"do not mount"-Widerstand zwischen nMOS G-S

OP #2539569
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Hallo zusammen,

kann mir jemand einen Tipp geben, wieso R2 im angehängten Schaltplan aus 
einer Application Note mit "dnm" (soll wohl do not mount heißen) 
bezeichnet ist?

Zum Zweck der Schaltung:
VDD soll von einem Mikrocontroller an- und ausgeschaltet werden. Der 
WXIDIO-Pin (digital I/O) ist dafür sehr geeignet, weil er auch im 
tiefsten Schlafmodus seinen Zustand hält. Der Pin darf mit max. 15μA 
belastet werden. Er schaltet sehr langsam (<10Hz).

Zweck von R2 ist doch, das Gate von T2 sicher auf GND zu ziehen, wenn 
WXIDIO low, oder?

Beim T2 handelt es sich um einen low-threshold-MOSFET, Datenblatt: 
http://www.rohm.com/products/databook/tr/pdf/rue002n02.pdf

Ist die Spannung von WXIDIO stabil genung oder genügt der 
Gate-Source-Leckstrom, um den niedrigen Pegel sicherzustellen? Warum 
zeichnet man dann überhaupt einen Widerstand ein? Habe so etwas noch nie 
gesehen.
Angehängte Dateien:

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