BIAS CURRENT ON REGULATION PIN Pentawatt® TO-3 (4 lead) LOW STANDBY CURRENT DRAIN DESCRIPTION The L200 is a monolithic integrated circuit for volt- 60 V) make the L200 virtually blow-out proof. age and current programmable regulation. It is The L200 can be used to replace fixed voltage available in Pentawatt
LOWBIAS CURRENT ON REGULATIONPIN Pentawatt∪ TO-3(4 lead) LOWSTANDBY CURRENT DRAIN DESCRIPTION The L200 is a monolithic integratedcircuit for volt- 60 V) makethe L200 virtually blow-outproof. age and current programmable regulation. It is The L200 can be used to replace fixed voltage available in Pentawatt
LOWBIAS CURRENT ON REGULATIONPIN Pentawatt∪ TO-3(4 lead) LOWSTANDBY CURRENT DRAIN DESCRIPTION The L200 is a monolithic integratedcircuit for volt- 60 V) makethe L200 virtually blow-outproof. age and current programmable regulation. It is The L200 can be used to replace fixed voltage available in Pentawatt
Um den Transistor zusätzlich vor zu hoher Leistung zu schützen, montiert man den L 200 auf das gleiche Kühlblech. Damit wird erreicht, daß durch die thermische Abschaltung des L 200 eine Zerstörung des Transistors vR4 = L@ / 0.3 A 2: 2.2 a.durch den L 200 wird mit R4 bestimmt und sollte
APPLICATION NOTE A DESIGNER’S GUIDE TO THE L200 VOLTAGE REGULATOR Delivering 2 A at a voltage variable from 2.85 V to 36 V, the L200 voltage regulator is a versatile device that simplifies the design of linear supplies. This design guide describes
APPLICATION NOTE A DESIGNER’S GUIDE TO THE L200 VOLTAGE REGULATOR Delivering 2 A at a voltagevariablefrom 2.85V to 36 V, theL200 voltageregulator isa versatile devicethat simplifies thedesign of linearsupplies. This designguide describes the operation
Zellenspannung so hoch sein, daß der einstellbaren Span- für den Bleigel-Akkula- das Ladegerät sicher L200 (wegen R6) in die Strombegren- nungsregler L200 als der. Die Werte in Klam- über den gesamten zung geht. Dieser Zustand dürfte Schaltzentrale der mern gelten für die 6-V- vom Hersteller erlaub- einige
positive) liegt, wird der Sollwert der Überraschung groß: Denn bei diesem Ausgangsspannung auf Pin 4 des L200 Netzteil lässt sich die Ausgangsspannung gegeben. von (echten) 0 ... 18 V und die Für die Strombegrenzung ist IC2 (741) Strombegrenzung von 0 ... 1,8 A stufenlos zuständig. Der Spannungsabfall am einstellen
IOPL 2 V = 2.5V 0.5 2 ― 6−5 V = +15V, V = −15V “H” level V OH 4 CC1 EE1 11 12.8 ― Output voltage R L 200Ω, IF= 5mA V “L” level VOL 5 V CC1= +15V, VEE1= −15V ― −14.2 −12.5 R L 200Ω, V F 0.8V V CC= 30V, F = 10mA ― 7 ― “H” level ICCH ― Ta = 25°C V CC= 30V, F = 10mA ― ― 11 Supply current mA V CC= 30V, F =
1) A IF=0 L ”level OPL 2 0.1 0.2 ― V6▯5 = 2.5V V CC1= +15V, VEE1 = 15V H ”level VOH 4 11 13.2 ― R L 200Ω, IF= 5mA V Output voltage V = +15V, V = 15V L ”level VOL 5 CC1 EE1 ― 14.5 12.5 R L 200Ω, V F 0.8V V CC = 30V,FI = 10mA H ”level I ― ― 7.5 ― CCH Ta = 25°C V CC = 30V,FI = 10mA ― ― 11 Supply current
Baseband Range (~200kHz to 12MHz) Don't Care Region Baseband [FBB_H-FBB_L] Fsw= 400kHz or 2.2MHz FBB_L= 200kHz FBB_H= 12MHz F_DCDC_Ripple Fsw= 18MHz Frequency MPS
Steigung der Spindel Dip/Micro Switch Set Umdrehung x Schritt / Stgrbl Eintrag MS 1 MS 2 MS 3 L L L 200 x 1 2 100 H L L 1/ 2 2 200 L H L 1/ 4 2 400 H H L 1/ 8 2 800 H H H 1/16 2 1600
+ 0.1V to V l 170 600 μV – + Input Offset Voltage Match (Channel-to-ChanCM= V + 0.1V, V (Note 5) l 200 900 μV IB Input Bias Current V CM= V+ l 0 275 780 nA V = V + 0.1V l –780 –275 0 nA CM ΔIB Input Bias Current Shift VCM= V + 0.1V to V l 550 1560 nA + Input Bias Current Match (Channel-to-ChannVCM=
Application PWM Dimming Controlled OFF OFF OFF LED+ H Vin RCD-48-x.xx First LED PWM GND ON ON ON L 200Hz Last Max Vref LED Analogue LED- Io PWM ON/OFF 0 Dimming Controlled by Analog Voltage Lighting/Backlighting Wall Application 5.0 LED+ LED2 Vin LED1 ) 4.0 nal First e ogVlag RCD-48-x.xx LED l 3.0 e
variiert je nach Schichtdicke, Art der Verarbeitung und Trocknung) : 1000 - 2000 Ω 6. GEBINDE 15 l, 1 l 200 ml, 400 ml Die Inhalte dieses Merkblattes basieren auf Anwendungserfahrungen und/oder Labortests. Aufgrund der Vielzahl unterschiedlicher Anwendungen und Rahmenbedingungen, empfehlen wir stets die
– 40°C : Gt 0 – 1 nach 6h bei + 60°C : Gt 0 – 1 nach 0,5h bei 100°C : Gt 0 – 1 6. GEBINDE 5 l, 1 l 200 ml, 400 ml Die Inhalte dieses Merkblattes basieren auf Anwendungserfahrungen und/oder Labortests. Aufgrund der Vielzahl unterschiedlicher Anwendungen und Rahmenbedingungen, empfehlen wir stets die
600 VS= 5 V 0.5-V Step VS= 5 V ) G = 1 V/V 2-V Step G = 2 V/V ( 1 RF= 2 k 500 R F 2 k g RL= 2 k R L 200 l s o 0.5 / 400 t ( p t u 0 a 300 l R i l n −0.5 S 200 r i D −1 100 Rising Falling −1.5 0 0 20 40 60 80 100 0 1 2 3 4 5 Time (ns) G029 DifferentiaOUT(V) G030 Figure 37. Figure 38. DIFFERENTIAL SLEW
Figure 19B. Low Level Output vs. Voltage 500 500 A 400 A 400 t t e e u u C 300 C 300 a a a a L L l 200 l 200 u u t t f f O 100 O 100 Max. Max. 0 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 0 100 200 300 400 500 Temperature (°C) VB Boost Voltage (V) Figure 20A. Offset Supply Current vs. Temperature Figure 20B. Offset
15A. Low Level Output vs. Temperature 1.00 500 0.80 A 400 V ( e n t r V0.60 C 300 u g t k O L v0.40 l 200 L p w S L s 0.20 O100 M ax. Max. 0.00 0 10 12 14 16 18 20 -50 -25 0 25 50 75 100 125 VBIASSupply Voltage (V) Temperature (°C) Figure 15B. Low Level Output vs. Voltage Figure 16A. Offset Supply Current vs. Temperature 500 500 ) µ 400 400 t e A u ( e 300 n 300 a r e C L l Max. l 200 u 200 u S t V f Typ. O 100 Max. 100 0 0 0 100 200 300 400 500 600 -50 -25 0 25 50 75 100 125 V Boost Voltage (V) IR2110 IR2113 B Temperature (°C) Figure 16B. Offset Supply Current vs. Voltage Figure
Storage for within the temperature -20C~ 60C for within the humidity <75% 3.11 Energy Density Wh/L ~200 Wh/Kg ~90 3.12 Weight of Bare Cell ~2.5g 3.13 Charge State Internal Impedance <600mOhms 4.Appearance Appearance shall be free from any remarkable scratch,flaws, rust, discoloration or electrolyte leakage
curve will be changed by resistance, repetition,, ( 80 duty and operating temperature. e e 60 1k L 200W e 40 w 100 P 20 20W +155C 0-25 0 25 75 100 150 200 10 10n 100n 1u 10u 100u 1m 10m 100m 1 10 Flange Temperature (°C) (seconds) Rating Power(W), with 2.8°C/W heat sink. A C G Power Rating Notes - The
Storage for within the temperature -20C~ 60C for within the humidity <75% 3.11 Energy Density Wh/L ~200 Wh/Kg ~90 3.12 Weight of Bare Cell ~2.5g 3.13 Charge State Internal Impedance <600mOhms 4.Appearance Appearance shall be free from any remarkable scratch,flaws, rust, discoloration or electrolyte leakage
Ramp-up Rate (TLto TP) 5°C/second Maximum Time Maintained Above: - Temperature (TL) 150°C - Time (tL) 200 Seconds Maximum Peak Temperature (TP) 245°C Maximum Target Peak Temperature (TPTarget) 245°C Maximum 1 Time / 235°C Maximum 2 Times Time within 5°C of actual peak (tp) 5 seconds Maximum 1 Time / 15
Current versus Figure 4. Logic Input Threshold Voltage ) Input Voltage ) versus Temperature ( ( Y Y L 200 L 200 D V = 12 V Overdrive Voltage is with Respect D Overdrive Voltage is with Respect V = 12 V N C = 1.0 nF to the Logic Input Lower Threshold N to the Logic Input Lower Threshold C = 1.0 nF T 160
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