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PCA82C250_PHI.pdf
Notes 1. In accordance with ÒIEC 60747-An alternative definition of virtual junction temperature is: T vjT amb+ Pd× R th(vj-a)ere th(j-a) a fixed value to be used for the calculvjion of T . Thvjrating for T limits the allowable combinations of power dissipatdon (P ) and ambient tempeamb).e (T 2. Classification
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82C250.pdf
Notes 1. In accordance with ÒIEC 60747-An alternative definition of virtual junction temperature is: T vjT amb+ Pd× R th(vj-a)ere th(j-a) a fixed value to be used for the calculvjion of T . Thvjrating for T limits the allowable combinations of power dissipatdon (P ) and ambient tempeamb).e (T 2. Classification
in „I2C vs CAN vs Ethernet“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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whisper-large-v3-turbo.txt
09.420] Never gonna give [00:02:09.420 --> 00:02:10.240] Never gonna give [00:02:10.240 --> 00:02:11.800] Give you up [00:02:11.800 --> 00:02:13.640] Never gonna give [00:02:13.640 --> 00:02:14.480] Never gonna give [00:02:14.480 --> 00:02:14.480] Never gonna give [00:02:14.480 --> 00:02:15.880] Give you
in „KI Modell mit Spracherkennung“ · PC Hard- und Software ·
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htfs200_800p_e_rev09.pdf
Current Transducer HTFS 200..800-P I = 200-400-600-800 A PN For the electronic measurement of currents : DC, AC, pulsed, mixed, with galvanic isolation between the primary circuit (high power) and the secondary circuit (electronic
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tps78001.pdf
V VSET = 1.2V, VOUT = 2.2V IOUT = 1mA, V VSET = 1.2V, V OUT = 2.2V TPS780330220 TPS780330220 1000 T = +125°C 1000 T = +125°C 900 J 900 J 800 800 T J +85°C 700 700 TJ= +85°C A 600 A 600 ( ( N500 N 500 IG400 IG 400 300 300 TJ= +25°C TJ= -40°C TJ= +25°C T J -40°C 200 200 100 100 0 0 2.7 3.2 3.7 4.2 4.7
in „Ultra Low Power Versorgung aus Batterie, 3,3V und 5V“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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main.cpp
ErgebnisLinks){ PORTD |= (1<<dir); //Richtung rechts? PORTD |= (1<<step); //Step Puls an _delay_us(800); PORTD &= ~(1<<step); //Step Puls aus _delay_us(800); } if (ErgebnisRechts < ErgebnisLinks) { PORTD &= ~(1<<dir); //Richtung links? PORTD |= (1<<step); //Step Puls an _delay_us(800); PORTD &= ~(1<<step); //Step Puls aus _delay_us(800); } } }
in „ADC-Schrittmotor Atmega16“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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src-hardware-gwinstek-gds-800-protocol.h
this program. If not, see <http://www.gnu.org/licenses/>. */ #ifndef LIBSIGROK_HARDWARE_GWINSTEK_GDS_800_PROTOCOL_H #define LIBSIGROK_HARDWARE_GWINSTEK_GDS_800_PROTOCOL_H #include <stdint.h> #include <glib.h> #include <libsigrok/libsigrok.h> #include "libsigrok-internal.h" #include "scpi.h" #define LOG_PREFIX
in „Wittig(welec) DSO W20xxA Open Source Firmware (Teil5)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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sct2080ke.pdf
, Ltd. All rights reserved. 2/12 2014.01 - Rev.D SCT2080KE Data Sheet Electrical characteristics (T a= 25°C) Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. *3 Transconductance g fs VDS= 10V, ID= 10A - 3.7 - S Input capacitance Ciss VGS= 0V - 2080 - Output capacitance Coss VDS= 800V - 77 - pF
in „Verarmungs- oder Anreicherungstyp“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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s5971_etc_kpin1025e05.pdf
temperature characteristics (Typ. Ta=25C˚) +1.5 (Typ.) 0.7 S5971 ) / S5971 ) 0.6 % W ( A N +1.0 ( 0.5 I T C V F S5972 T 0.4 S5973-02 F S5973 SERIES S S5972 O +0.5 N C E 0.3 E S R T T O 0.2 S5973/-01 A H R 0 P P 0.1 M E T 0 -0.5 200 400 600 800 1000 200 400 600 800 1000 WAVELENGTH (nm) WAVELENGTH (nm) KPINB0157EA
in „Empfindlichkeit von Photodioden“ · HF, Funk und Felder ·
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sony_ht-ct260h.pdf
4 1 STB+5V 0 NVO + 5 +3.3V_STB C985 C G CE51 V 100uF/26V 5 V 1 F / 5 . U712 0 V 0 F 5 1 5 FB24 500/800mA 2 F VIN VOUT 2 . 0 2 GND C981 VCC 3 4 5 EN NC C151 / C66 + 0.1uF/25V/Y5V 0 Q6 C983 LDO_G9091-330T11U F STB+5V P_AP2305 C 0.1uF/25V/Y5V 22uF/16V 0 S D 1 G R829 C58 C59 0.1uF/25V/Y5V 100K 0.1uF/25V/
in „(V) 2 Platinen aus einer Sony Soundbar und Nixie Röhren“ · Markt ·
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BZX399.pdf
2831, Fax. +48 22 612 2327 Canada: PHILIPS SEMICONDUCTORS/COMPONENTS, Portugal: see Spain Tel. +1 800 234 7381, Fax. +1 800 943 0087 Romania: see Italy China/Hong Kong: 501 Hong Kong Industrial Technology Centre, Russia: Philips Russia, Ul. Usatcheva 35A, 119048 MOSCOW, 72 Tat Chee Avenue, Kowloon Tong
in „Frage Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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_3strip.ino
, 3, NEO_GRB + NEO_KHZ800); //uint32_t whiteA = strip_A.Color(255, 255, 255); disabled for testing purposes //uint32_t whiteB = strip_B.Color(255, 255, 255); //uint32_t whiteC = strip_C.Color(255, 255, 255); uint32_t offA = strip_A.Color(0, 0, 0); uint32_t offB = strip_B.Color(0, 0, 0); uint32_t offC = strip_C.Color(0, 0, 0); uint32_t whiteA = strip_A.Color(0, 0, 255); //Testcolor to better see it in the simulator ;) uint32_t whiteB = strip_B.Color(0,
in „Interrupt in C / ATTiny / WS 2812B“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2N5087-D.PDF
Voltage V 3.0 Vdc EBO Collector Current − Continuous I 50 mAdc C TO−92 Total Device DissipationA@ T = 25°C PD 625 mW CASE 29 Derate above 25°C 5.0 mW/°C STYLE 1 Total Device DissipationC@ T = 25°C PD 1.5 W Derate above 25°C 12 mW/°C 1 1 23 2 Operating and Storage Junction T , T −55 to +150 °C 3 Temperature
in „rauscharmer NPN min 200v gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MJE2955T-D.PDF
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) CE Figure 1. Active−Region Safe Operating Area 500 90 300 V CE= 2.0 V ) 80 200 T = 150°C T N J A 70 A ( T 100 N 60 N 25°C T R P 50 U 50 S MJE3055T C -55°C D 40 D 30 R MJE2955T ,E 20 E 30 hF O , 20 10 P 10 5.0 0 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0 25 50 75 100 125 150 175 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) T C CASE TEMPERATURE (°C) Figure 2. DC Current Gain Figure 3. Power Derating MJE2955T MJE3055T 2.0 1.4 T = 25°C T = 25°C J 1.2 J 1.6 ) ) 1.0 L L O 1.2 O ( ( 0.8 VBE(sat)IC B = 10 G G T V BE(sat)IC B =
in „Simulation zeigt das Gegenteil der Praxis“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SBLCDA2_Specification.pdf
SoftBaugh 4080 McGinnis Ferry Road Suite 604 Alpharetta, GA 30005 www.softbaugh.com SBLCDA2/T Overview: Our advanced SBLCDA2 and SBLCDA2T are compatible with all MSP430F44x devices. The SBLCDA2 is for daytime use only while the SBLCDA2T is transflective, which allows a backlight to be installed
in „MSP430FG439 mit LCD“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SBLCDA2_Specification.pdf
SoftBaugh 4080 McGinnis Ferry Road Suite 604 Alpharetta, GA 30005 www.softbaugh.com SBLCDA2/T Overview: Our advanced SBLCDA2 and SBLCDA2T are compatible with all MSP430F44x devices. The SBLCDA2 is for daytime use only while the SBLCDA2T is transflective, which allows a backlight to be installed
in „MSP430 LCD Controller“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PSPICE_MITSCHRIFT_ALLES_SS20908.pdf
Temperaturkoeffizient 0 • °C1 TC2 quadratischer Temperaturkoeffizient 0 • °C gemessene Temperatur ° C T_MEASURED (überschreibt den unter .OPTIONS gesetzten Wert für TNOM) T_ABS absolute Temperatur ° C T_REL_GLOBAL Temperatur ° C relativ zu der mit TNOM gesetzten Temperatur Temperatur T_REL_LOKAL relativ
in „Pspice Simulation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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NCP1271-D.PDF
onsemi.com 8 NCP1271 TYPICAL CHARACTERISTICS 4.5 6 V = V − 0.2 V 4.4 CC CC(on) ) 5 A 4.3 A 125°C ( ( T 4.2 T 4 E N R 4.1 R 25°C −40°C R 4.0 R 3 C C P 3.9 P T U 2 R 3.8 R T T S 3.7 S 1 3.6 3.5 0 −50 −25 0 25 50 75 100 125 0 2 4 6 8 10 12 TEMPERATURE (°C) VCC, SUPPLY VOLTAGE (V) Figure 17. High Voltage Startup Current vs. Figure 18. Startup Current vs. CC Voltage Temperature 40 25 ) ) ( 35 ( 24 T E N G 23 R 30 T R O 22 U 25 V 21 E P G 20 T 20 A R A 15 T 19 L S P M 18 U 10 M R N 17 T 5 M 16 S 0 15 −50 −25 0 25 50 75 100 125 −50 −25 0 25 50 75 100 125 TEMPERATURE (°C) TEMPERATURE (°C) Figure 19
in „Behringer B112D Funktionsweise Netzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MMSD4148T1-D.PDF
FR−5 Board (Note 2)PD 425 mW † TA= 25°C Device Package Shipping Derate above 25°C 3.4 mW/°C MMSD4148T1G SOD−123 3,000 / Thermal Resistance Junction−to−Ambient R JA 290 °C/W (Pb−Free) Tape & Reel 2. FR−5 = 1.0 oz Cu, 1.0 in pad SMMSD4148T1G* SOD−123 3,000/ (Pb−Free) Tape & Reel MMSD4148T3G SOD−123 10,000
in „ltspice-simulation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MBRAF440T3-D-346517.pdf
2 MBRAF440, NRVBAF440 TYPICAL CHARACTERISTICS 10 10 D D R R A A R ) R ) O P O P F M F M U ( U ( O T O T E N1 TJ= 125°C E N 1 A R A R TJ= 125°C N R N R A C A C S S TJ= 100°C I I F F I T = 25°C T = −55°C I T = −55°C 0.1 T J 100°C J J 0.1 TJ= 25°C J 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50
in „CRS Robotics A255 Roboterarm“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MBRAF440T3-D-346517.pdf
2 MBRAF440, NRVBAF440 TYPICAL CHARACTERISTICS 10 10 D D R R A A R ) R ) O P O P F M F M U ( U ( O T O T E N1 TJ= 125°C E N 1 A R A R TJ= 125°C N R N R A C A C S S TJ= 100°C I I F F I T = 25°C T = −55°C I T = −55°C 0.1 T J 100°C J J 0.1 TJ= 25°C J 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50
in „Motorsteuerung mit L298N und Attiny“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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XC6210B332PR.pdf
positiveum Output Current : More than 700mA voltage low dropout regulators. They are fabricated using (800mAlimit, TYP.) Torex’s CMOS process. (1.6V<VOUT(T)<5.0V) Dropout Voltage : 50mV@I OUT=100mA The series features a voltage reference, an error amplifier, a current limiter, and a phase compensation circuit
in „3,6V Akku auf 3,3V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MR750_60.pdf
MR UNIT 750 751 752 754 756 758 760 Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum Working Peak Reverse Voltage VRWM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum Non-Repetitive Peak Reverse Voltage (Halfwave, single
in „MR760 Diode Ersatz für PFC Kreis“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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NUD4700-D.PDF
200 P 70 A A K 150 , E d , 100 C 60 S I 50 50 0 0 1 2 3 4 5 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150 VOLTS (V) T A, AMBIENT TEMPERATURE (°C) Figure 3. Capacitance vs Voltage Figure 4. Leakage Current vs Temperature 1.4 1.2 ) 1.2 ) 1.1 ( ( E 1 T @ 1.0 mA E 1 A A L L O 0.8 I @ 350 mA O 0.9 V T V T T A 0.6 T 0.8 S S − 0.4 I @ 750 mA N 0.7 O T O T T V 0.2 V 0.6 0 0.5 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150 175 0.25 0.35 0.45 0.55 0.65 0.75 0.85 0.95 1.05 TEMPERATURE (°C) T , ON−STATE CURRNT (A) Figure 5. On−State Voltage vs. Temperature Figure 6. On
in „28 LEDs ansteuern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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uhp-ma_e.pdf
TLP-S30 JYd150/A.C VPL-PS10/PX10 JYd200/A.C 65×70 TY-GIE JYd120/A.C VPL-PX15 JYd200/A.C 65×70 TLP-T700/T701 JYd150/A.C V-800 JYd275/A.C TLP-T620 JYd150/A.C CPJ-D500 JYd120/A.C TLP-T600 JYd150/A.C TLP-T500/501 JYd150/A.C TLP-T400/T401 JYd150/A.C TLP-380/381 JYd150/A.C 品牌 brand 型号 model 灯泡 lamp 灯杯 尺寸
in „Beamer 'wiederverwerten'?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Burr-Brown-ADS1230.pdf
NOISE PLOT 4 3 PGA = 64 PGA = 64 Data Rate = 10SPS 2 Data Rate = 80SPS 1 ) 3 ) S S 0 ( ( e e -1 o 2 o t t -2 p p u u -3 O O 1 -4 -5 0 -6 0 200 400 600 800 1000 0 200 400 600 800 1000 Time (Reading Number) Time (Reading Number) Figure 1. Figure 2. NOISE HISTOGRAM NOISE HISTOGRAM 900 400 PGA = 64 PGA = 64
in „Konzept für eine Waage gesucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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iW1816.pdf
100 mA Collector-Emitter breakdown voltage (Emitter and base shorted together; I = 1mA, R = 0Ω) VCES 800 V C EB Collector current IC 1.5 A Collector peak current pt < 1ms) CM 3 A Maximum junction temperature T JMAX 150 °C Storage temperature TSTG -55 to 150 °C Lead temperature during IR reflow for ≤ 15
in „Fritz Powerline 540E abgeraucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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CD287.pdf
20 0,537 0,13 0,26 617 8 x 16 0,104 0,028 0,056 2 200 12,5 x 35 470 0,537 0,12 0,24 613 10 x 12,5 1 800 0,104 0,028 0,056 2 070 16 x 25 560 0,450 0,095 0,19 734 10 x 16 0,104 0,030 0,060 1 890 18 x 20 680 0,371 0,095 0,19 800 8 x 20 2 200 0,097 0,026 0,052 2 390 12,5 x 40 0,252 0,065 0,13 1 010 10 x 20
in „Empfehlung für Low-ESR LONG LIFE Elkos?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MC74VHC1GT66-D.pdf
C 80 1,032,200 117.8 U 0 0 0 ° 0 0 I 1 1 1 1 9 8 90 419,300 47.9 F = = = = = = 100 178,700 20.4 D T TJ TJ TJ TJ T E 110 79,600 9.4 L 1 A 120 37,000 4.2 M O 1 10 100 1000 130 17,800 2.0 N TIME, YEARS 140 8,900 1.0 Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature http://onsemi.com 3 MC74VHC1GT66
in „Widerstand nötig?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Anhang3.pdf
再充电电池门限电压 V FLOATVRECHRG 100 150 200 mV TLIM 限定温度模式中的结温 145 ℃ 功率 FET“导通”电阻 RON 650 mΩ （在 V CC与 BAT 之间） t 软启动时间 I =0 至 I =1200V/R 20 μs ss BAT BAT PROG RECHARGE 再充电比较器滤波时间 VBAT高至低 0.8 1.8 4 ms tTERM 终止比较器滤波时间 BAT降至 ICHG/10以下 0.8 1.8 4 ms IPROG PROG 引脚上拉电流 2.0 μ A 4 南京拓微集成电路有限公司 TP4056 典型性能特征 恒定电流模式下 PROG
in „sichere Umsetzung Schutzabschaltung Akku“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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P600A-S.pdf
Stoßspitzensperrspannung VRRM[V] V RSM[V] P600A 50 50 P600B 100 100 P600D 200 200 P600G 400 400 P600J 600 600 P600K 800 800 P600M 1000 1000 P600S 1200 1200 1 Max. average forward rectified current, R-load TA= 50°C FAV 6 A ) Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last 1 Repetitive peak forward current f > 15 Hz FRM
in „Dioden mit großem trr (Sperrerholzeit, reverse recovery time)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PCA82C251_PHI.pdf
LOW. 3. In accordance withIEC 60747-1.An alternative definition of virtual junction temperature is: T = T + P × R , where R is a fixed value to be used for the calculation of T . The rating for T limits vj amb d th(vj-a) th(vj-a) vj vj the allowable combinations of power dissipatdon (P ) and ambient
in „Differentielle Datenübertragung, welcher Baustein empfehlenswert?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FGA5065ADF.pdf
. A D Collector Current Collector Current 10 F 200 — 6 100 5 td(off) 0 ] J V n m Eon , [ s 5 m s 0 T L 1 A g g i t i F t f t e w Common Emitter w Eoff Common Emitter l S 10 V GE= 15V,GR =6 S VGE= 15V, G = d o T = 25 C S TC= 25 C C t T = 175 C T = 175 C o C C p 4 0.1 T 0 30 60 90 120 150 0 30 60 90
in „Inverter Schweißgerät, Alternative IGBTs kompatibel? (Datenblätter inside)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Tabelle mit Materialeigenschaften von Thermoelementen
BS- Farbcodes ANSI- Farbcodes K NiCr-Ni 750 - 1100 (850 - 1200) -270 bis +1300 1,5 °C oder 0,004·|t| in -40 bis 1000 °C 2,5 °C oder 0,0075·|t| in -40 bis 1200 °C J Fe-CuNi 400 - 600 (500 - 750) -210 bis +1200 1,5 °C oder 0,004·|t| in -40 bis 750 °C 2,5 °C oder 0,0075·|t| in -40 bis 750 °C N NiCrSi-NiSi 850 - 1200 (900 - 1250) -270 bis +1300 1,5 °C oder 0,004·|t| in -40 bis 1000 °C 2,5 °C oder 0,0075·|t| in -40 bis 1200 °C E NiCr-CuNi 440 - 690 (480 - 800) -270 bis +1000 1,5 °C oder 0,004·|t| in -40 bis 800 °C 1 °C oder 0,0075·|t| in -40 bis 900 °C T Cu-CuNi
in „Bauteilbestimmung - Trafo“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
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robot-mit-cplusplus-anteilen-noheap-trotzdem-grosz.objdump.txt
3231746e 00000038 726f6873 __int128...shor 800e868: 00000074 69736e75 64656e67 6f687320 t...unsigned sho 800e878: 00007472 64696f76 00000000 61686377 rt..void....wcha 800e888: 00745f72 676e6f6c 6e6f6c20 00000067 r_t.long long... 800e898: 69736e75
in „ROM-Auslastung von C++-Programm reduzieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BC546_547_3.pdf
= 2 mA; VCE= 5 V; see Figs 2, 3 and 4 BC546A 110 180 220 BC546B; BC547B 200 290 450 BC547C 420 520 800 BC547 110 − 800 BC546 110 − 450 VCEsat collector-emitter saturation C = 10 mA; B = 0.5 mA − 90 250 mV voltage C = 100 mA; B = 5 mA − 200 600 mV VBEsat base-emitter saturation voltagC = 10 mA; B = 0.5
in „Rätselhafter Transistor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BD137__ONSEMI-2013.pdf
Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%. TYPICAL CHARACTERISTICS 1000 0.3 V = 2 V 150°C CE E C BI = 10 T V I I ( G M G T 150°C − A0.2 N 25°C R L E T O −55°C R100 −55°C C V 25°C U L O C L T C C A0.1 , ) U F s T h E S C V 10 0 0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10 C , COLLECTOR CURRENT (A) C , COLLECTOR
in „High Freq Power Amplifier“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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4503_DE.pdf
von - 200 °C bis 800 °C Anwendung Beschreibung Für die Überprüfung von industriellen Temperatur-Mess- und IneinemhandlichenundrobustenMetallgehäuse(mitBuchsen RegelanlagenisteinGebervongroßemNutzen,welcherWider- nach DIN
in „[V] PT-100 Simulator“ · Markt ·
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WS81.pdf
. Krachtontneming: 95 W Beschermklasse: 1 (regelapparaat) en 3 (sol deerapparaat) Beveiliging (7): T500mA (omschakel bare versie T800mA) Temperatuurregeling: 50°C - 450°C Precisie: ± 9°C Potentiaalcompensatie (8): via een 3,5 mm schakelklik bus (basistoestand hard geaard) 5 Nederlands 3. Ingebruikname
in „Lötstation nachbauen, aber welche“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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UA702-Fairchild.pdf
k- I-+ - +- +- +-l -~ : ~ 4 2.5 ~ 900 I--I--H""--"I..-.:--+---+---+--+--+-J ~;2.0 1-1- ~ I- ol l - 800f-+-+-+-++--t'-cl--t-fr- ~ 1.5 I-- 700f-+-+-+-++-+-+--f'dr- ~ '.0 ~ 50 0.5 6~"0-'-_-'2,l-, 2,-J -'6o0---'--',-"'00,-l---,l'40 '6 +8 +10 '12 '6 +8 +10 .12 TEMPERA.TUR--c -, -4 -5 -6 -, -4 -5 -6 SUPPLY
in „OPV mit nicht ganz symmetrischer Versorgung?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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UA702-Fairchild.pdf
k- I-+ - +- +- +-l -~ : ~ 4 2.5 ~ 900 I--I--H""--"I..-.:--+---+---+--+--+-J ~;2.0 1-1- ~ I- ol l - 800f-+-+-+-++--t'-cl--t-fr- ~ 1.5 I-- 700f-+-+-+-++-+-+--f'dr- ~ '.0 ~ 50 0.5 6~"0-'-_-'2,l-, 2,-J -'6o0---'--',-"'00,-l---,l'40 '6 +8 +10 '12 '6 +8 +10 .12 TEMPERA.TUR--c -, -4 -5 -6 -, -4 -5 -6 SUPPLY
in „µA702 - Der Urahne in der Simulation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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NCP5104-D.PDF
10% Figure 7. Shutdown Waveform Definition www.onsemi.com 6 NCP5104, NCV5104 CHARACTERIZATION CURVES 800 900 s s850 (750 ( Y Y800 L700 TON Low Side L E E750 TON Low Side D650 D N N700 T T A600 A650 G G600 P550 P O TON High Side O550 TON High Side P500 P N N500 O450 O T T450 400 400 10 12 14 16 18 20 −40
in „Suche SMD Bauteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PZTA42T1-D.PDF
PZTA42T1G High Voltage Transistor Surface Mount NPN Silicon www.onsemi.com Features • PZTA42T1G is Complement to PZTA92T1G SOT−223 PACKAGE • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique NPN
in „Unbekanntes Bauteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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APT34F100B2_L_D-1593638.pdf
U 30 C 1000 D T = 125°C N N J T O I S A N 20 P Coss A C T , 100 ,f C g 10 C rss 0 10 0 5 10 15 20 25 0 200 400 600 800 1000 I , DRAIN CURRENT (A) V , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V) D DS Figure 5, Gain vs Drain Current Figure 6, Capacitance vs Drain-to-Source Voltage 16 140 D = 18A ) ( 14 A 120 E ( A N T 12 E 100 O VDS= 200V R V 10 U E C C VDS= 500V I 80 R 8 A TJ= 25°C O R - D 60 O 6 S - VDS= 800V R TJ= 150°C E 4 V 40 0 A E - G R, 8 ,S 2 D 20 D G IS V e 0 0 R 0 50 100 150 200 250 300 350 400 0 0.3 0.6
in „SMA SB4200TL-MS Reparatur“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sct2080ke-e.pdf
Drain - Source Voltage 10000 40 Ta= 25ºC ] J 1000 Ciss [ 30 ] S p E [ C oss : : y e 100 Crss e 20 n n t E c e p o a 10 S 10 C Ta= 25ºC s f = 1MHz o VGS= 0V C 1 0 0.1 1 10 100 1000 0 200 400 600 800 Drain - Source Voltage :DS[V] Drain - Source Voltage : DS[V] Fig.17 Switching Characteristics Fig.18 Dynamic
in „Datenblatt fraglich?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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NECCS04393-1.pdf
Symbol Conditions MIN. TYP. MAX. Unit SCK0 cycle time tKCY2 4.5 V ≤ VDD ≤ 5.5 V 800 ns 2.7 V ≤ VDD < 4.5 V 1600 ns 2.0 V ≤ VDD < 2.7 V 3200 ns SCK0 high-/low-level width tKH2, 4.5 V ≤ VDD ≤ 5.5 V 400 ns KL2 2.7 V ≤ VDD < 4.5 V 800 ns 2.0 V ≤ VDD < 2.7 V 1600
in „Anschlussbelegung uP D78P0308GF gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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80RIA.pdf
, maximum non- IDRM RRM max. Type number Code peak and off-state voltage repetitive peak voltage @ T J 125°C V V mA 40 400 500 80RIA 80 800 900 15 120 1200 1300 On-state Conduction Parameter 80RIA Units Conditions IT(AV) Max. average on-state current 80 A 180° conduction, half sine wave @ Case temperature
in „Womit hohen Pulsstrom durch 1 Ohm Last jagen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ltn154x3-l06.pdf
Note Frame Frequency Cycle TV 804 816 1000 Lines - Vertical Active Display Display Term Period TVD - 800 - Lines - One Line Scanning Time Cycle TH 1350 1408 1550 Clocks - Horizontal Active Display Display Term Period THD - 1280 - Clocks - 6.2 Timing diagrams of interface signal T V T VD DE T H DCLK TC
in „BeagleBoard LVDS Transmitter“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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AO4459.pdf
DM -30 Avalanche Current C I , I 17 A C AS AR Avalanche energy L=0.1mH EAS E AR 14 mJ T =25°C 3.1 B A PD W Power Dissipation TA=70°C 2 Junction and Storage Temperature Range T , T -55 to 150 °C J STG Thermal Characteristics Parameter Symbol Typ Max Units Maximum Junction-to-Ambient A t
in „P-Mosfet sperrt nicht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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1LTC2433-1fa.pdf
Oscillator (Notes 9, 10) 152/fEOSC(in kHz) ms t External SCK 19-Bit Data Output Time (Note 8) 19/f (in kHz) ms DOUT_ESCK ESCK t1 CS to SDO Low Z 0 200 ns t2 CS to SDO High Z 0 200 ns t3 CS to SCK (Note 9) 0 200 ns t4 CS to SCK (Note 8) 50 ns tKQMAX
in „AVR ISP mkII sagt Kurzschluss zwischen SCK & MOSI“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
