MOSFET mit sehr kleinem IDSS & IGSS gesucht

@Rene B. (yob) Benutzerseite

>wie im Titel beschrieben suche ich MOSFETs mit sehr kleinem
>Drain-Source-Leak-Current & Gate-Source-leak-Current. Diese müssen
>kleiner als 1µA sein!

Das macht dir jeder 0815 KleinsignalMOSFET, ala BSS123.

>-> Fazit: Pefekt aber echt teuer für meine Anwendung.

Was ist denn deine Anwendung? Vielleicht nimmst du besser gleich fertige 
Analogschalter.

MfG
Falk

@ Autor:  Falk Brunner (falk)

Hm, ich frage mich gerade wieso ich immer nur welche mit 10-25µA Idss 
gefunden habe auch N-Channel Enhancement Mode, komisch.

Anwendug ist eine Impedanzmessung(10mVrms, 1KHz) von sehr vielen 
Energiespeichern über mehrere Monate. Analog-Schalter kann ich aufgrund 
des sehr hohen Übergangswiderstandes (in der Regel 300-500ohm, stark 
abhängig von der Signalspannung) im geschlossenen Zustand nicht 
einsetzen.

Beim MOSFET ist der Ron zwar vom Drainstrom abhängig, dieser ist jedoch 
vernachlässigbar klein. Ich messe keine Miliohm.

Normale Relais benötigen einen einen mindest Stromfluss über dem 
Schließkontakt damit der im Datenblatt angegebene Übergangswiderstand 
stimmt.
Dieser ist aber meist unbekannt bzw. mind. 1mA. Die Energiespeicher 
dürfen jedoch sowenig wie möglich entladen werden, wobei 1µA meine 
Schmerzgrenze ist.

Reedrelais hatte ich erst noch als Idee im Kopf, wobei ich aber keine 
Erfahrung mit diesen habe und diese auch viel zu teuer sind.

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VG, Rene

Analogschalter 300-500 Ohm, wenn geschlossen? Quatsch.
Selbst so ein altes Teil wie der CD4066 hat weniger (80 Ohm @ 15V).
http://www.fairchildsemi.com/ds/CD%2FCD4066BC.pdf

Ich habe diese Daten aus dem Datenblatt des 4051, welcher mir bekannt 
ist.

http://www.fairchildsemi.com/ds/CD/CD4051BC.pdf | Seite 5 @ VDD = 5V

Eine Versorgungsspannnung von 15V wollte ich nicht von Anfang einplanen, 
würde diese aber als Option in Betracht ziehen.

Ich bitte um Entschuldigung für die fehlenden Angaben.

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VG, Rene

Also BS107 z.B. als erster ind er BS-Reihe hat schon mal nur wenige 
10nA. Ich denke, das geht mit den anderen BS-Typen so weiter ...

Ich war auch überrascht von den 30nA beim BS107.
Hatte da auch eher uA von Power-Mosfets in Erinnerung.

Hab mal gegoogelt.

BS107: 30nA bei 25°C

BS170: 500nA bei 25°C

BS123: 250uA bei 25°C (Fehler im Datenblatt?)

Moin,

ich habe hier das Datenblatt von Gerneral Semiconductor vorliegen und 
kann die Angabe von IDSS = 250µA (auf Seite 2) bestätigen.

Die kurze Info von "Autor:  Falk Brunner (falk)" hat mich auf den 
richtigen Pfad geführt. Wenn man weis wo man suchen kann ist es viel 
einfacher, zumal mir bewusst ist das es immer jemanden gibt der sich 
besser auskennt als man selbst ;-).

In diesem Sinne ein herzliches Danke schön an alle.

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VG, Rene

General Semiconductor wurde von Vishay geschluckt und die wollen ihn 
nicht mehr kennen. Das obsolete DB ist für andere Hersteller nicht 
verwendbar.
NXP und Co bieten da bessere Werte.

Arno