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Schaltplan einer Transistorbeschaltung mit Messwerten
V1 10V R2 300Ω TK1 V(SS): 308 mV V(dc): 7.15 V I(dc): 9.51 mA Q1 J310 V(SS): 164 uV V(dc): 2.09 V I(dc): 9.51 mA TK2 V(SS): 100 mV V2 50mVpk 10kHz 0° R3 100kΩ TK3 R1 220Ω C1 100uF
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Schaltplan mit Messwerten
V3 10V R5 300Ω TK4 V(SS): 539 mV V(dc): 6.08 V I(dc): 13.1 mA U1 BF862 V(SS): 50.0 mV TK5 V4 25mVpk 10kHz 0° R6 100kΩ
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Schaltplan einer JFET-Schaltung
+10V 10mA to 25mA RD 300Ω G ≈ -13 Q1 BF862 A.
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Simulation eines JFET-Common-Source-Verstärkers mit Oszillogramm und Schaltplan
JFET-Common-Source-Verstaerker.raw V(in) V(out) 240mV 200mV 160mV 120mV 80mV 40mV 0mV -40mV -80mV -120mV -160mV -200mV -240mV 0ms 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms 70ms 80ms 90ms 100ms JFET-Common-Source-Verstaerker.asc
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JFET-Common-Spurce-Verstärker
allerdings, dass der Parameter "Alpha" negativ ist. Linear Systems bietet einen sehr ähnlichen JFET an, inkl. deren SPICE model. Suche nach LSBF862. Bernhard
Bei dieser Spannung und dem hier verwendeten Modell ist Idss = 45 mA. Die Pinch-Off Spannung des JFET wurde vorab ermittelt, diese liegt bei Up ~ -3,8 V. Der Drainstrom beträgt Id = 9,51 mA. Die Vorwärtssteilheit des JFET für diesen Id berechnet sich zu gm = 2 x SQR (Id x Idss) / |Up| = 10,9 mS. Laut
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Neue Bauteile: innovative Schrauben, Mikrocontroller-Thyristoren uvam
vorueber > gegangen? :) > Vanye Hab ich mir auch gedacht. Und auch statt einen Vorwiderstand einen JFET (nix andres ist ja eine CRD) einzusetzen ist jetzt auch nix Neues, das hat man schon vor 30 Jahren so gemacht wenn man ne schwankende Eingangsspannung hatte und es recht stabil/unabhängig brauchte.
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Kapazitiver Killswitch für E-Gitarre – Schaltungsdesign & Entknacken
. Welche Methode ist hierfür im Audiobereich am elegantesten? Ich schwanke aktuell zwischen einem JFET (z. B. J112), einem CMOS-Schalter (CD4066) oder einem Optokoppler (z. B. H11F1 / PhotoMOS). Was hat das beste Audio-Verhalten (geringster THD / Rauschen im Zustand "offen")? EMV & Störfestigkeit:
des Knopfes). > hierfür im Audiobereich am elegantesten? Ich schwanke aktuell zwischen > einem JFET (z. B. J112), einem CMOS-Schalter (CD4066) oder einem > Optokoppler (z. B. H11F1 / PhotoMOS). Was hat das beste Audio-Verhalten > (geringster THD / Rauschen im Zustand "offen")? Wahrscheinlich
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Reparatur Statron 3207, Funktionsweise der schwimmenden OPV
Danke , hatte es vom Schaerer (.. TL064, TL074 oder TL084... Dies sind sogenannte JFET-Opamps. Eingasseitig folgen JFETs ..... Die Betriebsspannung liegt zwischen ±5 VDC bis ±15 VDC.). Macht auch keinen Sinn von den vorhandenen ca. 40V unbedingt auf 5V per Längsregler runter zu brutzeln
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Texas Instruments "fälscht" die eigenen IC
gefallen ist und mir die Baugruppen reihenweise beim Endtest ausfallen. *) Gerade der Wechsel von JFET auf CMOS wäre beim Rauschen nicht akzeptabel. Beim TL07x hat es sich jetzt z.B. um 6 dB verschlechtert!
Marek N. schrieb im Beitrag #8077282: > ) Gerade der Wechsel von JFET auf CMOS wäre beim Rauschen nicht > akzeptabel. > Beim TL07x hat es sich jetzt z.B. um 6 dB verschlechtert! Hmmm, das war mir neu und ich habe deshalb gerade auf der TI Seite nachgesehen und folgendes
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Schaltungstechnik Oszilloskop-Y-Eingangsverstärker (Hameg)
Oszilloskopen eingeführt hat. Vorher hatte Hameg standardmäßig Differenzverstärker vom Eingangs-Doppel-JFET bis zu den Ablenkplatten der CRT eingesetzt. Das hatte den Vorteil, daß der Temperatureinfluß (speziell auf den Eingangs-Doppel-FET) ganz gut kompensiert wurde. Ab 1991 wurden dann ein Einzel-JFET
da habe ich ja genau den richtigen Ansprechpartner gefunden. Es geht um einen defekten Eingangs-JFET (J211) eines HM 1005, der von mir ersetzt wurde, weil er abgeschossen war. Der neue J211 hat eine andere Abschnürspannung als der originale (Exemplarstreuung). Habe auch einen anderen neuen J211
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Quarze 27,025 / 27,125 MHz Grundton gesucht
Hallo, für einen diskreten JFET-Colpitts-Oszillator suche ich Quarze auf 27,025 MHz (K6) und 27,125 MHz (K14), zwingend Grundton, gern HC-18/U / HC-25/U / HC-49/U. Auf den Kanalfrequenzen finde ich fast nur 3.OT-Ware. 27,125 war
auch, mit Spule und Abgleich. Genau das will ich aber nicht, das wäre ein anderes Projekt. Zum JFET: Der lag erstens rum, zweitens ist er für genau diese Anwendung schlicht die Lehrbuchwahl. Hochohmiges Gate heißt der Quarz wird praktisch nicht bedämpft, die Betriebsgüte bleibt hoch und der Drive
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[Leistungselektronik]: sicheres Schalten von Gleichspannung/Gleichstrom
Kennt jemand sowas? Nach einiger Suche könnte das vielleicht die Antwort auf die Frage sein: SiC-JFETs (Siliziumkarbid-Sperrschicht-FETs), von Infineon. Werden angeblich bevorzugt in der Lauft- und Raumfahrttechnik zum Schalten benutzt; wahrscheinlich auch dementsprechend unbezahlbar.
Beitrag #8063388: > Nach einiger Suche könnte das vielleicht die Antwort auf die Frage sein: > SiC-JFETs (Siliziumkarbid-Sperrschicht-FETs), von Infineon. Auch die verhalten sich so wie Halbleiter es eben tun.
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2P903A / KP903W Wo Kaufen?
ein HF Projekt (Colpitts Oszillator) bin ich auf der Suche nach dem sowjetischen N-Kanal Leistungs-JFET vom Typ 2P903A (2П903А) bzw. der zivilen Version KP903A. Hat zufällig noch jemand ein oder zwei Exemplare aus alten NOS-Beständen in der Bastelkiste liegen, die er abgeben möchte? Falls niemand
erhältlichen, westlichen Ersatztyp im ähnlichen Leistungsbereich (ca. 6W Verlustleistung, N-Kanal Depletion/JFET, VHF-tauglich)? Mir fallen spontan leider nur schwer beschaffbare Klassiker wie der CP643 oder U310 (der hat aber deutlich weniger Leistung) ein. Ich freue mich über Angebote oder Tipps zur Beschaffung
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Fehlersuche Konstanstromquelle LM317LZ
dabei nicht. Die Bezeichnung "Konstantstromquelle" sagt das schon. Man könnte übrigens auch einen JFet mit einem Widerstand als gute Konstantstromquelle betreiben, wären nur 2 Bauteile. Einziger Nachteil ist die Notwendigkeit des individuellen Abgleichs des Widerstandes.
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PNP High Side Switch
schrieb im Beitrag #8057674: > Das passiert bei so kleinen MOSFETs ratzfatz. Ne, ne, ne. Eher bei JFETs.
: > H. H. schrieb: >> Das passiert bei so kleinen MOSFETs ratzfatz. > > Ne, ne, ne. Eher bei JFETs. Unsinn.
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Neue Bauteile: Steckverbinder, Sensoren, Oszillatoren und mehr
Bildquelle: https://www.linearsystems.com/post/introducing-the-lsbf862-a-next-generation-low-noise-jfet-for-high-precision-analog-designs (Mit Dank an arnkrens) ### SV Microwave – BNC-Stecker für bis zu 65GHz Wo fortgeschrittene RF-Steckverbinder sind, ist die Torque Wrench meist nicht sonderlich
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Werbung für den LSBF862 JFET
Introducing the LSBF862: A Next-Generation Low-Noise JFET for High-Precision Analog Designs When NXP discontinued the BF862, engineers around the world were left searching for a true low-noise replacement that preserved performance, ensured long-term supply
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Schaltplan und Kennlinien eines N-JFETs
N-JFET-Basics-002 N-JFET Testschaltung V1: 0 ... 10V (in Schritten von 0.01V) Vgs: 0 ... -5V (in Schritten von -1V) R1 1 Gate Drain J1 2N3819 Source .dc V1 0 10 0.01 .step param Vgs 0 -5 -1 x = 3.22V y = 3.49mA
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Schaltplan und Kennlinie eines JFET-Transistors
N-JFET-Basics-001 P-JFET-Basics-001 V1 R1 1 Drain Gate J1 2N3819 Source V2 {Vgs} .tran 1s .step param Vgs 0 -5 -1 I(R1) 0.2A 0.0A -0.2A -0.4A -0.6A -0.8A -1.0A -1.2A -1.4A -1.6A -1.8A -2.0A -2.2A 0.0s 0.1s
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Schaltplan und Kennlinie eines JFET-Transistors
P-JFET-Basics-001 N-JFET-Basics-001 V2 Vgs Source Gate 2N5018 J1 Drain R1 PWL(0 0 1 10) .tran 1s .step param Vgs 0 -5 -1 0.2A 0.0A -0.2A -0.4A -0.6A -0.8A -1.0A -1.2A -1.4A -1.6A -1.8A -2.0A -2.2A x = -0.144s
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JFET - Beschaltung
N-JFET und einmal für P-JFET. Außerdem noch 2 kleine Fragen: - Beim N-JFET muss stets Ugs < 0 sein, stimmt's? - Beim P-JFET muss stets Ugs > 0 sein, stimmt's? Danke schon einmal für Eure Mühen!
gut aussehen, ist + und - der V2 beim PFet verkehrt > für Param 5V. Genau umgekehrt! Beim P-JFET ist die Vorspannung V2 richtig rum angeschlossen, aber beim N-JFET ist die Vorspannung verkehrt rum angeschlossen. Ein N-JFET (N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor) ist ein selbstleitendes Bauelement
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Schaltplan und Kennlinien eines JFET-Transistors
P-JFET-Basics-001 N-JFET-Basics-001 V(Drain)*I(R1) (normal) x = -0.791s y = 2.80V, 5.60mA I(R1) V1 V2 Source Gate Drain 2N5018 J1 R1 1 PWL(0 0 11 10) .tran 1s .step param Vgs 0 5 1 20mA 18mA 14mA 12mA 10mA
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Schaltplan und Kennlinien eines JFET in Simulationssoftware
N-JFET-Basics-001 V1 R1 1 Gate Drain J1 2N3819 Source V2 {Vgs} .tran 1s .step param Vgs 0 -5 -1 x = -1.559s y = 6.93mA I(R1) 12mA 11mA 10mA 9mA 8mA 7mA 6mA 5mA 4mA 3mA 2mA 1mA 0mA 0.0s 0.1s 0.2s 0.3s 0.4s
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DCF-Uhr from Scratch
Endeffekt aber kein Hexenwerk. Statt dem Dekoderchip an der Antenne den Schwingkreis hochohmig mit JFET abgreifen, etwas verstärken, direkt, ohne Mischer/Demodulation, an den ADC. 77,5 kHz ist jetzt keine Hochfrequenz, aber etwas schneller als der AVR-Arduino-ADC sollte der schon sein. (STM32, RP2040
schrieb im Beitrag #8048674: > Statt dem Dekoderchip an der Antenne den Schwingkreis hochohmig mit JFET > abgreifen, etwas verstärken, direkt, ohne Mischer/Demodulation, an den > ADC. Würde ich auch so machen. Heutzutage kann man sogar die Bilder auf der Schallplatte der Voyager Weltraumsonden
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Schutzdioden BJT-Linearregler
passen könnte. Könnte man die Ube-Stromquelle durch eine PNP-Eintransistor-Stromquelle oder eine JFET-Stromquelle ersetzen? Das würde ein paar Bauteile sparen.. Wobei ich keinen JFET mit Uds von 100V kenne. > In der Simulation ist die Schaltung auch ohne C4 und ohne CL stabil. > Das Bodediagramm
#8045850: > Könnte man die Ube-Stromquelle durch eine PNP-Eintransistor-Stromquelle > oder eine JFET-Stromquelle ersetzen? Das würde ein paar Bauteile > sparen.. Wobei ich keinen JFET mit Uds von 100V kenne. Ja, eventuell wird aber der Ripple etwas schlechter. Es gibt selbstleitende Mosfets, etwa
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Schutz von OPAmp gegen 300V - aber rauscharm und ohne Quelle zu belasten
die Schaltung immerhin 10 W während eines 100V Pulses. Ich habe jetzt noch eine uralte Lösung mit JFETs gefunden - ist das noch aktuell oder sind die Dinger mittlerweile komplett EOL? https://electronics.stackexchange.com/questions/565893/replacement-for-low-resistance-jfet-current-limiter
Ich nehme an, dass ich meine Idee mit den JFETs gar nicht umsetzen könnte, da die ja gar nicht hinreichend spannungsfest sind, oder?
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Schaltplan und Messkurven einer Schaltung
2N4391 39k 20 370 370 linke Schaltung rechte Schaltung Output 11.0m 10.9m 10.8m 10.7m 10.6m 10.5m 10.4m 10.3m Time (s) 0.00 1.00m 2.00m 3.00m -80 -90 -100 -110 -120 -130 Gain (dB) 100 1k 10k 100k 1MEG
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Topologie Konstantstromsenke
Ths S. schrieb im Beitrag #8030726: > - wie kann ich den Ri der JFET-Konstantmstromsenke erhöhen? > Kaskode-Schaltung? Ja. Der JFet braucht viel Vds aber bei zuviel Vds gibts Leckströme. Die Werte sind zu niedrig. > - wie kann ich die Bandbreite der Ube- oder
Glaube der TO will dafür JFET verwenden, weil die Schaltung rauscharm werden soll. In dem Falle muss alles von der Schaltung mit der Regelung auf der Sourceseite sitzen.
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Germanium-Halbleiter auf einer Platine fixieren
ohnehin erst mit einem Silizium-FET oder -MOSFET > möglich, Der erste Transistor soll ja ein FET (JFET?) gewesen sein, vielleicht war der noch mit Germanium gemacht.
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P-Kanal MOSFET/JFET - Wo liegt derzeit max. Ugth und min. Rds_on?
Hallo zusammen, anbei hätte ich eine Frage bezogen auf p-Kanal Typen von MOSFET/JFET. Wo liegen derzeit die Daten für die maximale Spannungsfestigkeit Drain-Source und zweitrangig für kleinen On-Widerstand Drain-Source? Zu finden im Netz wäre zum Beispiel folgender Typ: ©
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Mini Loopantenne mit NE592N14
Verstärkers schaltungstechnisch gelöst werden kann. Nach heutigen Maßstäben im Fall (1) z.B. eine JFET-Eingangsstufe als Source-Follower, im Fall (2) z.B. eine Transistorstufe in Basis-Schaltung. Die Verwendung von Impedanztransformatoren am Eingang (nicht am Ausgang) macht somit keinen Sinn. Insbesondere
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SMP/2N/PN4117A - Wahrscheinlichkeit „Fake“
ab 1.00 Stück 1,45€) - https://www.mouser.de/c/semiconductors/discrete-semiconductors/transistors/jfets/?q=Smp4117a Nun gibt es bei diversen asiatischen Händlern Angebote a la „10 Stück für 9,95€“. Wie hoch ist die Wahrscheinlichkeit, dass ich da Fakes kaufe? Solche Reinfälle hatte ich z.B. mit
Vielleicht 95%, wenn Du Glück hast. So viel Glück gibts nicht. Mit viel Glück bekommt man überhaupt JFETs, meist nur BC547 o.ä.
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Messingtank Niveausonde abfragen
liegen kann. Danach musst du den Pegel auf 10V-24V aufmöbeln. Alternativ vielleicht mit einem JFET Opamp, der auch an 24V unipolar gut läuft, dann sparst du den Levelshifter. Linear wird der Sensor nur, wenn du den Verschmutzungsgrad des Sensors und den Ionengehalt des Wassers genau kennst...
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LED Tester nach Arno - Vorlage
Arno R. schrieb im Beitrag #8001696: > Schaltplan im Anhang. > > Der JFet sorgt für eine hohe Betriebsspannungsunterdrückung und trägt > zum hohen Ausgangswiderstand bei. Der Strom durch den 2N3819 ist etwa > 3,5mA. R2 und R3 sind Schutzwiderstände für den LM385, um bei
Arno R. schrieb im Beitrag #8001696: > Schaltplan im Anhang. > > Der JFet sorgt für eine hohe Betriebsspannungsunterdrückung und trägt > zum hohen Ausgangswiderstand bei. Der Strom durch den 2N3819 ist etwa > 3,5mA. R2 und R3 sind Schutzwiderstände für den LM385, um bei
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TBB0324 was ist das
Zu denen gibt es die Angabe 100 MOhm 2pF (differentiell). Also lt Funktionsschaltplan sind das JFets in der Eingangsstufe, keine Mosfets. Deshalb heißt die Technologie auch BiFet (also Bipolar und JFets auf einem IC). Bei den Dingern, die statt dessen Mosfets drin haben, nennen sich das BiMOS.
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Philips PM 3230 Röhrenscope Erweiterung
Halbleitern. Geht mir auch so, nur kann ich mir den Sinn nicht erklären. Warum hat man das gemacht? JFETs (die dem Verhalten einer Pentode nahe kommen) gab es doch damals auch schon, oder?
> > Geht mir auch so, nur kann ich mir den Sinn nicht erklären. Warum hat > man das gemacht? JFETs (die dem Verhalten einer Pentode nahe kommen) gab > es doch damals auch schon, oder? Die Röhren dienen vermutlich als Endstufen für die Ablenkplatten. Dafür sind Spannungen von bis zu 200V nötig
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Türklinger verstärken ohne elektrischen Eingriff in Hausanlage
soll man daraus folgern wenn sie als Arbeitspunkt dann zusätzlich 0V beschreiben? Am Eingang ein JFET oder depletion-MOSFET?
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Erfahrung mit Vermischen verschiedener Lötzinnlegierungen
aufeinandertreffen" ? Als Beispiel: Ich habe vor einiger Zeit an solchen PTFE-Lötstützpunkten ein neues Bauteil (JFET am Eingangsverstärker eines Digitalmultimeters) eingelötet. Diese Lötstellen wurden bei der Herstellung evtl. mit Sn50Pb32Cd18 gelötet (Cadmium-Lot). Ich habe nun aber das gute "alte" Sn60Pb40 verwendet
> Als Beispiel: Ich habe vor einiger Zeit an solchen PTFE-Lötstützpunkten > ein neues Bauteil (JFET am Eingangsverstärker eines Digitalmultimeters) > eingelötet. Diese Lötstellen wurden bei der Herstellung evtl. mit > Sn50Pb32Cd18 gelötet (Cadmium-Lot). Ich habe nun aber das gute "alte" > Sn60Pb40
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Unbekannte Funktion in low-noise Amp
. JFet öffnet etwas mehr. Draingriff wird wieder etwas Richtung negativer gezogen. ==> wirkt entgegen.
Marian schrieb im Beitrag #7951844: > T2 ist dein JFET; R7/R8/JFET legen den Querstrom in > der Stufe irgendwo in den Sättigungsbereich. C4 ist > nur zum Auskoppeln da, Ja. > R9 für den DC-Arbeitspunkt vom OPV. Nicht nur. Der OPV arbeitet
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Neue Espressif-Softwaremodule, große Politik und Spaß mit Metrologie
Video https://www.youtube.com/watch?v=Cz3iLWqTbrc zur Verfügung, das unter der URL How to Simulate a JFET Amplifier with Q-spice darüber informiert, wie man JFET-basierte Verstärker unter Nutzung von QSpice simuliert. Ein weiterer interessanter Einsatz-Bereich für JFETs ist die Nutzung für Geräte, die mit sehr wenig Energie auskommen. Hierzu steht unter der URL https://www.interfet.com/jfet-application-notes/design-considerations-for-using-jfets-in-iot-low-power-devices/ das Paper Design Considerations for Using JFETs in IoT and Low-Power Devices zur Verfügung.
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Eingangsschutz/Diode mit geringem Leckstrom für OPV zur Strommessung im KFZ
www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/ovprot.htm gibt es noch die Variante im nA-Bereich mit JFET als Zwischenlösung. Hier ist der Teil mit JFET nur für die Diode nach Vcc im ersten Schaltbild: https://electronics.stackexchange.com/questions/549757/why-do-op-amps-need-input-protection-when-the-input-impedance-is-very-high
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KiCAD: Erstellung von Bauteil-Bibliotheken
schon Recht viele Bauteile. Die verschiedenen Transistoren (z.B. NPN/PNP bipolar, N/P-MOSFET, N/P-JFET, Darlington, IGBT) sind 8 Symbole aber damit auch insgesamt 48 Pinkombination, wenn man nur Footprints mit 3 Pads berücksichtigt. Es gibt aber auch nicht selten SO8 oder PowerSO8 mit wer weiß wie viel
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Produktseite des BF244A Transistors bei Mouser
Alle Produkte > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Transistoren > HF-Transistoren > JFET HF-Transistoren > onsemi / Fairchild BF244A BF244A onsemi Mouser-Nr.: 512-BF244A Herst.-Nr.: BF244A Herst.: onsemi / Fairchild Kunden-Teilenr: Kunden-Teilenr Beschreibung: JFET HF-Transistoren N-Ch
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Schaltplan eines Mikrofon-Vorverstärkers mit Phantomspannung
Sound pressure in Pa Vsound Drives 0.5 mA through the mic STINE(0 2 440) VE VCCS 8e-equivalent 62 JFET equivalent V2 R5 1k C4_pos 4.7µ C4_neg Pin 1 (Tip) TS to XLR Pin 2 XLR Pin 2 Pin 2 (Sleeve) XLR Pin 3 Shield XLR Pin 1 BAT_GND .tran 0.5
