Hallo zusammen,
für mein neuestes Projekt möchte ich eine geringe Wechselspannung (ca.
3-6 V, max. 3,6 kHz) gleichrichten. Da die Spannung bereits so gering
ist, würde ich gerne die hohe Forward Voltage (0,7 V) von den Silizium
Dioden Einsparen. Trotzdem hätte ich gerne einen integrierten
Brückengleichrichter genommen. Nun habe ich aber nur verhältnismäßig
teure Schottky Varianten gefunden. Kennt jemand ein günstiges möglichst
kleines (SMD) Bauteil für meine Zwecke?
Viele Grüße
@ Peter (Gast)
>3-6 V, max. 3,6 kHz) gleichrichten. Da die Spannung bereits so gering>Der Strom soll kleiner 5 mA bleiben.
Das schreit nach Schottky, BAT54S ist dein Freund, zwei Dioden im SOT23
Gehäuse.
>Brückengleichrichter genommen. Nun habe ich aber nur verhältnismäßig>teure Schottky Varianten gefunden.
Aha?
Wieviel Millionen Stück willst du denn verbauen, dass es auf den letzten
Cent ankommt? BAT54S kostet 2,5 Cent das Stück . . .
MfG
Falk
Dann nimm dickere Schottkies. 5A-Dioden wie die SR540/SB540 haben bei
5mA nur noch rund 200mV Spannungsabfall (sofern der rel. hohe
Reversestrom nix dagegen hat in Graetzbrücken)
>Brückengleichrichter genommen. Nun habe ich aber nur verhältnismäßig>teure Schottky Varianten gefunden. Kennt jemand ein günstiges möglichst
Was ist bei Dir teuer? Wenn Du was ausgefallenes haben willst, mußt du
eben tiefer in die Tasche greifen. 0,28€ sind doch aber wohl nicht
wirklich teuer.
Oder gleichrichten mit reverse geschalteten Mosfets mit geringer
Ugs_thres.
Bei max. 6V~ müsste man sogar noch ohne zusätzliche Spannungsbgrenzung
an den Gates auskommen.
Das wird aber dann schon unverschämt teuer.
Peter schrieb:> Hallo zusammen,>> für mein neuestes Projekt möchte ich eine geringe Wechselspannung (ca.> 3-6 V, max. 3,6 kHz) gleichrichten.
Was soll es denn werden? Eine einfache Überwachung einer Spannung, oder
was präziseres? Vielleicht reichten sogar gewöhnliche Siliziumdioden.
Und was ist mit dem Oberwellenspektrum, welches die Dioden erzeugen?
Hinten am Ende brauchtest du noch einen aktiven Präzisionsgleichrichter?
Obwohl: Ich hatte mal ein altes analoges Vielfachmeßinstrument mit 1%
Genauigkeit, und dort waren Ge-Spitzendioden drinne. Sonst keine
weiteren Halbleiter. Für die Wechselstrom-Meßbereiche.
@ Falk Brunner:
Danke, die BAT54S schaut schon mal gut aus :)
2,5 Cent sind voll im Rahmen, 10 Cent mehr oder weniger sind allerdings
schon problematisch, es geht tatsächlich um eine Serienentwicklung.
@Jens G.:
28 Cent sind leider schon etwas teuer, aber danke für die Anregung! Die
Mosfet Variante ist dann natürlich erst recht zu teuer...
@ Wilhelm:
Es geht um eine Energy Harvesting Schaltung für einen Drahtlossensor.
Den Strom erzeuge ich per Induktion und richte ihn gleich. Dann glätte
ich ihn und begrenze mit Transistor und Z-Diode. Das ganze soll dann
einen µController und 2 ICs versorgen.
Peter schrieb:> @ Wilhelm:> Es geht um eine Energy Harvesting Schaltung für einen Drahtlossensor.> Den Strom erzeuge ich per Induktion und richte ihn gleich. Dann glätte> ich ihn und begrenze mit Transistor und Z-Diode. Das ganze soll dann> einen µController und 2 ICs versorgen.
OK.
Aber schau dir trotzdem mal Durchlaßkennlinien auch von gewöhnlichen
Si-Dioden an. Die typischen Si-Durchlaßspannungen sind bei irgend einem
Teil vom Maximalstrom spezifiziert. Ob es 10% sind, weiß ich nicht
genau, damit habe ich mich sooooo detailliert noch nicht beschäftigt.
Aber Si-Dioden funktionieren im Grunde an sich auch schon bei weit
geringeren Spannungen, beispielsweise 0,3V, bei entsprechend aber auch
kleineren Strömen.
Du kannst ja mal ne 1N4148 in SPICE simulieren, und schauen.
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