Gast
#2175924
Hallo zusammen, siehe Betreff... Danke!!
Gast
#2175927
einige Ergänzungen: Vdd = 3.3V Vgs = 3.3V Idd < 1mA
Gast
#2175934
bss123
Gast
#2175957
Danke für die Empfehlung! Die Schaltzeiten schauen sehr gut aus, die Delays - geht noch. Was ich mich frage ist, als "Test Conditions" ist angegeben: VDD = 30 V, ID = 0.28 A, VGS = 10 V, RGEN = 6 W ich muss Vdd und Id um mehrfaches kleiner machen, werden die Zeiten da nicht sehr viel länger dabei?
noips schrieb: > ich muss Vdd und Id um mehrfaches kleiner machen, werden die Zeiten da > nicht sehr viel länger dabei? Ich würde eher auf "viel kleiner" tippen. Schau dir mal im Datenblatt das VDD vs Total-Gate-Charge Diagram an. Kann mich aber auch irren, wenn in deiner Anwendung die Gate-Charge garnicht das Limitierende ist.
Gast
#2176115
Genau, besonders das große Turn-off delay geht mit 3,3V am gate sehr viel runter, bestimmt so auf 2ns.
Gast
#2176294
Hab jetzt ein Simulationsmodel von Fairchildsemi runtergeladen und mit PSpice simuliert. Also mit 3.3V an Vdd und Vgs bekomme ich nur dann Delay- und Schaltzeiten unter 10 ns, wenn der Strom Id so bei 200mA liegt. Ich möchte aber einen sehr kleinen Strom < 1mA wie weiter oben geschrieben. Wenn ich den Drain-Widerstand so dimensionere, dann bekomme ich Zeiten von mehr als 100ns.
Aeh. Ja. Von nichts kommt nichts.
noips, vielleicht eignet sich ja ein Digital-MOSFET, z.B. AHC1GU04 oder LVC1GU04? Ciao, Yagan
Gast
#2176417
Yagan z. Dongobar schrieb: > vielleicht eignet sich ja ein Digital-MOSFET, z.B. AHC1GU04 oder > LVC1GU04? das sind doch single inverter gates
noips schrieb: > Yagan z. Dongobar schrieb: >> vielleicht eignet sich ja ein Digital-MOSFET, z.B. AHC1GU04 oder >> LVC1GU04? > > das sind doch single inverter gates Ja sicher, sind aber optimal als schnelle Schalter bei 3,3V und niedrigem Strom geeignet. Was soll denn am Ausgang des MOSFETs geschaltet werden?
Gast
#2176484
Ich denke, die sind genau das, was ich brauche. Besten Dank für den Tipp!!
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