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DS4E-M-DC1.5V-Panasonic.pdf
• Latching types available 9.9 • High switching capacity: 60W, 125V A .590 .390 • High breakdown voltage: 1,500 V FCC surge between open contacts .386 1,000V AC between open contacts DS4E DS2E • DIP-1C type can be used with 14 pin IC socket 2C type can be used with 16 pin IC socket
in „"Merkwürdiges" Relais.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DSxE.pdf
capacity: 60W, 125V A 9.8 .386 • High breakdown voltage:1,500V FCC surge between open contacts DS4E 15 .390 1,000V AC between open contacts .590 9.8 • DIP-1C type can be used with 14 pin IC socket .386 2C type can be used with 16 pin IC socket, 4C type can be used with 2 sets of 14 pin IC sockets
in „Relais Polung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MRF272L.pdf
= 225 MHz 90 ) 140 ) T 400 MHz T 80 A 120 A ( ( 70 R 100 500 MHz R W W 60 O O T 80 T 50 U U 40 T 60 T O O 30 ,u 40 ,u V DS= 28 V Po VDD = 28 V Po 20 IDQ = 100 mA 20 DQ = 100 mA P in Constant 10 f = 500 MHz 00 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
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uC51_UEdit_T_Deck_s.pdf
Command Line Arguments = Category&02 = COMPILER OPTIONS Processor = Intel MCS51 (8051-family)|Dallas DS80C390|Dallas DS80C400|Freescale/Motorola HC08|Zilog Z80|GameBoy Z80|Atmel AVR|Microchip PIC 14- bit (p16f84-family)|Microchip PIC 16-bit (p18f452-family)|Toshiba TLCS-900H|Phillips XA51 Compiler Options
in „Wickenhäuser uC51 und UltraEdit“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF3205S.pdf
IRF3205L) is available for low-profile applications. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units ID@ T C 25°C Continuous Drain CurrentGS@ 10V 110 ID@ T C 100°C Continuous Drain CurrentGS@ 10V 80 A IDM Pulsed Drain Curre t 390 PD@T =C25°C Power Dissipation 200 W Linear Derating Factor 1.3 W/°C VGS Gate-to-Source
in „Mosfet Treiber TC4426 + IRF IRF3205S (Ersatz gesucht)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf3205.pdf
to its wide acceptance throughout the industry. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units D @ T C 25°C Continuous Drain CurrenGS @ 10V 110 I @ T = 100°C Continuous Drain Current, @ 10V 80 A D C GS DM Pulsed Drain Current 390 PD@T =C25°C Power Dissipation 200 W Linear Derating Factor 1.3 W/°C VGS
in „Schaltung zu Kondensatorentladungsschweißen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF3205.pdf
to its wide acceptance throughout the industry. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units D @ T C 25°C Continuous Drain CurrenGS @ 10V 110 U D @ T C 100°C Continuous Drain CurrenGS @ 10V 80 A DM Pulsed Drain CurreSt 390 PD@T =C25°C Power Dissipation 200 W Linear Derating Factor 1.3 W/°C VGS Gate-to-Source
in „Hohe Ströme aus Akku Entladen ?!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf3205.pdf
to its wide acceptance throughout the industry. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units D @ T C 25°C Continuous Drain CurrenGS @ 10V 110 U D @ T C 100°C Continuous Drain CurrenGS @ 10V 80 A DM Pulsed Drain CurreSt 390 PD@T =C25°C Power Dissipation 200 W Linear Derating Factor 1.3 W/°C VGS Gate-to-Source
in „Erzeugt ein 9V-Printtrafo mehr als 750V?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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J174_J175_J176_J177.pdf
Current GSS TA= 125_C 5 Gate Operating Current I V = –15 V, I = –1 mA 0.01 nA G DG D VDS = –15 V, GS= 10 V –0.01 –1 –1 Drain Cutoff Current ID(off) TA= 125_C –5 Drain-Source On-Resistance DS(on) V GS= 0 V, DS= –0.1 V 85 125
in „P-Kanal J-FET, gibt's den real?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AN1154_Precision_Temperature_Sensing_with_RTD_Circuits.pdf
– Full Polynomial Measurement Error (°C) Actual Measured (°C) (°C) -200 18.52 18.51 -200.02 0.02 -150 39.72 39.72 -150.01 0.01 -100 60.26 60.25 -100.01 0.01 -50 80.31 80.32 -49.97 -0.03 0 100 100 0 0 50 119.4 119.41 50.03 -0.03 100 138.51
in „PT100 Zehntel Grad Auflösung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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3003E.pdf
1 104 104 10u 1 1 2 2 2 104 0V IC4D R39 IC4C R34 3 7.3V 3 1 12 130k 10 120k CON3 C2 C6 C4 14 8 CON3 2200u 1000u C8 IC3 KBJ2D 104 GND 104 TL431 13 9 2 V V 3 IN OUT LM324 R40 C40 LM324 R36 C39 IC2 -5V 4 390k 4.7u 4 390k 4.7u 7905 +5V +5V +5V R38
in „Suche Schaltplan Netzgerät QJ3003E“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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QJ3003E_S_netzteil.pdf
1 104 104 10u 1 1 2 2 2 104 0V IC4D R39 IC4C R34 3 7.3V 3 1 12 130k 10 120k CON3 C2 C6 C4 14 8 CON3 2200u 1000u C8 IC3 KBJ2D 104 GND 104 TL431 13 9 2 V V 3 IN OUT LM324 R40 C40 LM324 R36 C39 IC2 -5V 4 390k 4.7u 4 390k 4.7u 7905 +5V +5V +5V R38
in „QJE 3005E III Schaltbild“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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1-SPP30N03L.pdf
= 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz GS DS Output capacitance C - 390 500 oss VGS = 0 V, DS = 25 V, f = 1 MHz Reverse transfer capacitance C rss - 170 215 VGS = 0 V, DS = 25 V, f = 1 MHz Turn-on delay time td(on) - 13 20 ns VDD = 15 V, GS = 4.5
in „logic level MOSFET - falsche Gate threshold voltage?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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S8264A_B_C_E.pdf
_00 S-8264A/B/C Series Absolute Maximum Ratings Table 8 (Ta = 25°C unless otherwise specified) Item Symbol Applied Pin Rating Unit Input voltage between VDD and VSS V DS VDD VSS − 0.3 toSS+ 26 V Input pin voltage
in „IC-Identifikation: Q5A + KK9“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SUM55P06-19L.pdf
0.020 0.025 Forward Transconductance a g V = - 15 V, I = - 50 A 20 S fs DS D Dynamic b Input Capacitance C iss 3500 Output Capacitance Coss V GS = 0 V, DS = - 25 V, f = 1 MHz 390 pF Reverse Transfer Capacitance C rss 290 c Q 76 115 Total Gate Charge g Gate-Source Charge c Q
in „DC/DC Wandler Vin 15-50V, Vout 12V 9A!“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLML6244TRPBF_Datenblatt.pdf
(V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 1.6 e I = 6.3A n D ) t VGS = 4.5V ( s 1.4 t e e n u 10 O C e )1.2 e u e u TJ= 25°C o l o - m - TJ= 150°C - o1.0 - i
in „passender FET wie beschalten?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlml6344pbf.pdf
DS= VGS ID= 10μA IDSS ––– ––– 1.0 V DS=24V, V GS= 0V Drain-to-Source Leakage Current μA ––– ––– 150 V DS= 24V, VGS = 0V, J = 125°C I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 V = 12V GSS nA GS Gate-to-Source
in „IRLML 6344, bin ich zu doof zum Messen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlml6344pbf-1228041.pdf
DS= VGS ID= 10μA IDSS ––– ––– 1.0 V DS=24V, V GS= 0V Drain-to-Source Leakage Current μA ––– ––– 150 V DS= 24V, VGS = 0V, J = 125°C I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 V = 12V GSS nA GS Gate-to-Source
in „RaspiPi mit 3,3V einen 5V Kreis wie schalten?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MOC3041-M.pdf
Figure 4. Leakage Current, I vs. Temperature DRM 1.3 10000 1.2 1000 A ( T N E R 100 I 1.1 R L U M C R G O A , 1.0 A 10 T E IF , M ID 1 0.9 NORMALIZoD TO TA= 25 C 0.1 0.8 -40 -20 0 20 40 60 80 100 -40 -20 0 20 40 60 80 100 T , AMBIENT TEMPERATURE ( C) o T A AMBIENT TEMPERATURE ( C) o A DS300256 8/06
in „Triac schaltet nicht ab“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FQ44N10F.pdf
T Breakdown Voltage Temperature Coefficient ID= 250 µA, Referenced to 25°C -- 0.1 -- V/°C n J e IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS = 100 V, GS = 0 V -- -- 10 µA l M VDS = 80 V, C = 150°C -- -- 100 µA O S IGSSF Gate-Body Leakage Current, Forward VGS = 25 V, DS = 0 V --
in „suche mosfet 100V so-8“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlml6344pbf.pdf
14.0 VGS = 0V, f = 1 MHZ ID= 5.0A C iss= Cgs+ Cgd, CdsSHORTED V DS= 24V C = C ) 12.0 V = 15V rss gd ( DS C oss= Cds+ Cgd g V DS= 6.0V F l 10.0 ( 1000 o e C iss e n r 8.0 i o a - a Coss - 6.0 C C t C 100 rss a , 4.0 S V 2.0 0.0 10 1 10
in „LEDs: Konstantstrom-Multiplexing. Schaltung & Teile so ok?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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162828-da-01-en-IRLML_2803TR.pdf
c ) TJ= 25°C t ( i t e e TJ= 150°C R 1.5 r n u O C c d c u e u 1 o l1.0 o - a - - o t i N n r ( a D r , 0.5 , n D ( I V = 10V D DS R 0.1 20µs PULSE WIDTH▯ 0.0 VGS = 10V▯ A 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5A
in „PWM RGB-Led Beleuchtung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PAM8302A.pdf
mm e A1 E1 c See Detail C SO-8 SO-8 E Dim Min Max Typ A 1.40 1.50 1.45 1 A1 0.10 0.20 0.15 b 0.30 0.50 0.40 c 0.15 0.25 0.20 D 4.85 4.95 4.90 E 5.90 6.10 6.00 b E1 E1 3.80 3.90 3.85 E0 3.85 3.95 3.90 s) h llsde Q
in „PAM8302A Dimensionierung Ci und R“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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bootloader.a51
; overlay area $nomod51 $include (ch552_keil.h) dseg at 0x08 ;these is overlay data RAM_08: ds 1 RAM_09: ds 1 RAM_0A: ds 1 RAM_0B: ds 1 RAM_0C: ds 1 ; ptr memcpy source RAM_0D: ds 1 RAM_0E: ds 1 RAM_0F: ds 1 ; memcpy size RAM_10: ds 1 RAM_11: ds 4; bseg at 0 bit00: DBIT 1 ; ????? bSoftReset: DBIT
in „uC für 0,20€ CH552 / CH554 von WCH Billig Micro mit USB Funktion, Chip vorstellung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FCPF11N60B.pdf
MHz C eff. Effective Output Capacitance V = 0V to 480 V, V = 0 V -- 95 -- pF oss DS GS Switching Characteristics d(on) Turn-On Delay Time -- 34 80 ns V DD = 300 V,DI = 11 A, r Turn-On Rise Time R G = 25 Ω
in „Kühlkörper Dimensionieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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_APT30M40JVFR_A-601394.pdf
S U 60 - 1.0 C - VGS =20V I I A T = +125°C A D 30 J R 0.9 , T = +25°C T = -55°C , I J J N ( 0 S 0.8 0 2 4 6 8 RD 0 40 80 120 160 200 V , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS) I , DRAIN CURRENT (AMPERES) GS D FIGURE 4, TYPICAL
in „SOT-227 Leistung Gehäuse im Linearbetrieb?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlml6401.pdf
I = VGS = 0V, f = 1 MHZ D -4.3A Ciss = gs+ Cgd C ds SHORTED ) V DS =-10V 1000 C = C ( rss gd e 8 Coss = Cds Cgd a F Ciss o ( 800 V c e 6 n r i 600 o a - a t 4 C t C 400 a Coss , Crss S 200 G 2 - 0 0 1 10 100 0 4 8 12 16 V , Drain-to-Source Voltage (V) Q G Total Gate Charge (nC) DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R DS(on) A t e )100 r ( u 10 n n TJ= 150 C
in „CMOS Transistoren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6401.pdf
I = VGS = 0V, f = 1 MHZ D -4.3A Ciss = gs+ Cgd C ds SHORTED ) V DS =-10V 1000 C = C ( rss gd e 8 Coss = Cds Cgd a F Ciss o ( 800 V c e 6 n r i 600 o a - a t 4 C t C 400 a Coss , Crss S 200 G 2 - 0 0 1 10 100 0 4 8 12 16 V , Drain-to-Source Voltage (V) Q G Total Gate Charge (nC) DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R DS(on) A t e )100 r ( u 10 n n TJ= 150 C
in „parasitäres Glimmen beim LED-Muxing. Transistoren? Einstreuungen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6401.pdf
I = VGS = 0V, f = 1 MHZ D -4.3A Ciss = gs+ Cgd C ds SHORTED ) V DS =-10V 1000 C = C ( rss gd e 8 Coss = Cds Cgd a F Ciss o ( 800 V c e 6 n r i 600 o a - a t 4 C t C 400 a Coss , Crss S 200 G 2 - 0 0 1 10 100 0 4 8 12 16 V , Drain-to-Source Voltage (V) Q G Total Gate Charge (nC) DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R DS(on) A t e )100 r ( u 10 n n TJ= 150 C
in „LED Multiplexer glimmt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MRF175GV.pdf
(V = 28 V, V = 0, f = 1.0 MHz) C — 200 — pF DS GS oss Reverse Transfer Capacitance DS = 28 V, GS = 0, f = 1.0 MHz) C rss — 20 — pF FUNCTIONAL CHARACTERISTICS — MRF175GV (2) (Figure 1) Common Source Power Gain G ps 12 14 — dB (VDD =
in „Dimensionierung eines Kühlkörpers für HF-Modul“ · HF, Funk und Felder ·
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tc4420.pdf
Fall Time vs. Supply Voltage Rise and Fall Times vs. Temperature 120 100 50 CL= 2200 pF V = 18V 100 80 40 DD CL= 10,000 pF ) 80 ) CL= 10,000 pF ) e e60 e30 n n n tFALL ( 60 ( ( M C = 4700 pF M C = 4700 pF M RISE T L T40 L T20 40 C = 2200 pF C L 2200 pF L 20 10 20 0 5 7 9 11 13 15 0 0 5 7 9 11 13 15 –60 –20 20 60 100 140 VDD (V) VDD (V) TA(°C) Propagation Delay Time Rise Time vs. Capacitive Load Fall Time vs. Capacitive Load vs. Supply Voltage 100 100 65 80 80 60 60 60 ) e c VDD = 5V ) s55 s 40 e40 ( ( n VDD = 5V E D2 E ( T50 I VDD = 12V
in „Mosfet Driver gesucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Schaltplan_Mikrocontroller.pdf
P1 VCC D5 VCC X4 10 R14 1 2 /CPUR 1 VCC U14 R12 1k5 LED_rot C24 C25 C26 C27 C28 C29 C30 C31 33 5 GND VCC NC 3 10k 4µ7/6V 4µ7/6V 65 9 U8 DATA 2 P1.6 100n 100n 100n 100n 100n 100n 4 15 16 1 32 8 GND 8 GND VCC 9 GND 64 3 RXD 13 R2I R2O 12 P3.0 DS2401 GND 96 7 R1I R1O opt. GND 2 TXD 14 T1O T1IN 11 P3.1 VG-PWR 6 7 T2O T2IN 10 1 C22 U12 VCC C20 5 100n D3 78M05_SOT252 11 2 C2- 4 1 2 UB_IN L2 1 3 R13 VCC C21 V+ C2+ 3 2 VIN VOUT DB9-F 100n 6 C1- 1 SN4001 Ferrit N 390R GND V- C1+ C13 C14 C15 C16 G C17 C18 C19 1 D2 10uF/16V 100n 100n
in „Hilfe bei PWM Signal und Hardware nötig!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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AV02-0923EN-DS-ATF-55143-08Jun20120.pdf
Figure33. TypicalATF-55143LNAwithPassiveBiasing. Resistor R3 is calculated based on desired V , I and ds ds available power supply voltage. Capacitors C2 and C5 provide a low impedance in-band RF bypass for the matching networks. Resistors R3 and VDD–V ds (1) R3 = R4 provide a very important low frequency
in „LNA Entwicklung von 10 MHZ bis 6 GHZ“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LCC110-form-C.pdf
(V) Temperature (ºC) Form-A Typical BlockingVoltage vs.Temperature 420 415 P (410 e405 a l 400 V n395 k390 o B385 380 375 -40 -20 0 20 40 60 80 100 Temperature (ºC) *Unless otherwise noted, data presented in these graphs
in „Optokoppler nicht invertierend ohne zusätzliche Schaltung am Ausgang“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irlml2502.pdf
Voltage (V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 2.0 I = 4.0A c D ) n ( s n s e R 1.5 u n C O d c e e u T = 25 C r zl o J o a 1.0 - - ro - - N i i ( r T J 150 C r D
in „suche Transistor 5V 2A“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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test.ino.asm
::write_low: if (msg.data[msg.position] & (1 << i)) { 3b0: e0 91 62 01 lds r30, 0x0162 ; 0x800162 <ds+0x9> 3b4: 80 91 5f 01 lds r24, 0x015F ; 0x80015f <ds+0x6> 3b8: 90 91 60 01 lds r25, 0x0160 ; 0x800160 <ds+0x7> 3bc: e8 0f add r30, r24 3be: f9 2f mov r31, r25 3c0: f1 1d adc r31, r1 3c2: 80 81 ld r24
in „Atmega328 1-Wire mit Timer CTC/PWM“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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bootloaderV24.asm
Errors ;bVerifyBoot: DBIT 1 ; new extension bit for disable verify on bootloader dseg at 0x21 wValueLo: ds 1 ; 0x21 BootKey: ds 8 ; 0x22 Marker0: ds 1 ; 0x2A rlen: ds 1 ; 0x2B reqlen: ds 1 ; 0x2C cmdbuffer: ds 64 ; 0x2D ds 2 ; 0x6d spare bRequest: ds 1 ; 0x6F SnSum: ds 1 ; 0x70 DescAddr: ds 2 ; 0x71 CAddr: ds 2 ; 0x73 Marker1: ds 1 STACK: xseg at 0 EP0_BUFFER: ds 8 ; 0x0000 the control endpoint ds 4 ; spare EP2_OUT_BUFFER: ds 64 ; 0x000C bulk out EP2_IN_BUFFER: ds 64 ; 0x004C bulk in cseg at StartAddress
in „uC für 0,20€ CH552 / CH554 von WCH Billig Micro mit USB Funktion, Chip vorstellung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irlml6302.pdf
0.61A c ) TJ= 25°C t ( i n e e R 1.5 r T J 150°C n C 1 O e c d r u e u o l i 1.0 o - a - - r - i N i 0.1 r ( r D D , 0.5 , n ID ( - V = -10V D DS R 0.01 20µs PULSE WIDTH▯ 0.0 VGS = -4.5V▯ A 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
in „LCD-Hintergrundbeleuchtung dimmen (PWM)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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lm2731.pdf
(continued) Unless otherwise specified: V = 5 IN SHDN pin tied to V . IN 100 100 90 90 80 80 70 % 70 ) ( ( 60 C 60 Y N C 50 I 50 I F I 40 F 40 F E E 30 30 20 20 10 10 0 0 0 50 100 150 200 250 300 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 LOAD (mA) LOAD (mA) VIN = 2.7 V VOUT = 5 V VIN = 4.2 V VOUT
in „[V] 5St. Boost Reg. ADJ TI LM2731XMF 1,6Mhz 1,8A Switch (SOT23-5)“ · Markt ·
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Infineon-IRLML2502-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Voltage (V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 2.0 I = 4.0A c D ) n ( s n s e R 1.5 u n C O d c e e u T = 25 C r zl o J o a 1.0 - - ro - - N i i ( r TJ= 150 C r D
in „Hilfe bei Bauteilidentifizierung erbeten (MOSFET, SOT23)“ · Offtopic ·
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IRLML2502.pdf
Voltage (V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 2.0 I = 4.0A c D ) n ( s n s e R 1.5 u n C O d c e e u T = 25 C r zl o J o a 1.0 - - ro - - N i i ( r TJ= 150 C r D
in „Umsetzung eines 5V Output mit ESP32 und AQY Halbleiterrelais“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6401.pdf
Voltage (V) -V DS , Drain-to-Source Voltage (V) DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 2.0 100.0 ID= -4.3A c a Α TJ= 25°C i ( s n R 1.5 r T J 150°C n u 10.0 O d C e e r r zl u o
in „3,3 V schalten mit möglichgst geringem Spannungsabfall“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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00643b.pdf
0206 3001 MOVLW 01h if( predsample > 32767 ) 0207 0732 ADDWF 32,W 0208 00A8 MOVWF 28 0209 3080 MOVLW 80h 020A 0633 XORWF 33,W 020B 00A7 MOVWF 27 020C 3000 MOVLW 00h 020D 1803 BTFSC STATUS,C 020E 3001 MOVLW 01h 020F 0727 ADDWF 27,W DS00643B-page 20 1997 Microchip Technology Inc. AN643 0210 0428 IORWF 28
in „Messdaten Kompression“ · Digitale Signalverarbeitung / DSP / Machine Learning ·
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RT8477A.pdf
Technology Corporation. All rights reseis a registered trademark of Richtek Technology Corporation. DS8477A-01 December 2014 www.richtek.com 5 RT8477A Typical Application Circuit D1 VIN R1 4.5V to 50V C1 0.1 C4 R5 10µF 1µF 10 RT8477A .LEDs 1 VCC ISP 2 C6 L1 1µF 22µH ISN 3 Analog Dimming 5 CTL DRV 7 M1
in „Frage zum LED-Treiber RT8477A“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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68332_test.pdf
PE5/DS 105 PE6 80 PE6/SIZ0 104 PE7 TSC PE7/SIZ1 Y1 8MHz 83 65 PQ0 XTAL PQS0/MISO PQ1 PE[0..7] OUT 8 85 EXTAL PQS1/MOSI 66 PQ2 87 XFC PQS2/SCK 67 90 CLKOUT PQS3/PCS0/SS 68 PQ3 B PQS4/PCS1 69 PQ4 PQ[0..7] B 38
in „Motorola MC68332 und BD32“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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B154EW04_VB.pdf
case is connected with signal GND. 6 B154EW04 V.B Page /23 4-2 Interface block diagram Using receiver：DS90CF364(National semiconductor) Corresponding Transmitter：DS90C363,DS90C383(National semiconductor） （ Computer side ） (TFT-LCD side ) DS90C*363 DS90CF364 6 TxIN 0～ 5 RXIN0+(6) RxOUT0～5 6 R0～R5 R0～R5 6
in „Notebookdisplay als "normalen" Bildschirm verwenden“ · PC Hard- und Software ·
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bootloaderV25.a51
: DS 1 STACK: xseg at 0 EP0_BUFFER: DS 8 ; 0x0000 the control endpoint DS 4 ; spare EP2_OUT_BUFFER: DS 64 ; 0x000C bulk out EP2_IN_BUFFER: DS 64 ; 0x004C bulk in cseg at StartAddress ; bootloader start ljmp
in „uC für 0,20€ CH552 / CH554 von WCH Billig Micro mit USB Funktion, Chip vorstellung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irlml6402pbf.pdf
4.50V ) -4.50V ( -3.50V ( -3.50V n -2.70V n -2.70V e -2.50V e -2.50V u BOTTOM-2.25V u BOTTOM-2.25V C C c c u u o 10 o 10 - -2.25V - - - -2.25V i i r r D D ,D , - - 20μs PULSE WIDTH 20μs PULSE WIDTH 1 TJ= 25 C TJ= 150 C 0.1 1 10 100 10.1 1 10 100 -VDS , Drain-to-Source Voltage (V) -V DS , Drain-to-Source
in „TP4056 Polarity protection“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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bootloaderV2.a51
for first serial else DBIT 1 endif bReqError: DBIT 1 ; 1 on request Errors dseg at 0x21 wValueLo: ds 1 ; 0x21 BootKey: ds 8 ; 0x22 Marker0: ds 1 ; 0x2A rlen: ds 1 ; 0x2B reqlen: ds 1 ; 0x2C cmdbuffer: ds 64 ; 0x2D ds 2 ; 0x6d spare bRequest: ds 1 ; 0x6F SnSum: ds 1 ; 0x70 DescAddr: ds 2 ; 0x71 CAddr: ds 2 ; 0x73 Marker1: ds 1 STACK: xseg at 0 EP0_BUFFER: ds 8 ; 0x0000 the control endpoint ds 4 ; spare EP2_OUT_BUFFER: ds 64 ; 0x000C bulk out EP2_IN_BUFFER: ds 64 ; 0x004C bulk in cseg at StartAddress
in „uC für 0,20€ CH552 / CH554 von WCH Billig Micro mit USB Funktion, Chip vorstellung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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recommended.pdf
2005 TPS62111 TPS62111 EFFICIENCY EFFICIENCY vs vs OUTPUT CURRENT OUTPUT CURRENT 100 100 4.2 V 90 90 80 80 4.2 V 70 70 5 V % 8.4 V % - - c 60 5 V c 60 8.4 V e e i 50 i 50 f 12 V f 12 V E 40 E 40 30 30 20 VO= 3.3 V 20 VO= 3.3 V T = 25 C T = 25 C 10 A 10 A PWM Mode PFM Mode 0 0 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
in „Kurz vorm Verzweifeln“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·