Hi Ich bin gerade dabei Z-Dioden zu bestellen um die Spannung an einem Mosfet begrenzen.Nur fliesst da ein strom von 600mA,Reichelt hat aber nur 1,3 Watt Z-Dioden ich dachte mir, dass ich dann 2 Parallel schalte. Kann man die ohne ausgleichswiederling Parallel schalten und jede um 0,2 Watt überlasten? Die Frequenz liegt bei 15khz.
Gast
#2239423
Johannes L. schrieb: > Kann man die ohne ausgleichswiederling Parallel schalten Du kannst auch 5 parallel schalten und es wird trotzdem aufgrund der zu hohen Streuungen nicht funktionieren. Ein Leistungstransistor zusätzlich zur Z-Diode ist ausreichend (KK nicht vergessen).
Johannes L. schrieb: > Hi > Ich bin gerade dabei Z-Dioden zu bestellen um die Spannung an einem > Mosfet begrenzen.Nur fliesst da ein strom von 600mA,Reichelt hat aber > nur 1,3 Watt Z-Dioden ich dachte mir, dass ich dann 2 Parallel schalte. > Kann man die ohne ausgleichswiederling Parallel schalten und jede um 0,2 > Watt überlasten? Die Frequenz liegt bei 15khz. Das sagt dir doch das Datenblatt der Z-Diode? Um welche gehts denn? Wie schaut die Schaltung konkret aus, die dir vorschwebt und was willst du damit bezwecken (und warum)?
das klingt irgenwie tragisch. mach am besten mal ne Zeichnung und den Erklärbär. Klaus
Gast
#2239429
Vorschlag 1: 2 Z-Dioden mit halber Spannung in Reihe, oder Vorschlag 2: 1 kleine ZD einem bipolarTransistor zwischen Basis und Kollektor, der verheizt dann die Leistung. mfG ingo
Johannes L. schrieb: > um die Spannung an einem > Mosfet begrenzen.Nur fliesst da ein strom von 600mA aber es klingt doch abstrus. Eigentlich kann ich mir die Notwendigkeit im Moment nicht vorstellen. k.
Ingo Wendler schrieb: > Vorschlag 1: > 2 Z-Dioden mit halber Spannung in Reihe Hört sich gut an gibt es da Nachteile? Im Dateblatt steht das Ptot bei 1W liegt Reichelt verkauftz sie aber als 1,3 Watt typen dann muss ich wohl 3x 5V Z-Dioden in Reihe schalten. Datenblatt:http://www.reichelt.de/index.html?;ACTION=7;LA=3;OPEN=0;INDEX=0;FILENAME=A400%252F1N47xxA.pdf;SID=13TbsAOn8AAAIAAB2sa8w5fd25810d2db4f2ca230afe8a4a3122a
@ Johannes L. (johannesl) >Im Dateblatt steht das Ptot bei 1W liegt Reichelt verkauftz sie aber als >1,3 Watt typen dann muss ich wohl 3x 5V Z-Dioden in Reihe schalten. Nein, du musst was über Netiquette lesen und lernen und einen Schaltplan posten. MFG Falk
Johannes L. schrieb: > Im Dateblatt steht das Ptot bei 1W Das ist der Wert für die Dauerbelastung, beim Impuls darf es idR etwas mehr sein ;) Aber wie Falk schon schrieb: Wo ist der Schaltplan, was hast du genau vor?
So der Schaltplan, das Signal kommt von einem NE 555 + verstärker, die Betriebsspannung der Schaltung ist 20V ,die Last am Fet 5A
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Gast
#2239499
Johannes L. schrieb: > die > Betriebsspannung der Schaltung ist 20V Reduziere die 20 V und laß die Z-Diode weg.
Gast
#2239500
man kann sich eine leistungs z-diode mit hilfe eines transistors basteln.
Gast
#2239506
Moin, bei 10 kHz brauchst du keinen 33 Ohm-Gatewiderstand. Und Z-Dioden werden in Sperrichtung betrieben. Normalerweise langt es, die GS-Strecke mit 10 bis 11 Volt zu klemmen. Beste Grüße, Marek
Gast
#2239507
Sehr wahrscheinlich hält der Fet die 20V auch noch aus. Das ist die neue Art Leistungslos zu schalten :-(
Gast
#2239510
Johannes L. schrieb: > So der Schaltplan Also so funktioniert das schonmal garnicht.
Ich werde mir 3 5V Z-Dioden holen und in Reihe schalten.
Johannes L. schrieb: > Ich werde mir 3 5V Z-Dioden holen und in Reihe schalten. Was ziemlicher Quatsch ist aber OK, deine Entscheidung.
Gast
#2239546
Der IRFP250 kann Vgs +-20V. Also lass die Z-Dioden und den Widerstand weg.
Frickler schrieb: > Der IRFP250 kann Vgs +-20V. > Also lass die Z-Dioden und den Widerstand weg. Hi Frickler, da hast du dem TO aber mal einen tollen Vorschlag gemacht. Da soll er lieber den passenden FET bestellen statt des georgels mit den blöden Dioden. Gruss Klaus
Gast
#2239587
Wie wäre es mit einem einfachen Spannungsteiler an Gate?
Gast
#2239594
Eventuell zusätzlich mit Z-Diode. Gruß John
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John schrieb: > Wie wäre es mit einem einfachen Spannungsteiler an Gate? Ist ja auch wieder schlecht, da durch die Hochohmigkeit die Schaltzeiten wieder schlecht werden würden. Er sollte also tatsächlich den anderen FET nehmen oder gar einen Fet-Treiber-IC dem man dann die UB passend anbietet. .. oder gar ne Clamp-Diode gegen Drain. Gruss K.
Ein Spannungsteiler macht die Ansteuerung niederohmiger, da es vom Gate aus gesehen eine Parallelschaltung ist.
Micha H. schrieb: > Ein Spannungsteiler macht die Ansteuerung niederohmiger, da es vom Gate > aus gesehen eine Parallelschaltung ist. HaHaHaHa, das glaunst Du ? Ich denke da eher an einen Tiefpass mit der Gatekapazität. Klaus
Glauben ist was für Sektenmitglieder, damit habe ich nichts zu tun. Ich halte mich da eher an Kirchhoff´s Regeln, die gelten auch für einen Tiefpass.
Klaus De lisson schrieb: > Frickler schrieb: >> Der IRFP250 kann Vgs +-20V. >> Also lass die Z-Dioden und den Widerstand weg. > > Hi Frickler, > da hast du dem TO aber mal einen tollen Vorschlag gemacht. > Da soll er lieber den passenden FET bestellen statt des georgels mit den > blöden Dioden. > > Gruss Klaus Hallo Klaus, Woher ist dir denn bekannt welche Amplitude sein Signal hat? Ohne den Rest der Schaltung zu sehen kann man eh nichts Sinnvolles vorschlagen.
Klaus De lisson schrieb: > Micha H. schrieb: >> Ein Spannungsteiler macht die Ansteuerung niederohmiger, da es vom Gate >> aus gesehen eine Parallelschaltung ist. > > HaHaHaHa, > das glaunst Du ? > Ich denke da eher an einen Tiefpass mit der Gatekapazität. Siehe Anhang.
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also.. ich lerne gern dazu und will nicht meckern aber: wäre es nicht fair gewesen wenn du das Voltmeter an den Gatekondensator angeschlossen hättest ? Dass das da zwischen "Kirchhoffschen Widerständen" klappt ist doch naheliegend. Klaus
Du meinst du Spannungsquelle? Ich seh da kein Voltmeter. Das "runde Ding" in der Mitte ist eine Spannungsquelle. Messgeräte gibt es in LT-Spice eigentlich nicht, man wählt die Stellen an denen man messen will per Mausklick aus.
Jetzt wo du es sagst sehe ich sogar dass an dem runden Ding sogar "V" dransteht. Aus Gewohnheit mit "Texas Tina" dachte ich, es wäre der Messpunkt. Nun kann ich nur noch anführen dass die Spannungsquelle offenbar ideal ist und keinen Innenwiderstand hat. Auf jedenfall werde ich das Gedönst dieser tage mal in meine Simulationen werfen um herauszufinden warum ich unbedingt meine das Gegenteil dazu zu wissen. Es wird sich noch klären. Ich müsste ja eine Besen fressen wenn Spannungsteiler nun schon in der Lage sind Signalformen zu verbessern. Ich bin also "noch" guter Dinge euch diesen Aprilscherz auszutreiben. Wir lesen uns, Gruss Klaus
Klaus De lisson schrieb: > Dass das da zwischen "Kirchhoffschen Widerständen" klappt ist Kirchhoffsche Widerstände?!
Gibts einen Grund dafür warum die Ansteuerung mit 20V laufen muss?
@ Simon, Johannes etc. Also Leute, ich hab es eben mal in meinen Simulator gekloppt und liege nun quasi mit einem vor Erstaunen offenem Mund vor meinem Bildschirm. Ich hänge mal die Shoots an. .. oberes Oszillogramm ist die Signalquelle -- das mittlere ist der linke Zweig ohne Spannungsteiler -- das untere ist der rechte Zweig ein Shoot ist mit Quellenwiderstand , der andere ist ideal. Irgenwie habt Ihr Recht und ich hätte es nicht geglaubt... Danke! Also benötigt der TO schlichweg nen Spannungsteiler. Gruss Klaus p.s. Grüsse auch an den Kirchhoff
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Klaus De lisson schrieb: > Also benötigt der TO schlichweg nen Spannungsteiler. Würde ich nicht machen. Nachteil eines Spannungsteilers ist: Je schneller der FET schalten soll desto niederohmiger muss der Spannungsteiler sein. Je niederohmiger jedoch der Spannungsteiler ist desto höher sind seine Verluste. Spannungsteiler ist hier eine denkbar schlechte Lösung, dann lieber einen Treiber einsetzen oder das Gate mit Hilfe einiger BiPos zwischen Ub und GND schalten lassen.
Gast
#2240097
Nimm eine 15V oder 18V Z-Diode fast beliebiger Leistung, und klemme die zwischen Eingangsspannung und die Basis eines NPN-(Leistungs)transistors. Bei Überschreitung der Spannung wird die Z-Diode leitend, und steuert den Transistor an, der über die Kollektor-Emitter-Strecke dann die Spannung begrenzt. Der Transistor frißt dann garantiert die überflüssige Spannung UZ+UBE.
Gast
#2240402
Der NE555 mag auch nicht mehr als etwa 15 V. Die sollen sogar ziemlich empfindlich auf zu viel Spannung reagieren. Sonst halt den Vorschlag von oben mit ZD + Transistor (z.B. BD135). Den Widerstand vor dem gate sollte man auch bei der niedrigen Frequenz drin lassen. Da wäre vermutlich auch der NE555 schon kräftig genug den FET direkt ohne extra Verstärker zu treiben.
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