temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit BC327 50 Collector-Emitter Voltage BC328 –VCES 30 V BC327 45 Collector-Emitter Voltage BC328 –V CEO 25 V Emitter-Base Voltage –VEBO 5 V Collector Current –IC 800 mA Peak Collector Current –ICM 1 A Base Current –IB 100 mA Power Dissipation
unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units V Collector-Emitter Voltage CES : BC327 -50 V : BC328 -30 V V Collector-Emitter Voltage CEO : BC327 -45 V : BC328 -25 V V Emitter-Base Voltage -5 V EBO C Collector Current (DC) -800 mA P Collector Power Dissipation 625 mW C TJ Junction Temperature 150
N L1 S 2 3 1k 1k 3 4 u 1 6 IN2 G n 4 5 GND 74AC14N i 1 U813BSSIP6 D D C12 Q2 HE3621 L L IC6D 10n BC328-25 1 2 GND " GND GND GND GND GND 74AC14N : R12 6 R13 49 C11 220 " 2k7 R11 100n n C13 g H X4 R15 10n D i M +5V D s 3 18 GND GND GND e > SB140SB140 M R16 4 0 GND 270 1 7 R 2 D6 D5 GND GND GND 1 2 3 4
wird) (300mA sollte also sicher reichen) maximale Leistung 240mA*0,2V=48mW bzw. 300mA*0,2V=60mW BC 328-40 Transistor PNP TO-92 25V 0,8A 0,625W Basiswiderstände: * Transistor: BC328-40 * Der Verbraucher benötigt einen Strom von maximal Ic = 300mA. * hFEmin ist 170 (Datenblatt), gerechnet wird jedoch
Amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25”C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL BC327 BC327A BC328 UNITS BC337 BC337A BC338 Collector Emitter Voltage V CEO 45 60 25 V Collector Emitter Voltage VCES 50 60 30 V Emitter Base Voltage V EBO 5.0 V Collector Current Continuous C 800 mA Peak I 1.0 A CM
BC237 to 239
A.F. SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC327 BC237 BC28 BC239 BC327 BC328
QUICK REFERENCE DATA
Collector-emitter voltage (VBE = 0)
Collector current (peak value)
Total power dissipation up to Tcase = 25°C
Junction temperature
Transition frequency
Noise figures
MECHANICAL
5V 12V 1k 1N4148 270R 10K bc328 10k2k bc337 10k GND +5V +12V GND R SR pn2p t ii ou Create PDF with GO2PDF for free, if you wish to remove this line, click here to buy Virtual PDF Printer
mit dem 78L05. Um den Transistor BC548/547 (T3) , der nur 100mA Last verträgt zu ersetzen, ist der BC328 mit erlaubten 800mA eine gute Wahl. Die Drossel L1 entspricht der Standard-Beschaltung von Atmega’s, die auch analoge Aufgaben erledigen. Welche Verbesserung damit erreicht wird, kann ich nicht sagen
N SOT23 BC327 5Dt BC807W Phi N SOT323 BC327 5D- BC807W Phi N SOT323 BC327 5E BC808-16 Phi N SOT23 BC328-16 BC808-16 Sie N SOT23 BC328-16 5Es 5Es BC808-16W Sie N SOT323 BC328-16 5E FMMT-A43R Zet R SOT23R MPSA43 5E BC808-16 Phi N SOT23 BC328-16 5ER BC808-16R Phi R SOT23R BC328-16 5F BC808-25 Phi N SOT23
40, according to their DC current ) gain. As complementary types, the PNP transistors . BC327 and BC328 are recommended. 1 ( • On special request, this transistor is also manufactured 9 in the pin configuration TO-18. 0 n m Mechanical Data Case: TO-92 Plastic Package max.∅ Weight: approx. 0.18g 0.022
40, according to their DC current ) gain. As complementary types, the PNP transistors . BC327 and BC328 are recommended. 1 ( • On special request, this transistor is also manufactured 9 in the pin configuration TO-18. 0 n m Mechanical Data Case: TO-92 Plastic Package max.∅ Weight: approx. 0.18g 0.022
Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 1 TO-92 1. Collector 2. Base 3. Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings T a25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units V Collector-Emitter Voltage CES : BC337
Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 1 TO-92 1. Collector 2. Base 3. Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings T a25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units V Collector-Emitter Voltage CES : BC337
SpicSpiceOrder 1 2 5 D C 01 S 0 V V 7 2 Q3 + ADJ O D O S 1 R 220n 1N4148 5 R 2 1 S 8 S 4 S E R1 R1-2 µ BC328 r 1 r 1 V R10 R15 1 1 0 i 4 i 4 270k R13 1k e e 0 R20 7 1 IC1 S N S 1 7 1IC2 10k S S 4 IC3 1 7 3 5 1 3 5 1N4148 1e4148 e + 10k X_P2-3 D3 p D2 p C1 R28 5 3 X_P2-2 6 6 +12V S S 6 X_P2-1 2 6 2 P2 J6/J7
SpiSpiceOrder 1 t 2 5 D 5 0 S 0V C5 V ä Q3 1 ADJ r D r SC 1 1R 220n 1N4148 0 R t + 1 S 8 S 8 S E R1 R1-2 / eBC328 1 4 1 1 V R10 R15 0 c 4 c 4 270k R13 1k O O 0 R20 7 1 IC1 S N S N 7 1 IC2 15k S S 4 IC3 1 7 3 5 1 1 3 5 r r D2 + R28 10k X_P2-3 pD3 p C1 5 3 X_P2-2 6 6 +12V S 1N4004 Q7 6 2 2 P2 J6/J7 12V an X11 (9V
SpicSpiceOrder 1 2 5 D C 01 S 0 V V 7 2 Q3 + ADJ O D O S 1 R 220n 1N4148 5 R 2 1 S 8 S 4 S E R1 R1-2 µ BC328 r 1 r 1 V R10 R15 1 1 0 i 4 i 4 270k R13 1k e e 0 R20 7 1 IC1 S N S 1 7 1IC2 10k S S 4 IC3 1 7 3 5 1 3 5 1N4148 1e4148 e + 10k X_P2-3 D3 p D2 p C1 R28 5 3 X_P2-2 6 6 +12V S S 6 X_P2-1 2 6 2 P2 J6/J7
Vorwiderständen Teil 19 (7-Segmentanzeige) • 4 7-Segmentanzeigen mit gemeinsamerAnode • 4 PNP-Transistoren BC328 • 4 Widerstände 1k • 7 Widerstände 100Ω Für weitere Bauteile, die man als angehender µC Bastler auch des Öfteren mal benötigt, empfiehlt sich ein Blick in die Liste der Standardbauelemente bzw. in
Part Library Mfg. Name Tech Type AF Transistor BC327 BC327/SIE SIEMENS.OLB Infineon AF Transistor BC328 BC328/SIE SIEMENS.OLB Infineon AF Transistor BC337 BC337/SIE SIEMENS.OLB Infineon AF Transistor BC338 BC338/SIE SIEMENS.OLB Infineon AF Transistor BC368 BC368/SIE SIEMENS.OLB Infineon AF Transistor
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