darf man Gate-Widerstände mit Multimeter messen?

Im Datenblatt steh wie hoch die Spannungen werden dürfen.

> Darf man den Widerstand von Gate nach Emitter/Collector
> bzw. nach Source/Drain mit einem normalen Multimeter überhaupt messen,
> ohne etwas zu beschädigen?

Man drüfte, nei einem ausgebauten, das Problem ist nicht
die Messpannung des Multimeters, meist mit 9V Batterie,
und das halten fast alle MOSFETs aus, die 2V der üblichen
Messbereiche sowieso,

das Problem entsteht eher beim antippen der Anshlussbeine
mit einem Multimeter welches auf anderer ststiacher Spannung
liegt, da können leicht mal mehrere tausend Volt statische
Spannung anliegen und das Gate beschädigen.

Also: Wenn MOSFET in Leitschaumstoff steckt, Schaumstoff
anfassne, MOSFET anfassen so daß alle 3 Beine berüht werden,
Multimeter Prüfspitzen am blaknen Ende anfassen und an die
MOSFET-Anschlüsse halten und dann erst die Finge so wegnehmen,
daß die Multimeteranschlüsse an die nicht mehr berührten
MOSFET-Beinchen gehen. Dadurch hast du mit deinem Körper
effektiv die statischen Spannungen abgeleitet und angeglichen.

Allerdings bringt es wenig, beim MOSFET Gate nach Source
zu messen, denn bei einem heilen MOSFET ist das isoliert.

Lehrmann Michael schrieb:
> Außerdem sind ja alle In und Outs auf dem Substrat mit
> SchutzPN-Übergängen versehen.

Sind sie in aller Regel nicht!

> Da sollte man fast schonmal Vierleitermessung ansetzen ...

Vierleitermessung braucht man nur bei kleinen Widerständen.


Roman M. schrieb:
> Darf man den Widerstand von Gate nach Emitter/Collector
> bzw. nach Source/Drain mit einem normalen Multimeter überhaupt messen,
> ohne etwas zu beschädigen?

Ja, allerdings ist die Frage warum du das tun willst. Der 
Gate-Source-Widerstand ist meist größer als 100 MΩ.

> Vielleicht wurde der Beitrag ja auch von einem MaWin-Fake geschrieben.

Bestimmt nicht, sind doch typische Tippfehler.
Ich lese selten Korrektur.

Simon K. schrieb:
> Ich versteh überhaupt nicht, wie ihr auf die Frage antworten könnt. Die
> macht doch überhaupt keinen Sinn. Welchen Widerstand willst du messen?

Beim einem kaputten MOSFET kann die GS-Strecke sehr wohl niederohmig 
sein. Abgesehen davon können auch Fehler in der Ansteuerung die 
GS-Strecke kurzschließen. Bei der Fehlersuche will ich aber möglichst 
keine gesunden MOSFETs kaputtmachen, deswegen frage ich.

Geht schon. Ich mach das immer so. Für die D-S Messung aber vorher G-S 
kurzschließen.

Simon K. schrieb:
> Welchen Widerstand willst du messen?
> Zwischen Gate und Drain/Source gibt es praktisch keinen Widerstand. Das
> ist komplett hochohmig.

Vor dem Schreiben Hirn booten:

Das korrekte "hochomig" ist das exakte Gegenteil zum an dieser Stelle 
maximal falschem: "praktisch keinen Widerstand".

Michael_ schrieb:
> Geht schon. Ich mach das immer so. Für die D-S Messung aber vorher G-S
> kurzschließen.

Damit der MOSFET zuverlässig sperrt oder um das Gate zu schützen?

Wiso hast du immer Angst um die Gatespannung? Schau halt im Datenblatt 
wie hoch die Werden darf, 20V sind keine Seltenheit.
Bei L Typen ist er halt bei 4,5V schon leitend die Spannung farf auch 
hier je nach Typ 10V + werden.