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FET
Drain-Source ON Resistance R DS_ON 0,01 Ω Widerstand des eingeschalteten FETs bei 25°C, V_GS = 10V und ID = 30A Drain-Source ON Resistance R DS_on 0,021 Ω Widerstand des eingeschalteten FETs bei 175°C, V_GS = 10V und ID = 30A Thermal Resistance (junction-case) R th_JC 0,8 K/W Thermischer Widerstand im Transistor
Arbeitspunkt 4), schwankt der maximal schaltbare Drainstrom nur noch um -2/+2A, außerdem liegt er mit 30A deutlich höher. Der BUZ11 ist somit sicher durchgesteuert. Parasitäre Diode. Der Schwerpunkt in der FET-Entwicklung liegt auf den geringst-möglichen , die Diode entsteht auf Grund des Herstellungsprozesses
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Wanderkiste Schöneberg
ein paar 100µF 6,3V SMD Elkos, 10 x NCP 1175T 1,8, alle 1N4007, 4 x 7805 20 x Omron Relais G6C-2117, 30 x Printschalter, 49 x Buz10 Mosfet, 2 x TracoPower TEN 3-4811WI, 3 x PGA2311, 5 x IRFP140, 5 x IRFP9140, 42 x 10µF 35V, 1 x Neutrik Etherconbuchse, 1 x Epcos 40A Netzfilter, 1 x Iteaduino V1.1 unbestückt
30 SN75176A Differenzieller Bus-Transceiver 30 WIMA 0,022 100V Folienkondensator bedrahtet 5 520µH 1,25A Spule mit Eisenkern bedrahtet 5 2x13 Stiftleiste vergoldet 30 Coilcraft 680µH 0,3A (fmax = 0,5MHz
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Mini-Jakobsleiter
Kondensatoraufladen LED mit 10mA Nennstrom in Reihe zu einem der Ladewiderstände als Funktionsanzeige FET (BUZ90, BUZ91, IRF730 o.ä) Zündspule (ZS 1052, Conrad/Voelkner) und passenden Kondensator mit 47 nF/X2 für Schwingkreis Brückengleichrichter (B250C800 o.ä.) Siebkondensator ≈ 4,7µF/350V Entladewiderstand
passendem Vorwiderstand als Betriebsanzeige Stabi LM7812 Kondensator 0.1µF für Stabi-Ausgang Trafo 12V/30 mA o.ä. Zeitgeber-Kondensator 0.1 µF Zeitgeber-Widerstände 1k + 10k BC557B als Inverter für NE555 Ausgang Boostkondensator für BC557B 500 pF 10 k Basisvorwiderstand für BC557B 560 Arbeitswiderstand für
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Osram NightLux "aufgebohrt"
verwenden. Zum Schalten der externen 12 LED-Streifen verwende ich einen selbstsperrenden n-Kanal MOSFET BUZ 72A. Er hat eine Gate-Schaltspannung von typisch 3V (maximal 4V). Bei einer Gate-Source-Spannung von 5V kann man Drain-Störme von ca. 3A schalten, was bei 12V einer Leistung von 36W entsprechen würde
Benötigtes Material. Benötigtes Material: eine Osram NIGHTLUX 12V LED Stripes gewünschter Länge, maximal 30 W 12V Netzteil mit passender Ausgangsleistung (mind. Nennleistung des LED-Stripes plus 1 Watt) BUZ72 (n-Kanal MOSFET selbstsperrend) 78L05 im TO-92 Gehäuse ein 100nF Kondensator ein Tanatalkondensator
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MOSFET-Übersicht
IRF7413 SO-8 irf 3,0 30 13,0 2,5 11 4,5V LL Rei,Kes 0,41 BUZ11 TO-220 ST 4,0 50 33,0 90,0 30 LIN, SOA-Grenzen herstellerabhängig! Rei 0,50 BSS83 SOT143 NXP 2,0 10 0,05 0,23 45000 nicht mit BSS83P verwechseln, Substratanschluss
125 Überlast + ESD-Schutz Rei 1,40 IRL3705N TO-220AB irf 2,0 55 89 170 10 4V LL, Qg=98nC Rei 1,20 BUZ72A TO-220 Infineon 4,0 100 9,0 40 250 5V LL, LIN Rei 0,45 IRLZ34N TO-220 irf 2,5 55 30 68 35 4V LL, LIN Rei,Far,Con,CBo 0,39 IRLZ44N TO-220 irf 2 55 47 110 22 4V LL, LIN CBo 0,49 IRLML2502 SOT-23 irf
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Standardbauelemente
TIP2955 0,75 Ptot bis 90W mit Kühlkörper Grenzwert 15A R PDF N-MOSFET. Siehe auch: MOSFET-Übersicht BUZ10, BUZ11 etc. sind wie alle BUZ Typen ziemlich veraltet. Bitte nicht listen; es gibt fast immer was besseres von IRF. Bezeichnung Preis [ ] Beschreibung Anwendungen Lieferant Daten- blatt IRF1010N 0,78
/ LM324 2 / 4 1 0,5 3 5 nA 45 nA Vcc-2V Vee-0,1V Vcc-1,5V Vee+5mV @10kΩ 5V 0,8 Standard-OP, Vcc=3V-30V, I sink =15mA I source =30mA I sink-max =40mA PDF(358) / PDF(324) alle 0,19 TL072 2 3 13 3 5 pA 65 pA Vcc-0V Vee+3V Vcc-1,5V Vee+1,5V @10kΩ 30V 2,8 Standard Audio, Low Noise/JFET Eingang, Quad-Version