Tiny mit externem FET

> Alle anderen Bauteile sind für eine höhere Leistung ausgelegt,
>nur der TNY280 ist der Flaschenhals.

Der TNY280 ist nicht dafür geeignet, einen externen MosFet anzusteuern.
Bei höherem Leistungsbedarf sollte man zum TOPSwitch wechseln.

Gruß Gerd

Danke für deine Antwort.

Ja, aber es muss doch irgendwie möglich sein, mit dem internen FET einen 
externen ansteuern zu können.

Danke.

plastik abschleifen, gate von fet suchen, bonddraht anheften und 
leistungsstärkeren FET anschließen, leistungsschwachen FET auskratzen

whatthe schrieb:
> plastik abschleifen, gate von fet suchen, bonddraht anheften und
> leistungsstärkeren FET anschließen, leistungsschwachen FET auskratzen

Ok, dan muss ich mir erst für 1000 € neues Werkzeug kaufen.

>Ja, aber es muss doch irgendwie möglich sein, mit dem internen FET einen
>externen ansteuern zu können.

Du könntest ja mal versuchen, einen Hochspannungs-P-Mosfet mit dem Drain 
vom
TNY anzusteuern (z.B. SFR9310: Gate über 100k an Drain des SFR9310).

Allerdings geht dann die Überstrom-Schutzfunktion im TNY verloren.

Gruß Gerd

Ganz wichtig:

Gate-Source-Spannung mit Z-Diode begrenzen (-30V).

Gerd schrieb:
> Allerdings geht dann die Überstrom-Schutzfunktion im TNY verloren.

Das wäre nicht so schlimm, dann müsste ich mir halt einen separate 
Schaltung zur Schutzfunktion überlegen.

Gerd schrieb:
> Du könntest ja mal versuchen, einen Hochspannungs-P-Mosfet mit dem Drain
> vom
> TNY anzusteuern (z.B. SFR9310: Gate über 100k an Drain des SFR9310).

Das hab ich mir auch schon überlegt, es müsste dann ein P-Mosfet 
selbstleitend sein, sehe ich das richtig?
Dann könnte ich das Gate mit dem internen FET herunter ziehen und eer 
würd durch steuern. Ich muss aber dann irgendwie einen Pullup vom Gate 
weg dafür sorgen, dass er auch sauber wieder sperrt. Und das weiß ich 
nicht genau, wie ich es machen soll.
Vorwiderstand und Z-Diode? Ich hab ja nach dem Gleichrichter 325VDC, das 
ist nicht ganz ohne!

Danke

Zwischen Source und Gate 100k und Z-Diode parallel, dann weiter über
330k an Drain vom TNY.

Gruß Gerd

>Zwischen Source und Gate 100k und Z-Diode parallel, dann weiter über
>330k an Drain vom TNY.

Vergiß diesen Quatsch. Du mußt mit einem N-Mosfet schalten.

Gerd schrieb:
> Vergiß diesen Quatsch. Du mußt mit einem N-Mosfet schalten.

Häh, das versteh ich jetzt nicht! Wie soll denn das gehen, kannst du mal 
kurz etwas skizzieren?

Danke.

Ben _ schrieb:
> Das ist alles Murks.

Warum, es geht nur um einen neuen Schaltungsentwurf.

Und wenn man es richtig macht, raucht auch nix ab.