C20 mit 1uF ist mMn zu klein - DS zeigt 10uF + 1uF am IC; auch SS ist im DS 10nF statt 100nF
Beitrag #8089437: > C20 mit 1uF ist mMn zu klein - DS zeigt 10uF + 1uF am IC; > auch SS ist im DS 10nF statt 100nF Ich kann es nochmal mit 10µF extra probieren, Vstartup flattert ja schon etwas auf dem Oszi. Danach ist es aber wieder DC. Wenn der Softstart länger ist, sollte das doch eher helfen
signal is inverted by U16A to fire SCR Q12. When that device fires, the over voltage indicator LED, DS10 turns on to assist in troubleshooting an error condition in event of a power supply over voltage problem. The SCR ensures that the indicator will remain on until the power supply is completely turned
funktioniert super. Bei wieviel Strom? Ein paar Ampere kann der da schon noch, aber nicht die für U_DS=10V spezifizierten 50A bzw. mit einem R_DS(on) von unter 10 mΩ.
> Bei wieviel Strom? Bei 3A. Rainer W. schrieb im Beitrag #7948821: > aber nicht die für U_DS=10V > spezifizierten 50A bzw. mit einem R_DS(on) von unter 10 mΩ. Ich glaub die braucht Sam auch nicht: Sam schrieb im Beitrag #7946587: > Die Vibrationsmotoren (3–5 V, ca. 67 mA) Das sollte
Mode N-Channel Power MOSFET Electrical Characteristics Diagrams 20 100 Tj= 25 ℃ 6 V V = 10 V 5.5 V DS 10 V ) T j 25 ℃ A 10 ) 15 8 V n ( r n u e c u i 1 c 10 r i D r ID D 5 V 0.1 ,D I 5 0.01 V GS4.5 V 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 V , Drain-source voltage (V) V , Gate-source voltage(V) DS GS
NTS4409N, NVS4409N TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TJ= 25°C unless otherwise noted) 3.2 3.2 8 V TJ= 25°C V DS≥ 10 V ) ) P 4.5 V P M2.4 3 V M2.4 ( ( T 2.5 V V = 2 V T N GS N R R R1.6 R1.6 U U C C I I R R D,.8 D,.8 ID VGS = 1.5 V ID 25°C TJ= 125°C TJ= −55°C 0 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0 0.8 1.6 2.4 3.2 4 VDS, DRAIN−
5. Dynamic o l Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit b g fs1) transconductance -V DS= 10 V, D= 0.5 A 0.6 S ) Ciss Output capacitance V = 25 V, f = 1 MHz, 43 pF Coss Reverse transfer VGSS= 0 20 pF Crss capacdtance 6 pF d(on) rurn-on delay time 5 ns tr P Rise time V DD= 30 V,DI = 0.5 A 15
bodies 3. W＞0.1mm, L＞2mm, not allowed. 1. D＜0.20mm, negligible; Bubble in 2. 0.20mm＜D≤0.30mm，N≤4 and，DS＞10mm; Slight 3. 0.30mm＜D≤0.35mm，N≤3 and，DS＞10mm; OCA defect 4. 0.35mm＜D, fault. (Guarantee area: within 0.2mm outside VA) Spotted: 1. D≤0.2mm and it is not a piece, it is not counted; 2. 0.2mm＜D≤0.5mm
GS= -12V Q Total Gate Charge ––– 8.0 12 I = 4.0A g D Q gs Gate-to-Source Charge ––– 1.8 2.7 nC V DS= 10V Q gd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 1.7 2.6 V GS= 5.0V d td(on) Turn-On Delay Time ––– 7.5 ––– V DD= 10V t Rise Time ––– 10 ––– I = 1.0A r ns D td(off) Turn-Off Delay Time ––– 54 ––– R G 6Ω tf
10A r 10 s f n 60 n TA= 25˚C O r 25˚C e 50 T 75˚C r r 150˚C o 40 w 1 S o t 30 F i - r 20 f D 10 | V DS=10V ) 0.1 Pulsed ( 0.01 0.1 1 10 100 D 00 5 10 15 R D- Drain Current - A V GS- Gate to Source Voltage - V DRAIN TO SOURCE ON-STATE GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs. RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT CHANNEL
40 Pulse Width ≤ 1 µs C Duty Factor ≤ 0.1 % i r 30 D , Fig 10a. Switching Time Test Circuit I 20 V DS 10 90% 0 25 50 75 100 125 150 175 TC, Case Temperature ( C) ° 10% VGS d(on) tr td(off)f Fig 9. Maximum Drain Current Vs. Case Temperature Fig 10b. Switching Time Waveforms 10 )C h t ( 1 D = 0.50 e n o
interessiert dich auch dieses PDF, es stammt von hier: https://www.eevblog.com/forum/projects/rigol-ds10xxz-firmware-re-write/msg1202261/#msg1202261 Peter
current IDSS DS GS μA VDS = 60 V, VGS = 0 V, TJ= 70 °C - - 10 a On-state drain current ID(on) V DS≤ 10 V, VGS = 10 V 8 - - A V = 10 V, I = 5.2 A - 0.0330 0.0409 Drain-source on-state resistance a R DS(on) GS D Ω V GS = 4.5 V,DI = 4.6 A - 0.0430 0.0516 a Forward transconductance gfs VDS = 30 V, D = 5.2
GS= -12V Q Total Gate Charge ––– 8.0 12 I = 4.0A g D Q gs Gate-to-Source Charge ––– 1.8 2.7 nC V DS= 10V Q gd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 1.7 2.6 V GS= 5.0V d td(on) Turn-On Delay Time ––– 7.5 ––– V DD= 10V t Rise Time ––– 10 ––– I = 1.0A r ns D td(off) Turn-Off Delay Time ––– 54 ––– R G 6Ω tf
CH 5 ns WE# pulse width tWP 8 ns ALE setup time tALS 10 ns ALE hold time tALH 5 ns Data setup time DS 10 ns Data hold time t 5 ns DH Write cycle time t 20 ns WC WE# high hold time tWH 10 ns Data transfer from cell to register tR 90 us ALE to RE# delay AR 10 ns CLE to RE# delay tCLR 10 ns Ready to RE#
Drain-source breakdown voltage V I = 10 mA, V = 0 V 600 V (BR)DSS D GS Gate threshold voltage Vth V DS= 10 V,DI = 0.31 mA 2.7 3.7 Drain-source on-resistance RDS(ON) V GS= 10 V,DI = 3.1 A 0.68 0.75 Ω 6.2. Dynamic Characteristics (T = 25 unleas otherwise specified) Characteristics Symbol Test Condition
Drain-source breakdown voltage V I = 10 mA, V = 0 V 600 V (BR)DSS D GS Gate threshold voltage Vth V DS= 10 V,DI = 0.31 mA 2.7 3.7 Drain-source on-resistance RDS(ON) V GS= 10 V,DI = 3.1 A 0.68 0.75 Ω 6.2. Dynamic Characteristics (T = 25 unleas otherwise specified) Characteristics Symbol Test Condition
XCALL macro dest LCALL dest endm XJMP macro dest LJMP dest endm endif $list dseg at 0x08 OverLay: DS 10 ; Keil C Overlay Ram for local vars bseg at 0 bWrProtect: DBIT 1 ; 1 disables CodeFlash writing bVerifyErr: DBIT 1 ; 1 when verify failed new v2.40 bSoftReset: DBIT 1 ; 1 for executing software reset
Dürfen tun sie, aber die Frage ist doch, ob sie fliessen müssen. Wenn ich das Datasheet der DS10x20 richtig verstehe, dann liegt der Stromverbrauch ausserhalb der Messphase im einstelligen µA-Bereich. Pro Device am Bus. Die Obergrenze des Widerstands definiert sich neben den Ruheströmen wesentlich
V, GS = 0 V 1 Zero Gate Voltage Drain Current DSS V = 192 V, V = 0 V, T = 55 °C 10 µA DS GS J V DS10 V, GS = 10 V 0.8 On-State Drain Current ID(on) A VDS 10 V, GS = 4.5 V 0.5 VGS 10 V,DI = 0.3 A 2.2 4 a R V 4.5 V, I = 0.2 A Drain-Source On-State Resistance DS(on) GS D 2.3 4 VGS 2.5 VD I
- mV/C Reference to 25C, ID=250μA V GS(th) 2.0 - 4.0 V V DS = V GSI D250μA *G FS - 14.5 - S V DS =10V, ID=10A IGSS - - ±100 nA V GS20V IDSS - - 1 μA V DS =80V, V GS =0V - - 5 V DS =80V, V GS =0V, Tj=55C *R DS(ON) - 11 13.8 m Ω V GS =10V, ID=11A Dynamic *Qg - 42 - *Qgs - 13 - nC V DD0V, I =2DA,V =
umschalten. Ich habe einen Kunden, der das in einer preissensitiven Anwendung so gelöst hat. Der Treiber (DS10-Serie, industrietaugliche Steuerung) kann alternativ zu einem externen Takt mit zwei umschaltbaren, intern erzeugten Taktraten betrieben werden. Da wird der Motor erst mit dem niedrigen Takt gestartet
1 µs r u0 Duty Factor ≤ 0.1 % C n n a a r 20 Fig 10a. Switching Time Test Circuit D ,0 , ID ID V DS 10 10 90% 025 50 75 100 125 150 175 025 50 75 100 125 150 175 T C Case Temperature ( C) ° 10% T C Case Temperature ( C) ° V GS d(on) tr d(off)f Fig 9. Maximum Drain Current Vs. Fig 10b. Switching Time
This enables the structure to be altered. EMPLOYEE_INFO: .MACRO APG1,ARG2,ARG3 ARG1: .DS 30H ARG2: .DS 10H ARG3: .LONG .ENDM EMPLOYEE INFO NAME,DEPARTMENT,DATE_HIRED .END The macro section also allows substitution into the mnemonic field. Also, a label can be generated within the macro with the # sign.
Drain-source breakdown voltage V V (BR) DSX ID= 10 mA, GS = −20 V 45 ⎯ ⎯ Gate threshold voltage V th V DS= 10 V,DI = 1.0 mA 1.3 ⎯ 2.3 V V GS= 4.5 VD I = 18 A ⎯ 4.8 7.1 Drain-source ON-resistance RDS (ON) mΩ V GS= 10 V,DI = 18 A ⎯ 4.3 6.6 Forward transfer admittance |Yfs V DS= 10 V,DI = 18 A 59 118 ⎯ S Input capacitance Ciss ⎯ 5800 7540 Reverse transfer capacitance Crss V DS= 10 V, GS= 0 V, f = 1 MHz ⎯ 210 315 pF Output capacitance Coss ⎯ 650 ⎯ Gate resistance rg V DS= 10 V, GS= 0 V, f = 1 MHz ⎯ 1.0 1.5 Ω Rise time tr ⎯ 3.6 ⎯ V 10 V ID= 18 A GS 0 V VOUT Turn-on time ton Ω
5 VM VC3 16 R8 1K 3 6 CHG VC4 15 R9 1K 4 DSG VC5 5 7 DSD GND 14 GND 6 8 13 9 CDC SEL0 12 CELL RS2 DS 10 RS1 TS 11 V V V A r V V V V V V 2 2 1 1 SH367105 2 3 e 5 2 2 2 2 2 4 4 3 1 1 e 5 4 4 4 4 4 0 0 0 Z 2 0 0 0 0 0 1 1 1 2 1 1 1 1 1 1 0 1 C 4 5 6 7 8 9 2 3 1 1 2 3 2 C C C C C C C C R R 1 1 D R14 0.005
größer Festplatten benutzt werden können, oder ob bei 3 TB Schluß ist, Ich habe den Vorgänger DS10j, und verwende dort WD Red in 4TB ohne Probleme.
Andreas S. schrieb im Beitrag #6366799: > Ich habe den Vorgänger DS10j, und verwende dort WD Red in 4TB ohne > Probleme. Danke für die Info. Wenn ich an die Speichergrenze komme werde ich es größere Festplatten versuchen bevor ich auf ein neueres Modell umsteige.
Gate-source leakage current IGSS V GS=20 V, V DS=0 V - - 10 nA On-state drain current IDSS V GS=0 V, V DS=10 V 30 - - mA Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=0 V, ID=15 mA - 12.5 30 Ω V GS=10 V,I D0.1 mA - 7.8 14 |V DS|>2|D |RDS(on)max Transconductance gfs ID=0.08 A 0.060 0.13 - S Threshold voltage
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