Mosfet U024N Rückarbeitsdiode

Michael (Gast) schrieb:
> Hallo,
>
> Ich wollte eine Halbbrücke aufbauen mit zwei übereinander angeordneten
> Mosfets vom Typ IRFR/U024N. Das Datenblatt befindet sich unter
>
> http://www.produktinfo.conrad.com/datenblaetter/15...
>
> Weis jemand, ob die im Mosfet integrierte Rueckarbeitsdiode den vollen
> Brueckenstrom aufnehmen

M.W. ja.

> und sind diese Dioden auch so schnell wie der
> Schalter selbst.

Nein. Deshalb sieht man auch immer wieder parallele Schottky-Dioden.
Gruss
Harald

> Weis jemand, ob die im Mosfet integrierte Rueckarbeitsdiode den vollen
> Brueckenstrom aufnehmen, und sind diese Dioden auch so schnell wie der
> Schalter selbst.

Dafür wurde so etwas erfunden was sich Datenblatt nennt.

Id und Idm für den MOSFET in Leitrichtung,
Is und Ism für die Diode in Leitrichtung.

Der zulässige STROM ist also bei beiden gleich.
Die Diode ist eine normale Diode, keine Schottky,
aber schon recht schnell, die angegebenen 43-83ns
sind schneller als fast recovery Dioden und so
schnell wie ultra fast recovery Dioden (wie MUR260
etc., was auf den eher modernen MOSFET zurückzuführen
ist, alte waren langsamer). Das steht auch im Datenblatt.


ABER: An der Diode fällt Spannung nach der Diodenkurve an,
bei 17A also 1.3V (ebenso wie an den 0.075 Ohm des MOSFETs
bei 17A 1.275V abfallen und damit dieselbe Leistung), aber
bei 1A sind es an der Diode 0.5-0.75V und am MOSFET
0.075V, also deutlich weniger Leistung am MOSFET. Das kann
bei der Berechnung der abzuführenden Verlustwärme wichtig
sein wenn man ohne Kühlkörper auskommen will, insbesondere
wenn die Dauer, mit der die Diode leitet, länger ist als
die Dauer, die der MOSFET eingeschaltet ist.


Übrigens heisst der MOSFET
IRFR024
oder
IRFU024
je nach Gehäuse, und nie
U024
selbst wenn das auf dem Gehäuse draufsteht.