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Netzteil von Philips TV reparieren möglich?
datasheet/stf24nm60n.pdf https://www.diodes.com/datasheet/download/MMBT3906.pdf "bss12" findet nur bss123 und der hat SMD-Gehäuse https://www.st.com/resource/en/datasheet/stp24nm65n.pdf Den Grund des Kurzschlusses sollte man vor dem ersten Einschalten noch herausfinden, sonst kommt es wieder zu Licht
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Spannungsteiler an Gate von NMOS
Schaltflankenverflachungswiderstand und somit ein > Störstrahlungsreduzierwiderstand. Nicht in Verbindung mit dem gezeigten BSS123. Und auch mit einem fetten MOSFET bewirkt der Widerstand nur dann etwas, wenn der MOSFET niederohmig (also über einen Gate-Treiber) angesteuert wird. Wenn die Steuerung hingegen über einen CMOS-Ausgang
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Schaltplan eines MOSFET-Gates
R2 10R 1 Q1 BSS123N 3 2 R4 10k GND GND
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Schaltplan mit Transistoren und Messwerten
+12V 12.17V Q2 BCX51 11.5V 1 2 12.14V R5 680 10.7V J4 Lampe Rot Mitte 2 1 GND R2 10R 0.02V 1 Q1 BSS123N 2 R4 10k GND GND
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Schaltplan mit Transistoren und Messwerten
+12V 12.17V 11.4V 1 Q2 BCX51 3 12.16V 1 R5 680 0.06V 2 J4 Lampe Rot Mitte GND R2 10R 3.15V 1 Q1 BSS123N 3 2 R4 10k 2 GND GND
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PNP High Side Switch
BSS123 durch ESD kaputt. Das passiert bei so kleinen MOSFETs ratzfatz.
Die sind von Mouser und wurden letzten Monat extra für dieses Projekt gekauft. Mouser Nummer: 726-BSS123NH6327 https://www.mouser.ch/ProductDetail/Infineon-Technologies/BSS123N-H6327?qs=XxWtqqdu%2F9GP0hYRwMx53Q%3D%3D
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Ausschnitt eines Leiterplatten-Layouts
10R BSS123N 1 R2 1 Net-(Q1-S) 3 Q1 2 GND 1 R5 2 Net-(Q1-D) 680 1 GND R4 10k +12V BCX51 3 +12V Q2 1 Net-(Q2-B) J4 1 Net-(J4-Pin 1) 2 GND
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Schaltplan einer Transistorsteuerung für eine Lampe
+12V, Q2, BCX51, 1, 3, 2, R5, 680, J4, 1, Lampe Rot Mitte, 2, GND, Q1, BSS123N, 3, 1, 2, R2, 10R, R4, 10k, GND, GND
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Schaltplan einer Schaltung mit Transistoren
VBATT VSYS R1 100k Q1 BSS84 R2 100 RTC DS3231 /INT SQW Manual/Magnet schalter BSS123 Q2 Selbsthaltung R3 100k
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Stromsparende Schaltung Klimalogger auf Basis Rasp Pi Pico
schrieb im Beitrag #8044047: > Könntest du da etwas konkreter werden? Z.B. IRLML2502PbF statt BSS123 und IRLML6302PbF statt BSS84. Beide haben die gleiche Anschlussbelegung und bessere Werte im Datenblatt. Auf der Platine ist "1004" zu sehen, wo im Schaltplan "100k" steht. Manfred P. schrieb
P-FET nicht > niederohmig genug wird und der µC wegen Unterspannung wegstirbt. Seh ich auch so. BSS123 oder BSS138 tun es da wunderbar. >> IRLML6302PbF statt BSS84. > > Der ist immerhin ab 2,7V Gatespannung spezifiziert, aber gibt es denn > nichts niederohmigeres? Für solche Basteleien setze
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Schaltplan einer Transistorschaltung mit MOSFETs und Schalter
.model SW1 SW(Ron=.1 Roff=1Meg Vt=2 Vh=0 ) R2 220K SW1 BSS84 M1 S1 V1 3.3 R1 220K M3 BSS123 C1 1uF R4 1K V2
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Schaltplan mit Transistoren, Kondensator und Reset-IC
, 47R, Q2, BSH203, R23, 10k, C1, 470mF, GND, IC8, NCP803SN438T1G, VCC, RESET, GND, R24, 10k, Q3, BSS123
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MOSFET-Übersicht
0,35 6000 4,5V LL, LIN Rei 0,092 BSS138 SOT-23 div 0,8-1,6 50 0,22 0,36 2000 5V LL, LIN Rei 0,06 BSS123 SOT-23 div 0,8-1,6 100 0,17 0,36 10000 @ 4,5V, 4,5V LL, LIN Rei 0,06 IRFP2907 TO-247AC irf 4,0 75 209 470 4,5 Rei 2,70 2N7000 TO-92 ON 3,0 60 0,2 0,35 5000 4,5V LL, LIN Rei,Kes 0,13 BS107 TO-92 ON,
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Raspberry 4 mit Infineon Profet und BSS123
Michael B. schrieb im Beitrag #7835955: > Ein BSS123 wird mit 3V nicht genug durchschalten. und warum? Der BSS123 hat bei 3V irgendwas um 1,5 Ohm. Beim BTS6133 müssen am Eingang max. 2,2mA gezogen werden. Sollte also passen. Ich denke die Versorgung
zum BSS123 hat eine Vgs die leicht höher aber auch kleiner 3.3V sein. Wäre also ne Alternative - Ich habe die 3 Widerstände und den BSS123 runtergemacht und neue bestückt -> Problem behoben (evtl. Bauteile
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Schaltplan mit LM324N und 4060N ICs
vom PIR high activ R7 220k C2 47k R4 R5 47k R6 470k R2 Q1 BSS123 GND 10k 12 RES 4060N IC1 P1 Q4 7 Q5 6 Q6 5 Q7 4 Q8 14 Q9 13 Q10 15 Q12 3 Q13 2 Q14 1 P0 9 P0 10 R1 220k C1 220p R3 VCC R8 10k Q2 BSS123 GND LL4148 LL4148 D3 IC2 X2-1 13 X2-2 12 X2-3 11 X2-4 10 X1 14
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Steuergerät EGAS / Platine prüfen
Ahmad schrieb im Beitrag #7771247: > JSs 29 BAS21 von Infineon > SAs 20 BSS123 von Infineon > 3FP 20 BC857B von Nexperia > 1G 20 > Z5F > A7p 20 BAV99 von Nexperia > Z7p 20 BZX84B12 von Nexperia > A1p 28 BAW56 von Nexperia > A4p 20 BAV70
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StepUp Regler MC34063 steuern
wieso P-Kanal, wo ist der Vorteil ? N-Kanal haben doch immer einen niedrigeren RDSon-wert, der BSS123 bei ca 5 Ohm, aber der BSS84 liegt bei 10 Ohm
Matthias D. schrieb im Beitrag #7731727: > aber der BSS123 Wie soll das funktionieren, das bildet einen Source-Folger, der verliert so 2V von VCC. Matthias D. schrieb im Beitrag #7731738: > N-Kanal haben doch immer einen niedrigeren RDSon-wert Blöderweise
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Schaltplan mit MC34063AD Spannungsregler
ein/aus => D3 220µ R12 47k IC1 SWC + DC SWE IS 7 TC VCC 4 6 GND CII 5 270p C9 100µ GND R10 0.5R Q2 BSS123 VCC R13 47k zu den LEDs R11 4k7 GND
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Frage zur Schaltung
Es handelt sich schlicht um die normale Kanal-Leakage des Transistors. Ich selbst habe mittels BSS123 Transistoren die LED eines solchen Schiebepotentiometers [1] gesteuert. Im Dunkeln war dann immer ein leichtes Glimmen der ausgeschalteten LED zu sehen. Habe daraufhin einige Tests gemacht: Ich setze BSS123 ein, die ich mal aus "fragwürdiger" Quelle bei ebay oder so gekauft hatte. Habe daraufhin alle Transistoren getauscht gegen "originale" von ON gekauft bei Mouser. Diese hatten das selbe Problem. Im
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Schneller Transistorschalter als komplettes Modul verfügbar?
die hohe Frequenz. Es mag Zufall sein, aber grundsätzlich funktioniert das auch so, derzeit mit BSS123. Leider verlängert der aber die Pulsdauer um 30ns.
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Zweipolige Trennung mit Verpolschutz
einsetze, bleibt trotzdem ein Halbleiterschalter in der Schaltung smawi_relais_red2.PNG, und zwar T3 (BSS123) !!:( Kann ich das Relais sonst ohne Halbleiter ansteuern. Die Logik wäre wie folgt: - richtige Polung + (CRL_EXT=GND) --> Relais schaltet Lastkreis - richtige Polung + (CRL_EXT=3,3V) --> Relais
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LTspice Schaltplan und Simulationsergebnis
400ms 440ms R1 R2 R3 R4 R5 C1 C2 C3 Q1 M1 D1 D2 V2 110V 1k 100k 47p 10k 4.7Meg 820p 1N4148 1N4148 BSS123 NSCW100 .tran 2
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Verkaufen verschiedene SMD/ THD Bauteile
6000 Stk 2EDL8024GXUMA1 Gate-Treiber INT. POWERSTAGE/DRIVER 950 Stk STM BLUENRG-M2SP2 6000 Stk BSS123IXTSA1 MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 8750 Stk BSS138WH6327XTSA1 MOSFET N-Ch 60V 280mA SOT-323-3 4400 Stk BSZ0804LSATMA1 MOSFET TRENCH >=100V 850 Stk INA280A2IDCKT Stromrichtungsverstärker 2.7-V to
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µC direkt mit Schrittmotor Treiber verbinden?
STM32 mit 3.3V arbeitet, würde ich einen IC mit mehreren Mosfets oder einzelne Mosfets nutzen (z.B. BSS123 gegen GND), um die die Ausgänge zu schalten.
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Standardbauelemente
5Ω On-Widerstand veraltete Technik, aber in bastelfreundlichem TO-92 Gehäuse R,D PDF (Fairchild) BSS123 0,05 max 100V, max 170mA (cont.), Thresholdspannung 1,7V, On-Widerstand 1,3Ω SOT23 SMD-FET, auch für 3V3-versorgte Schaltungen bestens geeignet R,D PDF (Fairchild) BUK100-50GL 1,15 Logic-Level Power
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24V Relais - Mosfet Vds
Spulenstrom von 8.3 mA. Sehe ich das richtig, das mir der IRLML6244 kaputt geht (Vds 20V), während ein BSS123 bei 3.3V am Gate, 24V Relais und 8.3 mA gehen sollte...? Danke für eure Nachhilfe! (IRLML6244 und BSS123 sind die beiden Mosfets die ich hier habe, deswegen würde ich gerne einen davon nehmen. Vorher
Der BSS123 ist nicht für 3V Gatespannung spezifiziert, aber bei dem geringen Laststrom wird es dennoch funktionieren.
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AVR + BSS123 + LEDs
dann sicher gesperrt sein. Siehe meinen 17:35h Beitrag. > Ich würde auch auf defekte Gates der BSS123 tippen. Aber wieso wandert der Fehler dann beim BSS123 Tausch von blau -> grün nicht mit?
sie es. BSS123 gibt es von mindestens 17 Herstellern, die meisten aus China.
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Schneller, stromsparender PowerMOS Optokoppler-Treiber (LT Spice sim angehängt)
was hauptsächlich durch das Umladen der 5nF bedingt ist. Hohe Querströme des Treiber-Inverters (BSS123 & BSS84) werden durch die Common-Gate Stufen vermieden. Geschwindigkeiten der Optokoppler wird ebenfalls mittels Kaskodensufen maximiert. Flankensteilheit (10-90%) bei 5nF Gatekapazität beträgt
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LED an zwei Spannungsquellen anschließen
der Pin als Eingang geschaltet ist. Als Transistor kannst du einen ganz kleinen nehmen, wie den BSS123, reicht vollkommen aus, kostet nichts und nimmt nur mittelmäßig viel Platz weg.
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Open Drain in LTSpice simulieren -> Problem der FET zieht nicht auf GND
Pullup auf 100 Ohm und als MOSFET einen BSS123 würde ich mal versuchen.
finden, der das kann. R2=1k geht ganz gut z.B. mit kapazitätsarmen Typen, wie dem Si1555, dem BSS123 oder dem RJU002N06 und noch einigen anderen. Alternativ: weg vom FET, hin zu einem NPN. Der BC547 kann das auch bei 10k (zumindest in der Simulation), besser jedoch auch bei 1k am Kollektor.
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Max3232 Lowside wegen Leckstrom
Hallo Falk, danke fürs Drüberschauen und den Hinweis zum R12. Bisher hatte ich den BSS123, aber der BSS138 passt noch besser! LG Duddi
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MOSFET Schaltung
schon, sogar ganz offiziell. Er muss > in der > Anwendung ja nur ganz wenig Strom schalten. BSS123 natürlich.
Vielleicht hat der TO beim Aufbau das eine oder andere Gate > elektrostatisch gekillt. Kann bei den BSS123 leicht passieren, nur 72pF Ciss.
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Induktiver Näherungsschalter
Kontakt auf den Ausgang geschaltet dann über einen Spannungsteiler auf 4,7V runter wird dann mit einem BSS123 bei Kontakt auf den Pin vom µPC als High Pegel gelegt. So weit so gut. Nach den ganzen Kommentaren bin ich auch nicht viel schlauer zu gegenzätzlich die Meinungen. Bin jetzt 69 Jahre und
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Frage zu Ansteuerung von H-Brücke
mehr als 10V Gatespannung rüberkommen? Und was spricht dagegen, den NPN durch einen FET, z.B. BSS123, zu ersetzen und den Emitterwiderstand wegzulassen?
4. Kompilat: Source des P-FET vs. Drain des P-FET (Motor angeschlossen), unten mit NPN, oben mit BSS123. Die Signale am Gate des P-FET sehen schon sehr unterschiedlich aus, da wirken sich die unterschiedlichen Emitterwiderstände bzw. die Verwendung eines FET/BSS123 deutlich aus. Zu meiner Überraschung
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DC-Motor über Gegen-EMK-Spannung regeln
Betriebsspannung brauchen. Habe gerade mal eine alte Platine (ohne Schaltplan) überflogen, dort ging es per BSS123 und RC-Glied. Also wurde dauerhaft während der Pause gemessen, wobei sogar die Gegeninduktionsspannung mit einbezogen wurde. Die Schaltung regelte aus dem Gedächtnis heraus trotzdem hervorragend, auch
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Atmega16-Spannungsvervielfacher/Steuerung || Kurze Schaltplandurchsicht+Verbesserungsverschläge
Resonatoren. Siehe Fußnote 1) Matze schrieb im Beitrag #6153415: > Soll ich die Treiberstufe (BSS123) dann zum DCF77 setzen? Die gefällt mir nur halb, weil sie nur einseitig stark ist (nach GND ziehen). Da bekommst du dann auch wieder schnell Stress mit elektromagnetischen Störungen. Nimm lieber
läuft. Stefan ⛄ F. schrieb im Beitrag #6153456: > Matze schrieb: >> Soll ich die Treiberstufe (BSS123) dann zum DCF77 setzen? > > Die gefällt mir nur halb, weil sie nur einseitig stark ist (nach GND > ziehen). Da bekommst du dann auch wieder schnell Stress mit > elektromagnetischen Störungen.
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PWM mit IRF9362PbF
Sorry, am Gate ist noch ein BSS123 https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BSS123-D.PDF geschaltet. An dessen Gate liegt PWM an.
daher fließen da nur ein paar mA. Das problem ist nun aber ich müsste also an den DRAIN from BSS123 gehen und den P-FET "überspringen" oder? Die Schaltung kann also nicht so bleiben oder?
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Längstwellenempfänger bauen? (z.B. SAQ 17,2kHz)
es in der Simulation nicht wie gewünscht funktioniert hat. Auch bei der Verwendung eines Fets wie BSS123 sind die Ausgänge nicht symetrisch. Der Ausgang am Emitter bzw. Source hat eine viel geringere Impedanz. > der Tiefpaß (R18,C9) Der soll Schaltspitzen etwas wegglätten. Könnte man möglicherweise
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PIC-I/O als input/tristate für weiteren output nutzen
, daß die verwendeten BSS123 schon seit 15 Jahren in der Koste liegen und anscheinend "schlecht" geworden sind (;-) - sie sterben schon beim scharfen Anblicken) funktioniert das ganze wie es soll. Die Diode läßt sich auch durch einen mit G/S parallel zum unteren BSS123 geschalteten dritten BSS123 ersetzen. Darlington: Verwendet wie gesagt BCV27 als "Ersatz" für den bedrahteten BC517. Die Diode mußte ich durch eine BAT42 (oder in SMD BAT85) ersetzen. Der Spannungsteiler
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Halbleiter von diversen Herstellern
ist das eher so wie bei den Generica bei den Arzneimitteln. Das Patent (falls vorhanden) auf den BSS123 ist abgelaufen und jetzt können Hersteller den nachbauen? Wer garantiert, das der BSS123 von NXP die gleichen Daten hat wie der BSS123 von On? Oder werden alle BSS123 dieser Welt in einer Fab
JIS etc..) welche Bauteile normen um die Vergleichbarkeit unter den Herstellern zu ermöglichen. BSS123 hört sich sehr nach EECA/Pro-Electron Bezeichnung an.
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Klimakammer defekt
BSS123 hat Marking SA. Könnte passen. https://www.taitroncomponents.com/catalog/Datasheet/BSS123.pdf
Cyblord -. schrieb im Beitrag #5761894: > BSS123 hat Marking SA. Könnte passen. > > https://www.taitroncomponents.com/catalog/Datasheet/BSS123.pdf Danke, das sieht gut aus!
