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sim.pdf
.LIB MJE350.LIB B R r } Q3 Q9 } 1 e e 2 o C C o 2 1 C2 7 s s 1 C4 0 1 R32 {ccascode} R r r R {ccascode} = R out out 1 2 1 = = 1 r 2 hvn r r hvn 2 r=300 3 1 C R r E 1 B Q14 C12 MJE340.LIB 1n MJE350.LIB B E Q18 C D13 D16 vas 1 BZX84C8V2.lib 9 2 7 r R D 2 S C C G Q21 vg2 Q4 B B Q6 IXTH10P60 MJE340.LIB MJE340.LIB D E E C9 D17 10p 2 s BZX84C8V2.lib . C15 2 o 2 R { 8 1 C5 vg2 {cmos} 1 r 4 D BZX84C8V2.lib S 8 47p D11 Z G Q22 B IXTH10P60 D 1 1 2 } 0 0 3 2 s 9 o 1 R 1 1 C C10 2 v C16 2 r r r R {
in „Slew Rate Erhöhung für diskrete Operationsverstärker“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sim.pdf
.LIB MJE350.LIB B R r } Q3 Q9 } 1 e e 2 o C C o 2 1 C2 7 s s 1 C4 0 0 R32 {ccascode} R r r R {ccascode} = R out out 1 2 + V2 + V4 1 = = 1 r 2 200 15 hvn r r hvn r=300 C 2 3 = 1 1 B Q13 C12 R r MJE340.LIB 10n
in „Slew Rate Erhöhung für diskrete Operationsverstärker“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sim.pdf
{ 1 MJE340.LIB R35 r r E 2 B MJE350.LIB MJE350.LIB B 7 1 } Q3 Q9 } R r e e 2 o C C o 2 1 C2 7 s s 1 C6 2 k 2 R39 {ccascode} R r r R {ccascode} 2 1 3 1 out out 1 2 1 = = 1 R r R r hvn r r hvn 1 1 2 r=300k 3 1 vg1 R r C E 1 1 r=1.5k B Q18 C16 MJE350.LIB B 2 1 MJE340.LIB 2 100n Q20 15V 2 E C RD23 9 . 2 1 1 2 vas R = 1 r D19 15V 3 C C 1 Q23 vg2 Q4 B B Q6 IXTH10P60 MJE340.LIB MJE340.LIB 2 E E 15V 1 D22 k 2 s 2 1 1 2 1 4 C19 3 o r R R { C7 2 {cmos
in „Slew Rate Erhöhung für diskrete Operationsverstärker“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sim.pdf
=20000 td=0 theta=0 phase=0ac=1 1 2 2 1 1 2 3.3V 3.3V 15V D28 15V D6 E E B MJE350.LIB MJE350.LIB B vee vee e Q2 Q8 e 2 o C C o 2 C1 6 s .paramrcascode=100k s 1 C5 {ccascode} R c c R {ccascode} 1 { E .paramccascode=33p E { 1 r r 2 B MJE350.LIB MJE350.LIB B 2 2 7 1 Q3 Q9 2 5 3 1
in „Slew Rate Erhöhung für diskrete Operationsverstärker“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Vergleichsliste.pdf
ECG154 2SC1012A 2SC627 2SC875 SE7056 ECG155 AD161 ECG156 1N5408 ECG157 2SC1501 2SC1550 2SC2688 2SC2611 MJE340 ECG158 2SB405 2SB324 ECG159 2N2907A ECG159P 2N4403 MPSA56 ECG160 2N990 2N2416 2SA342 ECG161M 2SC398 2SC720 ECG161P MPS6568A ECG162 2SC681A 2SC1106 2SC940 2SC2243 2N6307 ECG163A 2N6307 2N6308 2SC1295
in „ECG45 was ist das?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Schaltplan.pdf
TO3 TO3 5 1R4 10K0 2N5551 MJE340 2 3 5101 . . . MINI Q17A C 3 R173A R152A V Q7A 6873 A TO92 1/8W 1/4W C9A R50A R51A 5 5107 BC550C 0W N 2W 2N 4 W 2N 1 W 0I 681R 1MINI D1 33U 16V 1/4W 1/4W 8 TO126 14 3M 1/ 2M 1 / 2M 1 1 2M A P FLMP
in „Funktion Protectschaltung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Schaltplan in einer EDA-Software
File Edit View Place Inspect Tools Preferences Help Schematic Hierarchy Root (page 1) in mil Q6 MJE340.LIB B w r=100 R13 C5 10p B Q10 MJE340.LIB r=330 R17 hvc C9 10p C10 (cvas) R23 Q15 IXTH02N250 G r=5k R24 C11 (cvas) B Q14 MJE340.LIB r=9k R22 D7 C12 1n G Q16 IXTH02N250 D8 D9 B ZBZ40CV2.LIB B ZBZ40CV2
in „Slew Rate Erhöhung für diskrete Operationsverstärker“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
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opamp.pdf
{ccascode} = R out out 2 1 + V2 + V4 1 = = 1 r 2 200 15 hvn r r hvn R32 C 2 1 = 1 1 B Q12 C12 R r MJE340.LIB 10n 1 = 2 = 4 E r R r R bv=16 D9 2 2 1 vas 5 4 = R v e r D6 bv=16 h v 2 S C C G Q17 vg2 Q4 B B Q6 IXTH10P60 MJE340.LIB MJE340.LIB D E E C7 10p 2 s bv=16 D14 C15 3 o R { b vg2 {cmos} 1 r . D5
in „Slew Rate Erhöhung für diskrete Operationsverstärker“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Peavey_Semiconductors_Cross_Ref_2009.pdf
SJE-5331 70405331 SEE ABOVE. MJE-253/4 SJE-5332 CASE 77 70405332 SEE ABOVE. SJE-5986 SJE-5332 CASE 77 70405332 SEE ABOVE. SJE-7036 SJE-5332 CASE 77 70405332 SEE ABOVE. SJE-360 SJE-5331 SEE ABOVE 70405331 SJE-6018 355-1 MJE-340, SJE
in „Transistor Ersatztypen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Peavey_Semiconductors_CrossRef_2010.pdf
SJE-5331 70405331 SEE ABOVE. MJE-253/4 SJE-5332 CASE 77 70405332 SEE ABOVE. SJE-5986 SJE-5332 CASE 77 70405332 SEE ABOVE. SJE-7036 SJE-5332 CASE 77 70405332 SEE ABOVE. SJE-360 SJE-5331 SEE ABOVE 70405331 SJE-6018 355-1 MJE-340, SJE
in „Transistor Ersatztypen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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standard.bjt.txt
NC=1.90472 RE=1 RC=15.5104 CJE=2P MJE=500M CJC=6.24728P VJC=692.028M MJC=340.013M TF=1.08385N XTF=16.9293 VTF=9.36211 ITF=670.025M TR=10N ) .MODEL MPS6520 NPN (IS=10.2F NF=1 BF=390 VAF=90 IKF=60M ISE=3.36P NE=2 BR=4 NR=1 VAR=16 IKR=90M
in „Hilfe bei LTSpice nötig!“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TT-hFE-328-644.pdf
862 npn TIP2955 124 144 230 pnp TIP3055 33,4 37 63 npn BD249C 15,8 17 22 npn MPSU56 82 98 128 pnp MJE350 3,5 49 55 pnp MJE340 50 56 143 npn BD438 126 125 162 pnp
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PSpice_LibraryguideOrCAD.pdf
MJE33C PWRBJT.OLB Power Bipolar Transistor MJE34 MJE34 PWRBJT.OLB Power Bipolar Transistor MJE340 MJE340 PWRBJT.OLB Power Bipolar Transistor MJE341 MJE341 PWRBJT.OLB Power Bipolar Transistor MJE3439 MJE3439
in „pSpice - Bauteil hinzufügen.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TT-hFE-328-644.pdf
144 124 230 pnp 150 TIP3055 33 37 33 63 npn 65 BD249C 17 17 17 22 npn 20 MPSU56 82 98 82 128 pnp 105 MJE350 3,7 50 3,3 55 pnp 75 MJE340 52 56 52 143 npn 80 BD438 106 125 106 162 pnp 145 2N2219 92 95 90 856 npn 150 2N1613 42 36 50 61 npn 60
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embm2003.pdf
p 7 0 2 6 1 . 1 0 C 1 R µ 3 F K 5 R 4 C 1 T6 0+ 2 0 70 R 2 C 1 C1 * 1 F 1 IRF640 1 R1 1 1 F +15V C MJE350 p 1 0 2 0 C 1 R 1 T7 F T2 GND 1 C p 8K 0 0 C0 R IRF640 1 1 MJE350 0 4 2 F 9 K 3 7 GND 0 91 0 F D 0 1 1 R 2 T1 1 R 0 D U 7 1 C T8 – U1 6 R6 F 2 2 R1 3 * 2 F 2 7 U 2 R + OPA603 1K 6 R 0 C 1 R T5 T12
in „High Voltage Amplifier“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sim.pdf
paramcsource=3310n 3.3V R 4 o IXTH24N50L 1n r r Q20 C22 4 m D {cmos} R = 1 2 } 7 r 5 C25 { 2 3 {cd} r R D MJE350.LIB Q10 D12 Q29 15V k Q5 Q21 2 IXTH24N50L 8 0 } Q11 D R r c C26 } C9 2 u 15V r 2 R r {cd} = R {csource} = D13 r r hvn R43 R10 R12 C29 Q26 r=1k 3 Q12 4 3 33p } hvp R r R47 r=620 r=620 r d 9 1 2 C10
in „Slew Rate Erhöhung für diskrete Operationsverstärker“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Bauteile.txt
AD161, NPN-Germanium-Transistor, TO66, 2 Stück 8. AD162, PNP-Germanium-Transistor, TO66, 2 Stück 10. MJE340, NPN-Transistor, high voltage, TO126, 6 Stück 11. MJE350, PNP-Transistor, high voltage, TO126, 6 Stück 13. ICL7109, 12bit-A/D-Wandler, 3 Stück 14. M27C256B, 256kbit-UV-Eprom, neu 15. TMS27C010A,
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datasheet.pdf
KT805AM NPN 30,0 160 5 5000 >15 - ÊÒ-28 KT805ÁM 135 >15 - KT805BM 135 >15 2,5 KT805ÈM - >25 3,0 ÊÒ8126À MJE13007 NPN 80,0 700 400 9 8000 8-60 1,0 1000 4 ÊÒ-28 ÊÒ8126Á MJE13006 600 300 KT814A PNP 10,0 40 5 1500 40-275 0,6 50 40 ÊÒ-27 KT814Á BD136 50 40-275 KT814B BD138 70 40-275 KT814Ã BD140 100 30-275 KT815A
in „verstärkerschaltung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Schaltplan einer Audio-Endstufe
2W, 150n 100V~, BDW84D x2, Vee -52V, 220n, 4R7, 4R7, 390, 390, 68, 68, IN4936, 180, IN4148, IN4148, MJE340, 270, 470µ 25V, 10k, 2k2, 47p, KSPA92, KSPA92, BC546B, BC546B, 2µ2 100V~, AUTO CAD
in „Verstärker schwingen - ich kriege Zustände“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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Schaltplan eines Spannungsreglers
33 Sicherungswiderstand 47u Rser=10 C3 47u M1 4 LND150_IH R10 R2 5.6 Strombegrenzung ca 100 mA Q1 MJE340 Out V1 100n CL RL 15k 10 mA Last Rser=10m 6 Q2 FMMTA42 1k Q4 FMMTA42 9 R7 261k 8 C4 15p R8 33k X1 TL431ED 10 7 R3 5k Id C1 5u 0 AC 1 .model DR D(Ron=300 Vfwd=.7 Vrev=100) .model DX D(Ron=0.1 Vfwd
in „Schutzdioden BJT-Linearregler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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Schaltplan eines Spannungsreglers
150 Volt / 50 mA Regler, ca 0,5 mVpp Ripple, 0,5% von 0-70°C In R1 D1 C2 M1 TIP50 Q1 TIP50, MJE340 R2 Out AC 0 3 4 5,6 1 LND150_IH 2 7u C2 Rser=50 330 47-100uF Q2 330 330 R3 FMMTA42 Q3 FMMTA42 6 330p C4 1n C6 8 X1 6 TL431ED C8/R8 optional 6 15k R6 20n C8 1k R7 3k3 9 0 AC 1 0 C1 60u Rpar=1G 10.100nF
in „Schutzdioden BJT-Linearregler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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NetzteilFet_Rev1.2B.pdf
R28 IN OUT R10 10k 1k + IC2 ADJ R1 C2 Strom C5 LM317 240 10n 3 IC1A R9 T2 100µ/63V UA P1 LM358N 1 MJE340 3 0V 47k 2 2k2 R14 R12 2 TR1 3 R4 1k 18k 5k 2 1 X1-1 1 47k C3 D1 1 R5 R6 1n T1 MSTBV2 1k 10k BC547 1N4148 C4 2 X1-2 R11 10n R16 1k 0V IC1B R7 47 5 C 7 C 0,1/5W 6 8 LM358N R13 C7 R27 2k 100n 30k C6
in „Lineares Labornetzgerät schwingt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Transistor_Database.pdf
MJE18004 SI-N 450V 5A 100W 13MHz MJE18006 SI-N 450V 6A 100W 14MHz MJE18008 SI-N 450V 8A 125W 0.3US MJE210 SI-P 40V 5A 15W >65MHz MJE243 SI-N 100V 4A 15W >40MHz MJE253 SI-P 100V 4A 15W >40MHz MJE270 N-DARL 100V 2A 15W >16MHz MJE271 P-DARL 100V 2A 15W B>1K5 MJE2955T SI-P 70V 10A 90W AFPOWER MJE3055T SI-N 70V 10A 90W AFPOW. MJE340 SI-N 300V 0.5A 20W VIDPOW MJE350 SI-P 300V 0.5A 20W VIDPOW MJE5850 SI-P 350/300V 8A 80W MJE800 N-DARL
in „Bauteilebeschaffung !!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Transistor_Database.pdf
MJE18004 SI-N 450V 5A 100W 13MHz MJE18006 SI-N 450V 6A 100W 14MHz MJE18008 SI-N 450V 8A 125W 0.3US MJE210 SI-P 40V 5A 15W >65MHz MJE243 SI-N 100V 4A 15W >40MHz MJE253 SI-P 100V 4A 15W >40MHz MJE270 N-DARL 100V 2A 15W >16MHz MJE271 P-DARL 100V 2A 15W B>1K5 MJE2955T SI-P 70V 10A 90W AFPOWER MJE3055T SI-N 70V 10A 90W AFPOW. MJE340 SI-N 300V 0.5A 20W VIDPOW MJE350 SI-P 300V 0.5A 20W VIDPOW MJE5850 SI-P 350/300V 8A 80W MJE800 N-DARL
in „Transistor-Datenbank“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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NetzteilFet_Rev1.3.pdf
R28 IN OUT R10 10k 1k + IC2 ADJ R1 C2 Strom C5 LM317 240 10n 3 IC1A R9 T2 100µ/63V UA P1 LM358N 1 MJE340 3 0V 47k 2 2k2 R14 R12 2 TR1 3 R4 1k 18k 5k 2 1 X1-1 1 47k C3 D1 1 R5 R6 1n T1 MSTBV2 J1-1 1k 10k BC547 1N4148 C4 2 X1-2 R11 10n J2-1 R16 1k 0V C IC1B C R7 47 5 7 0,1/5W 6 8 LM358N R13 C7 R27 2k
in „Lineares Labornetzgerät schwingt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MAX712-MAX713.pdf
the MAX713EVKIT- SO to evaluate the switch-mode charger. MAX712ESE -40°C to +85°C 16 Narrow SO MAX712MJE -55°C to +125°C 16 CERDIP** ________________________Applications Ordering Information continued at end of data sheet. Battery-Powered Equipment *Contact factory for dice specifications. Laptop, Notebook
in „MAX1775_Verständnisproblem“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MAX712-MAX713.pdf
the MAX713EVKIT- SO to evaluate the switch-mode charger. MAX712ESE -40°C to +85°C 16 Narrow SO MAX712MJE -55°C to +125°C 16 CERDIP** ________________________Applications Ordering Information continued at end of data sheet. Battery-Powered Equipment *Contact factory for dice specifications. Laptop, Notebook
in „Kurz vorm Verzweifeln“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MAX712_MAX713_MAX.pdf
the MAX713EVKIT- MAX712ESE -40°C to +85°C 16 Narrow SO SO to evaluate the switch-mode charger. MAX712MJE -55°C to +125°C 16 CERDIP** Ordering Information continued at end of data sheet. ________________________Applications *Contact factory for dice specifications. **Contact factory for availability and
in „Akku-/Batteriekapazität messen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BFG591.pdf
(1) 21 XTI 3.000 DESIGNATION VALUE UNIT 22 CJE 3.821 pF Cbe 182 fF 23 VJE 600.0 mV Ccb 16 fF 24 MJE 348.5 m Cce 249 fF 25 TF 13.60 ps L1 0.025 nH 26 XTF 71.73 L2 1.19 nH 27 VTF 10.28 V L3 0.60 nH 28 ITF 1.929 A L 1.50 nH 29 PTF 0.000 deg B LE 0.50 nH 30 CJC 1.409 pF 31 VJC 219.4 mV 32 MJC 166.5 m 33 XCJ 2.340 m 34 TR 543.7 ns 35(1) CJS 0.000 F (1) 36 VJS 750.0 mV 37(1) MJS 0.000 38 FC 733.2 m Note 1. These parameters have not been extracted, the default values are shown. 1995 Sep 04 10 NXP Semiconductors
in „UKW-Prüfsender: Diverse Fragen!“ · HF, Funk und Felder ·
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cem.pdf
Output Characteristics 55 5.2.3 BJT Ampli¯er 55 5.3 VA 57 5.4 ISE and IKF 59 5.5 RE 61 5.6 CJE, VJE, MJE, CJC, VJC, and MJC 62 5.7 TF 63 6 ADVANCED DEVICES 67 6.1 CMOS Down-Scaling 67 7 PHOTONIC DEVICES 71 7.1 LED 71 7.1.1 DC Analysis - Sweeping a Component Value 71 7.2 Photodetector Diode 73 7.3 Solar
in „Kondensator LT Spice“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LT1111_LT.pdf
Current Quiescent Current Quiescent Current vs RLIM 400 500 1.5 1.4 380 450 1.3 )360 ) 1.2 ( A400 ) T340 T ( 1.1 STEP-UP R320 E350 E 1.0 2V ≤ V ≤ 5V U R R 0.9 IN T300 C300 C 0.8 E280 E H 0.7 S S250 I 0.6 U260 I S 0.5 STEV-D= 12V Q240 Q200 0.4 IN 0.3 220 150 0.2 200 100 0.1 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30
in „Schaltregler-Topologie: 3V.12V -> 5V/0,45A & 12V/0,8A“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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HBD855-D_Thyristor_Theory.pdf
positive side of the capacitor and the crowbar SCR anode. GT GT VDD + 15 V 0.1 μF 10 k 4 Q21 100 k 3 MJE803 VSS 1N914 0.001 μF MC14011B V CC1 470 V +15 V 2.2 k CC2 +15 V 2 W MJE250 Q1 1 10 k Q22 MJE250 2 470 2.2 k 2 W VCC1 R1 100 470 2.7 k 5 W Q11 2.2 k 22 M 22 M 2.2 M MJE803 1 W 8400 μF 1N914 C1 270 2.2 k Q10 2 W 0.47 μF MJE250 DUT #1 100 V 2.7 k 5 W CC2 1 W 470 8400 μF MJE250 2.2 k (10) LED C10 Q20 270 DUT #10 Figure 9.3. Schematic for SCR Crowbar Life Test http://onsemi.com 237 APPENDIX V APPENDIX VI DERIVATION OF THE
in „Ansteuerschaltung Thyristor und Triac“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LP2950-D.PDF
to +125°C LP2950C−3.3/LP2951C−3.3 3.234 − 3.366 LP2950AC−3.3/LP2951AC−3.3/NCV2951AC−3.3* 3.260 − 3.340 Vin 4.3 to 30 V, O = 100 mA to 100 mA, A = −40 to +125°C LP2950C−3.3/LP2951C−3.3 3.221 − 3.379 LP2950AC−3.3/LP2951AC−3.3/NCV2951AC−3.3* 3.254 − 3.346 Output Voltage, 3.0 V Versions VO V Vin 4.0 V, O
in „Wie lange hält ein LM1117-5.0 ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LP2950_LP2951.pdf
to +125°C LP2950C−3.3/LP2951C−3.3 3.234 − 3.366 LP2950AC−3.3/LP2951AC−3.3/NCV2951AC−3.3* 3.260 − 3.340 Vin 4.3 to 30 V, O = 100 mA to 100 mA, A = −40 to +125°C LP2950C−3.3/LP2951C−3.3 3.221 − 3.379 LP2950AC−3.3/LP2951AC−3.3/NCV2951AC−3.3* 3.254 − 3.346 Output Voltage, 3.0 V Versions VO V Vin 4.0 V, O
in „Warum funktioniert mein Brückengleichrichter nicht?“ · Fahrzeugelektronik ·
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Bestandsliste.pdf
500mA Olivenform 2Stk 0,15 € 0,29 € 339 L*3695 Birnchen 4.8 V 500mA Linsenform 10Stk 0,17 € 1,68 € 340 L*3628 Birnchen 4.8V 200mA 1.2W E10 Kugelform 3Stk 0,15 € 0,45 € Bestandsliste Seite 10 von 75 POS: Nummer Kurzbezeichnung Bestand Einheit Stückpreis Positonspreis 341 L*3629 Birnchen 6 V 100mA 0.6W
in „Auflösung Elektronik Shop“ · Markt ·
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Bestandsliste_mit_Preisen1.pdf
=5mm 276 Stk 0,11 € 29,67 € C330C105KR5TA Kondensator Keramik 1uF 50V RM=5mm 29 Stk 0,34 € 9,79 € C340C225KR5TA Kondensator Keramik 2.2uF 50V RM=5mm 86 Stk 0,63 € 54,40 € EGPU2700PF Kondensator Keramik 2.7nF 100V RM=2.5 284 Stk 0,03 € 7,10 € EGRU2.7PF Kondensator Keramik 2.7pF 100V RM=5mm 292 Stk 0,03
in „Auflösung Elektronik Shop“ · Markt ·
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PSPICE_MITSCHRIFT_ALLES_SS20908.pdf
14.34f Ikf=.2847 Xtb=1.5 Br=6.092 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1 + Cjc=7.306p Mjc=.3416 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=22.01p Mje=.377 Vje=.75 + Tr=46.91n Tf=411.1p Itf=.6 Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10) 200 180 160 140 120 100 80 100uA 300uA 1.0mA 3.0mA 10mA 30mA 100mA 300mA 1.0A IC(Q1)/IB(Q1) IC(Q1) PSpice – Vorlesung im SS 2008 ; Dipl
in „Pspice Simulation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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kicad_8450_dcm_liste_neu_v3.pdf
Fast-charge Nickel Metal Hydride (NiMH) from a DC source, -40 to +85 Degree Celcius, SOIC-16 MAX712MJE Fast-charge Nickel Metal Hydride (NiMH) from a DC source, ceramic, -55 to +125 Degree Celcius, PDIP-16 MAX713CPE Fast-charge Nickel Cadmium (NiCd) from a DC source, 0 to +70 Degree Celcius, PDIP-16
in „KiCAD Eeschema, Bibliotheksdokumentation *.dcm als PDF-Datei“ · Platinen ·
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TEKTRONIX_Component_Service_Manual_TDS_520B_Mod_CM_Digitizing_Oscilloscope_070-9710-03.pdf
0.112 TAIL,SHRD/4 SIDES,CTR PLZ,30 GOLD, A11J5 131–5354–00 CONN,HDR:PCB,MALE,RTANG,2 X 8,0.1 CTR,0.340 H X 53387 3408–5202 0.610 TAIL,SHRD/4 SIDES,CTR PLZ,SHORT LA A11J12 131–4530–00 CONN,HDR:PCB,MALE,STR,1 X 3,0.1 CTR,0.230 MLG X 00779 104344–1 0.120 TAIL,30 GOLD,BD RETENTION, A11J14 131–4530–00 CONN
in „Tektronix TDS744A Netzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AoE3_chapter9.pdf
amplifier with 5.11.3 Selecting an auto-zero op-amp 338 null offset 297 5.11.4 Auto-zero miscellany 340 5.4.1 Circuit description 297 5.12 Designs by the masters: Agilent’s accurate 5.5 A precision-design error budget 298 DMMs 342 5.5.1 Error budget 299 5.12.1 It’s impossible! 342 5.6 Component errors
in „Labornetzgerät - Fragen zum Schaltplan“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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technical.pdf
base-emitter zero-bias depletion capacitance F 0.0 Vje VJE base-emitter junction built-in potential V 0.75 Mje M base-emitter junction exponential factor 0.33 JE Cjc CJC base-collector zero-bias depletion capacitance F 0.0 Vjc VJC base-collector junction built-in potential V 0.75 Mjc M JC base-collector junction
