CEO 1 EMITTER 2N5088 30 2N5089 25 Collector − Base Voltage VCBO Vdc 2N5088 35 TO−92 2N5089 30 CASE 29 Emitter − Base Voltage VEBO 3.0 Vdc STYLE 1 Collector Current − Continuous C 50 mAdc 1 1 2 2 Total Device DissipationA
brauche ich Infos (Ersatzteilbeschaffung) zu einem Bauteil: laut schlecht lesbarem Schaltplan ein N-channel depl. MOSFET (keine Type angegeben). Das TO-92 Gehäuse ist wie folgt beschriftet: Si 5088 9340 Irgendwie findet Google nur Datenblätter zu NPN-Transistoren, die "5088" enthalten. Kann
schrieb im Beitrag #7582565: > Noise Figure > (I C = 100 µAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 k, f = 1.0 kHz) 2N5088 Ich berechne mal aus den Angaben der Rauschspannungen- und ströme des 2N5088 die Rauschzahl, die ja auch im Datenblatt angegeben ist. Alle Rauschspannungs- und -stromwerte auf 1 Hz Bandbreite bezogen: Rauschspannung Quelle 1 kOhm: 4 nV Daten des 2N5088 bei IC = 0,1 mA, 1 kHz: Noise Voltage (Figure 3.): ~4,5 nV Noise Current (Figure 4.): ~0,35 pA Rauschstrom-generierte Rauschspannung an 1 kOhm: ~0,35 nV Alle drei Rauschspannungen
nicht annähernd so gut funktioniert. Mit den BC550C erhielt ich immer eine Offset Spannung von etwa 2V am Ausgang. Ich habe auch mehrere BC550C ausprobiert (ca. 20 Stück) um ein möglichst gutes "Päärchen" zu finden aber der Offset blieb immer bei etwa 2V. Mit den 2N5088 funktioniert es jedoch perfekt. die Offset Spannung liegt jetzt nur noch im mV Bereich. Auch mit verschiedenen 2N5088 ändert sich nicht viel. Kann mir jemand sagen warum das so ist. Auf welche Transistor-Parameter kommt es hier eigentlich drauf an? Oder liegt es am TL072? Vielen Dank schon mal. MfG
Animation/Sound muß man nicht banken, den kann man an beliebige IOs ranpappen oder auch seriell (SPI, I2C). Peter
werden Genau das hatte ich ja mittels Links statt eigener Worte erklärt. Chris spricht aber von 2 Banks, also 128k. Wir reden aber von noch mehr, nämlich 320 oder gar 640. 2 Banks zu 64 langen da nicht. Da bleibt bei den von Chris genannte 2 Banks noch etliches übrig. Was damit ist, hat er unbeantwortet
Peter N. schrieb im Beitrag #7994070: > Die ich meine, sehen aus wie lange Glimmlampen mit 2 Anschlüssen an > einer Seite. Das sind z.B. IN13 (ИН-13), siehe https://www.tube-tester.com/sites/nixie/dat_arch
Ich hab das Ganze mal aufgebaut mit den Teilen die noch in der Kiste waren (TL072 und 2N5088, Versorgung +-12V). Und zumindest das Signal nach dem Gleichrichter sieht auf dem Oszi ok aus. Wenn kein Signal am Eingang anliegt geht die Röhre auf Vollausschlag. Das entspricht auch der Simulation
Ist zu ergründen, warum der Schaltregler abstellt. Seltsam auch, dass der N-Kanal der aktiven Diode durchschaltet und die Eingangsspannung am Ausgang anliegt.
Boris O. schrieb im Beitrag #4543544: > Seltsam auch, dass der N-Kanal der aktiven Diode durchschaltet Naja, die Bodydiode des M2 leitet ja sowieso /immer/, auch wenn der Transistor überhaupt nicht angesteuert wird. Das sieht man sehr schön im Schaltplan... Ich
Ich habe mir einen MC Vorverstärker mit Transistoren aufgebaut. Da sind 2N4401 und 2N4403 verbaut. Als ich den Verstärker angeschlossen habe und einschaltete, dachte ich erst, er funktioniert nicht. Man hört nichts, der ist völlig ruhig. Kein Rauschen obwohl ja noch die Phono-Stufe
im Beitrag #7920038: > Ich habe mir einen MC Vorverstärker mit Transistoren aufgebaut. > Da sind 2N4401 und 2N4403 verbaut Ich sehe gerade dass es die Transistoren auch im SOT23 Gehäuse gibt. Danach wurde ja gefragt. Die heißen dann MMBT4401 bzw. MMBT4403 und gibt es von Onsemi. Hab ich mal
Format zu beachten. Excellon Daten werden ohne Dezimaltrenner ausgegeben. Aus 12345 wird bei mn 2,3 12,345 Aus 12345 wird bei mn 3,2 123,45 usw. Das läßt sich beim Import meistens einstellen.
140km. Die Resonanzfrequenz 1.3MHz ergibt sich rechnerisch, wenn man vereinfacht annimmt, dass die 1nF "im Stück" über L anliegen. Das ist jedoch nicht der Fall. Die Leitungskapazität liegt verteilt über die gesamten 10m. Mit dem nanoVNA sieht man eine Resonanz bei 2.1MHz, gemessen mit einem 1:1-Balun
Schaltung von LZ1AQ ist eh alle Mühe umsonst... Ich hatte in der Tat am Anfang mit LTSpice und 2N2222-Transitoren simuliert und einen Eingangswiderstand ermittelt. Weiß aber nicht mehr genau, was das herausgekommen war. Es klingt so, als wüsstest du mehr über die Schaltung von LZ1AQ???!!! Bei
Alle Drähte auf ein vernünftiges Minimum kürzen. Rechenbeispiel: Ein Abblock-KerKo (100nF) hat zwei Anschlussdrähte von 2.5cm Länge. Die gesamte Drahtlänge ist 5cm, das sind etwa 35nH. 1/(2*Pi*wurzel(35nH*100nF)) = 2.7MHz (!!!) In Worten: Ein 100nF-Abblock-KerKo, der
habe mir jetzt einmal Transistoren besorgt welche für niedrige Frequenzen gedacht sind (namentlich 2N5210 und MMBT5088L).
auf Grundeinsatz" verfolgt, sollte sich das so simulieren lassen: [code]E = 10 ;Grundeinsatz n = E G = -n ;Gewinn, beginnt mit -Grundeinsatz S = 0 k = 0 Repeat z.l = Random(36, 0) S + 1 If z > 18 ;wenn gewonnen, 0 = Zero, 1..18 Rot, 19..36 Schwarz G = G + 2 * n ;Gewinn
k + 1 If k > 1000 ;nach 1000 Serien Debug "1000 Serien" Break Else n = E ;Einsatz wieder auf Grundeinsatz G = G - n ;Gewinn um neuen Einsatz vermindern EndIf Else Debug "Bisheriger Gewinn: " + G n = 2 * n ;Einsatz verdoppeln
1 2 3 4 A A SS13 B PISS1301 PIUA103J PIUA102 B 2 PISS1302 2 I A O K0 2 VCC P2 C0OCK2 RK24 P0 CCOCK2 Stiftleiste 2pol CE1100n P0 K140R CEC100n P1 C1 UA1A K0 P1 GND RK25 GND GND 390R GNDGND K1 GND C C D D
HEXFET Power MOSFETs, Q 5, Q6have a temperature coefficient of -0.3%/°C. Components List R 1 4.7K R 9 2.7K C 1 220 pF Q 1 Q ,2 2N4356, 2N5086 R 2 47K R 10 680 C 2 100 F 10V or equivalent R 3 15K R 11 10K C 3 47 F 40V Q 3 , Q4, 2N4410, 2N5088 R 4 1.2K R 12 1K Pot. C 4 47 F 40V or equivalent R 5 560 R 13
calculation. C6 D D D D D D B B B B B B D D D D D D D D D D 1 1 1 1 1 1 B B B B B B B B B B 5 4 3 2 1 0 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 CRC Factory defined 1 C1 2 C2 3 C3 4 C4 5 C5 6 Memory PROM mapping C Code example for CRC-4 calculation: unsignedchar crc4(unsignedintn_prom[]) // n_promdefinedas 8x unsigned
S = Start Condition W = Write A = Acknowledge From Slave P = Stop Condition R = Read N = Not Acknowledge 2 Figure 14: I C ADC read sequence 1 1 1 0 1 1 CSB1 0 X X X X X X X X 0 X X X X X X X X 0 X X X X X X X X 0 Device Address data data data S Device Address R A Data 23-16 A Data 8 - 15 A Data 7 - 0 N P From Master S = Start Condition W = Write A = Acknowledge From Slave P = Stop Condition R = Read N = Not Acknowledge 2 Figure 15: I C answer from MS5611-01BA CYCLIC REDUNDANCY CHECK (CRC) MS5611-01BA
type fusectl), uses genfs_contexts [ 96.506070] Bluetooth: HIDP (Human Interface Emulation) ver 1.2 [ 396.539133] TCP lp registered [ 5088.910117] usb 3-2: new full-speed USB device number 4 using uhci_hcd [ 5089.041324] usb 3-2: New USB device found, idVendor=0409, idProduct=0063 [ 5089.041334
15 - 8 A Memory bit 7 - 0 N P From Master S = Start Condition W = Write A = Acknowledge From Slave P = Stop Condition R = Read N = Not Acknowledge 2 Figure 12: I C answer from MS5611-01BA DA5611-01BA01_006 www.meas-spec.com Jul
MMBT8599 Mot N - 2N4125 Vce 80V pnp 2X SO4401 SGS N SOT23 2N4401 2X MMBT4401 Mot N SOT23 2N4401 p2X PMBT4401 Phi N SOT23 2N4401 p2X PxT4401 Phi O SOT89 2N4401 t2X PMBT4401 Phi N SOT23 2N4401 t2X PMST4401 Phi N SOT323
3 7 0 u 3 7 3 7 6 0 3 n 5 R n 0.01/100 5 4 5 4 5 o 5 4 5 4 3 7 7 0 e Rno_use C5088 s 9 e 3 0 NJM8065RB1(TE1) 2 ST503 R R J n R R 5 4 4 R 9 5 2 s C5097 C5098 8 u 0 u 3 1 E R5108 R5028 R5030 100K 100K R 100K R5038 0 / 0 _ 8 o
438: N 2D XBIT BIT 45 ;37.5-EXTERNAL PROGRAM PRESENT 439: N 2E C_BIT BIT 46 ;37.6-SET WHEN CLOCK RUNNING 440: N 2F DIRF BIT 47 ;37.7-DIRECT INPUT MODE 441: N 30 NO_C BIT 48 ;38.0-NO CONTROL C 442: N 31 DRQ
72 18 IN DMI_S2N_P<1> DMI_RX_1 PEG_RX_2* =PEG_D2R_N<2> IN 9 72 24 10 CPU_CFG<6> C55 CFG_6 E W RSVD_33 NC 72 18 IN DMI_S2N_P<2> P3 DMI_RX_2 PEG_RX_3* D21 =PEG_D2R_N<3> IN 9 IN G 5 DMI_S2N_P<3> P11 A19 =PEG_D2R_N<4> 72
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