Hallo, ich suche einen Transistor der eine niedrige UBE(Sat) Voltage hat. Weitere anforderungen: -Wald und Wiesen Typ (kommt mir bitte nicht mit Germanium) -SOT-23 oder ähnliche Größe Wozu? Ich will einen Spannungsfolger aufbauen. Dabei geht es um mikrige Ströme, max. 1mA I-Collector, warscheinlich noch geringer. Wer hat einen heissen Tip für mich? Grüße Michael
Gast
#2121514
SFet, der bei Idss betrieben wird, hat Ugs=0. Z.B. BF256A bei Id~5mA.
Gast
#2121528
Michael H. schrieb: > Hallo, > ich suche einen Transistor der eine niedrige UBE(Sat) Voltage hat. > Weitere anforderungen: > -Wald und Wiesen Typ (kommt mir bitte nicht mit Germanium) > -SOT-23 oder ähnliche Größe > Wozu? > Ich will einen Spannungsfolger aufbauen. Dabei geht es um mikrige > Ströme, max. 1mA I-Collector, warscheinlich noch geringer. > > Wer hat einen heissen Tip für mich? Wieviel Ube(sat) brauchst Du denn? Bei den geringen Strömen kannst Du aber auch einern Standardtransistor nehmen und Emitter und Kollektor vertauschen. Dann ist UBe(Sat) geringer. Die Stromverstärkung allerdings auch. Gruss Harald
Gast
#2121529
Situation: 1. Es ist unbekannt was der TO unter "UBE(Sat)" versteht.
Aber leitet der dann nicht immer, wenn die Cutoff-Voltage minus 8Volt beträgt? Update: Je geringer die UBe ist, desto besser. Stromverärkung sollte mind. 50 sein. (Richtwert)
Gast
#2121559
Michael H. schrieb: > Je geringer die UBe ist, desto besser. Stromverärkung sollte > mind. 50 sein. Ein Sfet, wie oben gesagt betieben, hat "UbE=0" und Stromverstärkung ->oo, reicht dass nicht? Ich glaube du hast keine Ahnung.
Gast
#2121567
Glaskugel schrieb: > Situation: > > 1. Es ist unbekannt was der TO unter "UBE(Sat)" versteht. Ooh, ich habe an UCe(at) gedacht. Ube(Sat) gibts ja eigentlich nicht. Da die Steuerspannung eines Si-Transistors vom Material Silizium abhängt kann die bei unterschiedlichen Typen auch nicht allzu unterschiedlich sein. Gruss Harald
Meinst Du wirklich Ube? Oder vielleicht Uce? Ube ist ja mehr oder weniger wie bei einer normalen pn-Diode materialabhängig festgelegt. Da wird es also von Typ zu Typ kaum gravierende Unterschiede geben, wenn wir innerhalb einer Technologie bleiben.
Gast
#2121583
So richtig blicke ich in der Aufgabenstellung auch nicht durch. Wenn man einen Spannungsfolger mit einen Transistor machen will, nimmt man die Kollektorschaltung mit einer Spannungsverstärkung von 1. Soll es nun AC oder DC sein? Vor Jahren waren Transis mit Epitaxial-Planar Technologie diejenigen, die niedrigere Sättigungsspannungen hatten. Wie das heute ist? Man muß da ins Datenblatt schauen. Die Serie BC546 f.f. sind solche.
> Ich will einen Spannungsfolger aufbauen. Dabei geht es um mikrige > Ströme, max. 1mA I-Collector, warscheinlich noch geringer. Wie wärs mit einem Operationsverstärker als Spannungsfolger? Der hat eine sehr hohe Verstärkung und praktisch keine Spannungsdifferenz zwischen Ein- und Ausgang. Was willst du den damit machen? Wie ist der Spannungsbereich die Frequenz bzw. max. Anstiegszeit, ...
Gast
#2121591
Jens G. schrieb: > Meinst Du wirklich Ube? Oder vielleicht Uce? Michael H. schrieb: > Ich will einen Spannungsfolger aufbauen. Naja, wenn er wirklich einen Spannungsfolger bauen will, dann meint er wohl Ube, Uce wäre doch uninteressant. Wenns unbedingt bipolar sein muss, kann man einen (komplementären) Emitterfolger mit Vorspannung benutzen, oder einen (komplementären) SFet-Sourcefolger ohne Vorspannung. Oder einen einfachen Sourcefolger wie schon beschrieben.
Einfach einen PNP und einen NPN Emitterfolger hintereinanderschalten. Das ergibt dann fast 0V Differenz zwischen Eingang und Ausgang. Aufgrund von Streuungen gibt's halt dann doch 100mV Differenz. Das ist aber auf jeden Fall viel weniger als die 0,7V Ube.
Gast
#2122004
> So richtig blicke ich in der Aufgabenstellung auch nicht durch.
Der OP auch nicht.
Er fordert eine niedrige SÄTTIGUNGSspannung,
aber nur 1mA, also ist der Transistor sicher nicht gesättigt.
Ube ist zunächst mal abhängig von der Technologie, also Silizium.
Es addiert sich Uce, aber die ist bei 1mA unrelevant.
Und warum soll ein Spannungsfolger mit möglichst wenig
Spannungsunterschied folgen ? Das ist doch nur eine
Bezugsfrage.
Vermutlich fehlt ihm elektronisches know how,
so daß er zu einem Problem kommt, welches alle anderen nicht
haben.
Also erstmal danke für eure freundlichen Worte =) Wenn ich das Datenblatt vom BF256 richtig lese, hat der eine Cutoff-Voltage von -8 Volt. D.h. er würde doch immer leiten, und als Spannungsfolger (Eingangsspannung=Ausgangsspannung) nicht taugen. Korrigiert mich bitte wenn ich falsch liege. Nochmal damit es klar wird: Ziel ist es die Impedanz von einem Signal zu wandeln, wobei Eingangsspannung=Ausgangsspannung sein soll. Das ganze muss aber saugünstig sein (richtwert 2cts), daher fliegt ein OP raus. Definitiv wäre das die bequemste Lösung. In der Praxis ist es aber bei einem NPN-Spannungsfolger so, dass Ausgangsspannung=Eingangsspannung-Ube ist. Und ich möchte UBE minimieren.
@ Michael H. (overthere) >Nochmal damit es klar wird: Ziel ist es die Impedanz von einem Signal zu >wandeln, wobei Eingangsspannung=Ausgangsspannung sein soll. Das bekommt man mit EINEM Transistor allein nicht hin. > Das ganze >muss aber saugünstig sein (richtwert 2cts), Aha, mal wieder Milliardenstückzahlen. > daher fliegt ein OP raus. Wenn das mal kein Fehler ist. >In der Praxis ist es aber bei einem NPN-Spannungsfolger so, dass >Ausgangsspannung=Eingangsspannung-Ube ist. Und ich möchte UBE >minimieren. Tja, dann mal viel Spass mit dem Murks. UNd mit Offsets, Temperaturdrift etc. Ganz abgesehen davon, dass so zimlich JEDER NPN ~0,7V UBE hat. Jaja, es gibt noch Germanium, aber das sind Exoten mit vielen negativen Eigenschaften, u.a. die Verfügbarkeit. MFG Falk
>muss aber saugünstig sein (richtwert 2cts), daher fliegt ein OP raus.
In wieviele Transistoren willst Du denn investieren? In einen halben?
Um einen Spannungsfolger zu basteln, brauchste sicherlich noch ein
bißchen mehr als nur diese 2 cent. 2 T's wie schon oben angedeutet und
paar R's drumherum mssste schon mal investieren. Wobei das Ergebnis
trotzdem alles andere als genau ist.
Gibt es von dem NPN-PNP Spannungsfolger eine Skizze, damit ich das kapiere, denn das was ich gerade denke, kann nicht sein.
Gast
#2122281
Michael H. schrieb: > Gibt es von dem NPN-PNP Spannungsfolger eine Skizze Ist jetzt nicht dein Ernst oder?
Gast
#2122285
War ein blödes Bildformat, daher hier nochmal.
Angehängte Dateien:
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Noname.jpg
(4,6 KB)
Ich würde das mal so ansetzen:
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Pech, Zweiter... ;-) @ Michael H. Lass dann mal hören, obs geklappt hat...
Das simuliert sogar... :-o Was man allerdings sieht, ist, dass die 10V am Ausgang logischerweise nicht erreicht werden, das war bei der vorigen Schaltung noch andersrum. Da wurden die 0V nicht erreicht...
Angehängte Dateien:
-
Spannungsfolger2.gif
(26 KB)
Schau mal explizit nach Schalttransistor oder Typen von Zetex. Außerdem kann man Transis invers betreiben, dann wird die Stromverstärkung schlecht, UCEsat aber sehr klein.
Abdul K. schrieb: > UCEsat aber sehr klein. Für Michael höchst uninteressant. Als Tipp: lies mal die Frage durch... :-/
Lothar kennt mich wohl gut ;-) Sorry, ich dachte Uce. Ube ist ja eher ungewöhnlich. Eigentlich wurde also alle Optionen genannt. Naja, es gibt noch programmierbare FETs. Bei denen ist sozusagen eine interne Spannungsquelle in Reihe zum Steuereingang. Guckst du: http://www.aldinc.com Sind aber nicht wirklich billig. Um die nächste Meckerei gleich abzublasen. Würde mich nun wundern, wenn es noch was für mich bislang unbekanntes gäbe...
Gast
#2126589
Abdul K. schrieb: > Lothar kennt mich wohl gut ;-) > Sorry, ich dachte Uce. Ube ist ja eher ungewöhnlich. Selbst mit diesem Irrtum warst du nicht der Erste. :-) Gruss Harald
Ach, meist laß ich euch tagsüber quatschen und gebe dann mitten in der Nacht meinen Senf hinzu. So kann mir zumindest für einige Stunden keiner widersprechen.
Abdul K. schrieb: > Ach, meist laß ich euch tagsüber quatschen und gebe dann mitten in der > Nacht meinen Senf hinzu. So kann mir zumindest für einige Stunden keiner > widersprechen. Ach so machst du das.
DG-FET. Jetzt ist aber das Hirn leer, sorry.
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