis wird??? und wenn ja wie weit??
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Richtiger Transistor für 24V schalten per TTL?
Anforderung: 24V schalten, 4-5A liefern, und per TTL schaltbar sein. ich bin bei Farnell jetzt auf den IRF830PBF http://ch.farnell.com/vishay-formerly-international-rectifier/irf830pbf/mosfet-n-to-220-500v-4-5a/dp/8648549 Das das Ding hoffnungslos überdimensioniert ist(glaub ich) sei erstmal dahingestellt
Rds_on 1,5R I_d 4,5A Nee, das wird selbst für statisches Schalten nix. Wenns billig bleiben soll, IRF540. Bei PWM einen mit einer geringeren Eingangskapazität nehmen, sonst macht dein µC schlapp.
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Zeigt her Eure Kunstwerke! Gesperrt Bilder
Die Relais für die Drehrichtungsumkehr und die Einschaltstrombegrenzung sowie die beiden MOS-Fet IRF540 sind vom Controller über Optokoppler potentialgetrennt. Als Erweiterung geplant ist eine Steuerung über I²C, um den Steller von einem (geplanten) Stellwerk für die Weichen ansteuern zu können
Was hast'n du für ADCs verwendet? AD9288?
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Widerstände - OP als Komparator
Also brauche ich letztlich 2 x IRF5305 statt den IRF540N und muss dann einfach nur die + und - Eingänge an den OPs vertauschen?
1K Artikel: 430706 - 62 1x 2fach OP LM358N Artikel: 174440 - 62 1x P-Kanal MOSFET IRF5305 Artikel: 162408 - 62 1x N-Kanal MOSFET IRF540N Artikel: 162412 - 62 1x Lastwidertand 11W 6R8 Artikel: 411523
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Suche Germanium SOT-23 Transistor
Spannung von z.B. 0,6V ab, der > Transistor steuert durch und nimmt dem darüber liegenden > Leistungs-N-Mosfet die Gate-Spannung weg. Der Shunt-Widerstand ist R1, der Leistungs-N-Mosfet V1 und der Transistor, der dem Mosfet die Gate-Spannung wegnimmt, V2. Weil du schriebst, dass die Schaltung keinen
maximal die 12V - 0,6V = 11,4V für das Gate. Die Regelung (BC546) macht dann 3,55V am Gate des Mosfets (IRF540N). Die LEDs muss ich ausmessen, ansonsten passt das natürlich nicht. Weiße LEDs haben eine relative breite Streuung von Uf.
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Transistortester mit AVR Gesperrt
unabhängig von der Belegung. Mit welchem Mosfet-Typen hattest du denn die Probleme. Ich konnte es mit IRF540, IRFIZ44N und IRFD024 nämlich nicht feststellen. Nur mit einem Elko von einigen µF oder einem Widerstand von unter 33kOhm von Drain nach Source konnte ich das Problem feststellen. Hast du auch
falsche Bauteile angezeigt. Z.B. ein BC548 wird mir als JFET angezeigt, je nachdem wie ich meinen IRF540 anschließe, ist er mal eine Diode oder Kondensator, oder er wird nach langem rumprobieren richtig angezeigt. Ich habe jetzt auch alle Flussmittelreste entfernt, jedoch messe ich immer einen JFET
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Mosfet Treiberspannung
grottenlangsam. > Bevor die leitet, legiert dir u.U. schon das Gate durch :-o Naja, z.B. 180ns beim IRF540 würde ich jetzt nicht unbedingt als grottenlangsam bezeichnen. Eine normale Schottky ist zwar schneller, aber im Vergleich zu einer 1N4007 mit ein paar µs ist die blitzschnell. Die Diode ist aber
Störungen der Betriebsspannung minimal sein. Ja, jetzt seh ichs auch :-/ > Naja, z.B. 180ns beim IRF540 würde ich jetzt nicht unbedingt als > grottenlangsam bezeichnen. Eine normale Schottky ist zwar schneller, > aber im Vergleich zu einer 1N4007 mit ein paar µs ist die blitzschnell. Die 1N4007
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PWM Mosfet Ansteuerung
IRF540N und davor ein 100 Ohm R
Danke, ich werde dann wohl den Vorschlag mit den IRF540N und den 100 Ohm Widerständen umsetzten.
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A3986 Rgate berechnen
fellow does not have the driving capacity for short turn on and off times needed to control FETs like IRF540 at high currents, for example the total gate charge for a gate voltage of 15 volt is about 70nC. Cgate= Qtotal / Vgate = 4.6666 nF= 4666.6 pf using Qtotal = Icharge * T charge you can calculate the current necessary to get the Switching time desired, lets say you want a Tcharge of 80nS then you need an Icharge= 70 nC / 80 nS = 875 mA this is an average current, the charging current is not constant but this is the calculation necessary to find the right driver for a Mosfet. Try
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Sperrwandler ok?
1000uF für den Snubber ist etwas sehr groß. Meist liegen die Werte bei ein paar nF.
Bei 800V ist ein IRF540 schon lange kaputt.
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Sperrwandler
Hi, kann ich denn einen IRF540 als Schalter verwenden??? Die Drain Source Spannung steigt ja fuer wenige us auf ueber 800V... Gruss
unter Berücksichtigung des Wicklungsverhältnisses natürlich). Visitor wrote: > kann ich denn einen IRF540 als Schalter verwenden??? Die Drain Source > Spannung steigt ja fuer wenige us auf ueber 800V... Ohne Snubber: Nein. Der IRF5x0 bricht nämlich irgendwo bei 100-150V durch und verheizt den Peak
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12V / 70mA schalten
Ich habe noch 2Stück IRF 540N rumliegen Würden die auch funktionieren?
ausschalten willst. Auf Seite 3 kann Du sehen das Du bei 5V VGS 20A schalten kannst. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf Gruß Sven
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PWM auf mehrere Schaltausgänge verteilen
ist also sehr schlecht... -> Anderer Fet! Warum nimmst du nicht für den Taktgenerator auch einen N-Fet? Allerdings wird das mit deinen IRF540N bei 5V fast nichts bis garnichts...
1 kHz Takt erzeugen (unten mit den Ts) und dann noch die einzelnen Lasten schalten können (mit den n Fet-Zweigen obendrüber).
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Treiber FET Schaltnetzteil
geregelt werden, der Code dazu wird schon. Die Wahl des FETs fiel auf einen NMOS, genauer gesagt den IRF540N, der für meine Zwecke ausreichend scheint. Nun brauche ich ja zum vollständigen durchschalten eine positive GS-Spannung, die ich aber nur durch einen High side driver realisieren kann, richtig?
betreiben möchte) oder eine kleine Heizung in Kauf nehmen. Die zweite Alternative wäre für mich n einfacher Transistor der den Kondensator über einen genügend kleinen Widerstand entladen würde. Das würde die Regelung komplizierter machen, immerhin muss ich definieren wann ich denn den Kondensator
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überdimensionierter Mosfet
noch natürlich noch die Verlustleistung durch die Schaltvorgänge. Jetzt wurde ein Mosfet gewählt (IRF540NS) welcher ein RthJA von 40K/W (PCB mount) hat. Die Umgebungstemperatur nehme ich zu 40°C an, die maximale Junction-Temperatur beträgt 175°C. Daraus folgt für mich eine maximale Verlustleistung von
Mein FET (FDC6305N) kann bei 60°C Umgebungstemperatur 0,7W.
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MOSFET verändert Rechteckspannung.
Hallo, nach angehängtem Schaltplan, soll ein MOSFET IRF540N angestuert werden. Leider kommt debei nur Quatsch raus und ich stehe etwas auf dem Schlauch. Als PWM-Generator wird ein SG3525A Verwendet. Dies funktiniert auch soweit 1A. An Pin 13 Messe ich
Den IRf540N möchte ich verwenden weil der RDS sehr klein ist dafür ist die Capacität sehr hoch. Beim 510er ist es genau andersrum. Optimal wäre halt ein IRF540N mit kleinerer capacität. Wie kann ich die Capacität
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Mosfetauswahl für Linearbetrieb
N oder P Kanal?
IRF(9)540 Wenn du aber viel Energie verheizen willst, dann würde ich einen mit größerem Gehäuse wie den IRFP150 oder so verwenden.
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Stromsenke für 10A bei 24V
meisten Strom genehmigen und daduch noch wärmer werden...and so on Als Beispiel soll hier mal ein IRF540 dienen, in dessen Datenblatt ist es die Abb. 3(Typical Transfer Characteristics): Niedriger geforderter Strom durch die MOSFET -> niedrige notwendige V_GS ->der wärmste MOSFET bekommt am meisten
analogen Schaltungen. Viele Datenblätter besagen das ja auch in Form eines Diagramms, wie eben auch IRF3205 (http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/irf3205.pdf, Fig.3). Aber für thermische Abhängigkeiten interessiert sich ja meist keiner so recht, wenn es mal ums Detail geht ... ;-). Das sieht
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N-FET schaltet Gate Spannung ohne Drain Spannung durch?
Hallo zusammen, ich habe ein kleines Problem. Ich versuche einen N-FET IRF540N zu verstehen. Der Transistor ist laut angehängert schaltung verschaltet. Am Gate hängt eine Rechteckspannung mit 20 KHz die wie im unten angehängten Screen des Oszis CH I auch gemessen
gant gut. Ich bekomme bis zum Gate des IRF540 ein Sauberes 20kHz Rechtechtsignal mit 10V. Nur schaffe ich nicht, dieses auf die 24V Gleichspannung zu übertragen. Gruß Denis
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Mosfet vor negativer Spannung / Wechselspannung schützen
gedacht die AvalancheCurrent wäre der maximal zulässige Strom für die Diode. Datenblatt siehe Anhang (IRF540N)
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Hilfe bei Auswahl von N-Kanal MOSFETs
Für einen Schaltregler brauch ich 2 n-Kanal MOSFETs. Schaltfrequenz ist ca 100kHz 1.) Uds=~60V Id=20A 2.) Uds=30V Id=30A Hab in der MOSFET Liste nachgeschaut und folgende gefunden: 1.)IRF540 kann 100V aber leider Rdson=77mOhm
muss ein deutliches Derating bezüglich der Stromtragfähigkeit in Kauf genommen werden. zu 1) Den IRF540 halte ich für deutlich zu schwach dimensioniert. Schau dir mal den IRF3710 an. Bei einem sehr guten, niederinduktiven Aufbau des Leistungsteils könntest Du eventuell versuchen, noch einen 75V-Typ
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(S) Sipmos-Transistor BUZ 25
Hallo Vielen dank für eure Hilfe,habe den passenden Mosfet gefunden IRF 540. Und nochmal entschuldigung daß der Schaltplan auf dem Kopf stand,ich wollte nicht daß es Dir schwindlig oder schlacht wird. Gruß Joachim
Hallo Danke an alle die mir weiter geholfen haben oder wollten. Ich werde als Mosfet den Typ IRFP 150N verwenden , Strom,Spannung und Leistung stimmen. Nochmals Danke Gruß Joachim
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Projet um die Kapazität von Akkus zu messen
. Meine Regelung macht der µC, dass sie langsam ist, stört beim Test von Akkus nicht. Um den IRF540 bei höherer Spannung / höheren Strömen thermisch zu entlasten, schalte ich Widerstände parallel - meine Auslegung geht bis 14 Volt bei maximal 1,5A Laststrom. Ich hänge ein Schaltbild an: Das
dimensioniert werden muß: Ich habe zwei niederohmige LL-FETs samt Leistungswiderstand eingesetzt, der IRF540 im Analogbetrieb übernimmt nur noch die Feinregelung bzw. wenig Leistung. Wann welcher Widerstand zugeschaltet wird, kann der µC rechnen.
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Basiswiderstand für Transistor
danke, ok, bei reichelt ist der IRL 540N und IRL 540NS gelistet. Welcher ist egal, oder? MfG Jannek
Diese Info findet man i.A. im Datenblatt: Auf den Weg dorthin zeigt dir Google... ;-) http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl540ns.pdf
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einzellzellen entladung für nimh akku
IRL3705N IRL3803 SMP60N03-10L SUP75N06-07L
solltest du an die mögliche Leistung der Fet`s denken. Schließlich soll er die Ladung "verheizen". Der IRF540 ist kein LogikLevel Fet. Gruß Sascha
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Transistoren parallel schalten für Leistungstransistor??
Gateladung. Das ist als ob du direkt an den Controller-Pin einen Kondensator von beispielsweise 5nF hängst. Es dauert. Und während der MOSFET dann gemächlich schaltet, geht massiv Leistung darin drauf.
Kaiser Ja hab ich aber Du noch nicht :) schalte in einer Tauchlampe 12V 120W mit 1kHZ mit eimem IRL540 ohne Kühlung!
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12V Verbraucher schalten
Nimm einen IRF540 soweit ich weiß für etwas über 1€ zu haben, das ist ein MOS-FET der schaltet bei 5V schon 9A und den kannst du direkt an den MEGA dranhängen ohne Widerstände etc. Braucht auch keine Kühlung. Bist
dem Atmega32 verbinden muss? "Welche Last willst Du denn wie oft schalten." - Wenn ich den IRF540 z.B. jede Sekunde ein und ausschalten lasse, würde das ein Problem geben?
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BLDC mit Zwangskommutierung betreiben mit Mega168
Farnell geschaut, der ML4425CS und der UC2625N können mit solchen Motoren was anfangen nur setzen diese ICs zwingend Hallsensoren als Rückmeldung voraus. In meinem Motor sind aber keine drin :( Gibt es ein IC das das ganze kann OHNE diese Hallsensoren
besorgt, nicht ganz Billig kann aber recht viel Strom um das Gate umzuladen. Als FET hab ich den IRF540A beschafft (10 Stück, also etwas Reserve :D) Da hab ich noch nen paar Fragen dazu: Wie hoch kann ich mit der PWM-Frequenz gehen bei dem Treiber? Gibts was besseres wie den IRF540a? Sollte 100V
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Schwebende Kugel
. Ich grübel grade ob die Windungszahl von 200 nicht ein bischen gering ist. Integral H ds = I*N bzw. wenn man davon ausgeht das die Feldstärke entlang einer Feldlinie überrall gleich ist: H*s = I*N --> H = I*N / s --> B = (µ0 * µ * I * N) /s Die magnetische Flussdichte steigt
als ein paar Minuten durchhält. > Kann mir mal einer ein Mostreibertyp für das Projekt nennen? IRF540, IRFZ44, IRF1404 usw.
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Leistungstransistor / Hitzeentwicklung
Frequenz ca. 10Hz) eine Wasserpumpe an die max. 7A zieht. Als Leistungstransistor verwende ich einen IRF540N der ja vom max. Strom her locker reichen sollte. Derzeit habe ich noch einen recht kleinen Kühlkörper, später soll das Alu Gehäuse als Kühlkörper dienen. Was mir aber schon jetzt auffällt ist
Stimmt, ihr habt recht... weis garnicht mehr wieso ich eigentlich nen IRF540 genommen hab... naja egal... hab mir gerade mal hier ne Übersicht verschafft: http://www.mikrocontroller.net/articles/Mosfet-%C3%9Cbersicht#N-Kanal was haltet ihr vom IRF3205 oder gibts einen
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Transistor (Verzweiflung)
Vielen Dank für deine nützlichen Hinweise ! Ich war heute bei Conrad und habe mir einen MOSFET mit N-Kanal gekauft, der bis zu 33A schalten kann. Ich gehe davon hinaus, dass das reichen wird. Den MOSFET findet man hier: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf Gestern habe
zwischen G und S dranlassen. Wenn dann der Motor immer noch läuft ist entweder der IRF540 im Eimer oder der Strom hat einen anderen Weg um den IRF540 herum gefunden. Grüße, Peter
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BUZ11 geht kaputt..
spannung darf ja ruhig in die höhe gehen bloß nicht über 50V, denke mal 3 ohm nur beim und irgendwas im nF bereich für c
Also mit MOSFET geht das allemal und wird auch häufig gemacht. IRF540,IRF840,IRFBC40.... Was die Schaltverluste angeht sind MOSFET meist besser als Bipolar. Weniger Leistung zum Schalten bei höheren Schaltgeschwindigkeiten. Deswegen werden auch in fast allen Schaltnetzteilen
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Vorwiderstand für Mosfet um LED's zu schalten
Ich möchte mit einem ATMEGA48 über ein IRF540N Mosfet reichlich LED's schalten. Bin beim Stöbern auf angehängte Schaltung gestossen. Dort wir ein 100 Ohm Widerstand vor den FET geschaltet obwohl das ein Logik-Level Mosfet ist. Kann mir jemand mit einfachen Worten erklären wofür das gut sein soll/kann? http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf
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MOSFETs werden heiß - Brushlesscontroller
nur keiner... Das heißt ein C von Drain-High-Side zu Source-Low-Side in der Größenordnung von 470N? > Ansonsten noch viel Spaß :) Sieht gut aus, was du da machst. Danke :)
Der IR2102 ist jetzt nicht unbedingt der stärkste Treiber, aber IRF540 haben auch relativ kleine Gateladungen im vergleich zu modernen Leistungsmosfets. Eigentlich sollten 220nF ausreichen. Wie groß ist denn deine maximale Einschaltdauer des Highside Fets?