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Diode Ultra fast recovery
Gast
#2660684
Hi Eine evtl. etwas dofe Frage aber bin mir Wirklich nicht sicher: Bei der Diode gibts ja Ifav und Ifsm. Währe ein Strom der IFSM ist mit einer Duty von IFAV/IFSM und ansonsten 0 mit einer IFSM Zeit von tp zulässig? Falls ja wie berechne ich die Verluste? (Diagramm geht nicht bis IFSM). Kann ich das einfach exponentiel weiterziehen und die entsprechende Spannung Vf nehmen?
Gast
#2660720
Von diesen Werten solltest du beliebig weit weg sein.
Gast
#2661091
... schrieb: > Von diesen Werten solltest du beliebig weit weg sein. Und was heisst das konkret?
Gast
#2661151
> Währe ein Strom der IFSM ist mit einer Duty von IFAV/IFSM > und ansonsten 0 mit einer IFSM Zeit von tp zulässig? Nein. Wie du selbst erkannt hast, steigt die Vorwärtsspannung bei dem hohem IFSM-Strom, und damit die durchschnittlichen Verluste Die dürfen aber im Mittel nicht höher sien als bei IFAV mit seiner niedrigen Durchlasspannung. Mit (LT-)Spice kannst du leicht ausrechnen, welcher Strom in solchen Spitze zulässig ist, dort sind Bahnwiderstand und Halbleitereffekt auch für grössere Stöme hinterlegt.
Gast
#2661206
Ok danke dir. Dann währe ein Strom der IFSM ist mit einer Duty von IFAV/IFSM oder IFAV*UFAV/IFSM*UFSM (nehme das mit geringerem Duty) und ansonsten 0 mit einer IFSM Zeit von tp zulässig? Berechnen könnte ich das ganze schon nur ist mir nicht klar was der Maximale Betreibspunkt der Diode ist.
Gast
#2661322
> was der Maximale Betreibspunkt der Diode ist.
Derjenige, bei der die Diode durch die Verlustwärme so heiss wird, daß
sie kaputt geht (oder zumindest ihre Dat4enblattgrenztemperatur
überschreitet).
Datenblattangaben sind übrigens immer geschönt (z.B. bei 25 GradC
Umgebungstemperatur, die haben wir selbst heute nicht, schon gar nicht
in einem Gehäuse wo nebenan andere Bauteile braten), daher empfiehlt es
sich, deutlich drunter zu bleiben, oder zumindest die fertige Schaltung
mit der Infrarotkamera zu begucken.
Gast
#2661486
Ok Wenn ich dich richtig verstanden habe gibts eigentlich nur 2 Limitierungsfaktoren: 1. Thermisch 2. IFSM also ist Aussage: SPICE schrieb: > Dann währe ein Strom der IFSM ist mit einer Duty von IFAV/IFSM oder > IFAV*UFAV/IFSM*UFSM (nehme das mit geringerem Duty) und ansonsten 0 mit > einer IFSM Zeit von tp zulässig? korrekt?
Gast
#2662018
Hmm anscheinend bin ich nicht der einzige, dem die die Datenblattangaben nicht ganz klar sind....
Gast
#2664076
SPICE schrieb: > Ok > Wenn ich dich richtig verstanden habe gibts eigentlich nur 2 > Limitierungsfaktoren: > > 1. Thermisch > 2. IFSM > > also ist Aussage: > > SPICE schrieb: >> Dann währe ein Strom der IFSM ist mit einer Duty von IFAV/IFSM oder >> IFAV*UFAV/IFSM*UFSM (nehme das mit geringerem Duty) und ansonsten 0 mit >> einer IFSM Zeit von tp zulässig? > > korrekt? könnte wer bitte dies noch kurz bestätigen oder widerlegen?
Gast
#2664508
> Dann währe ein Strom der IFSM ist mit einer Duty von IFAV/IFSM oder > IFAV*UFAV/IFSM*UFSM (nehme das mit geringerem Duty) und ansonsten 0 mit > einer IFSM Zeit von tp zulässig? Richtig. Dennoch würde ich deutlich unter dme Maximalwert bleiben, der für 25 GradC Gehäusetemp definiert ist.
Gast
#2664873
Danke dir! Das klärt meine frage. nebenbei: UFSM sinkt ja mit steigender Temp. also macht es durchaus Sinn die Arbeitstemperatur der diode bei 60-80% von Tjmax zu wählen, um Verluste zu minimieren. Antwort schreiben |
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