Benjamin K. schrieb:
> die Steilheits-Grenzfrequenz zu
> bestimmen
Die hängt von der Quelle am jeweiligen Gate und den Kapazitäten
innerhalb des FET ab. Doch Vorsicht: die Gate-Drain-Kapazität wird durch
den Miller-Effekt evtl. stark vergrößert:
Die Spannung am Gate sei nun Uin, die am Drain -Uin*k(AC-mäßig zu
betrachten).
Durch die Verstärkung der Spannung von Gate zu Drain mit einem
Verstärkungsfaktor, nenne ich mal k, sieht die Gate-Drain-Kapazität
einen Spannungsunterschied von (1+k) * Uin. Die GD-Kapazität sieht also
vom Gate aus gesehen um den Faktor (1+k) größer aus, als sie tatsächlich
ist.
Man kann diesem Problem mit einer niederohmigen bzw. niederimpedanten
Ansteuerung des Gates begegnen. Die Obergrenze ist jedoch spätestens
dann erreicht, wenn bereits die Ansteuerung eine Verlustleistung im FET
erzeugt, die für diesen nicht mehr tragbar ist.
Eine zweite Lösung ist, das Gate mit einer Stromquelle anzusteuern. Da
die Spannung an einem Kondensator das Integral des in ihn
hineinfleißenden Stromes ist, muss man sich für die Dimensionierung
dieser (gesteuerten) Stromquelle für eine "Schaltzeit" entscheiden(*).
mfg mf
(*) Dass diese Schaltzeit nicht beliebig klein sein kann, dürfte
einleuchten :)
