Diode Ultra fast recovery

Von diesen Werten solltest du beliebig weit weg sein.

... schrieb:
> Von diesen Werten solltest du beliebig weit weg sein.

Und was heisst das konkret?

> Währe ein Strom der IFSM ist mit einer Duty von IFAV/IFSM
> und ansonsten 0 mit einer IFSM Zeit von tp zulässig?

Nein.

Wie du selbst erkannt hast, steigt die Vorwärtsspannung bei
dem hohem IFSM-Strom, und damit die durchschnittlichen Verluste
Die dürfen aber im Mittel nicht höher sien als bei IFAV
mit seiner niedrigen Durchlasspannung.

Mit (LT-)Spice kannst du leicht ausrechnen, welcher Strom in
solchen Spitze zulässig ist, dort sind Bahnwiderstand und
Halbleitereffekt auch für grössere Stöme hinterlegt.

Ok danke dir.
Dann währe ein Strom der IFSM ist mit einer Duty von IFAV/IFSM oder 
IFAV*UFAV/IFSM*UFSM (nehme das mit geringerem Duty) und ansonsten 0 mit 
einer IFSM Zeit von tp zulässig?

Berechnen könnte ich das ganze schon nur ist mir nicht klar was der 
Maximale Betreibspunkt der Diode ist.

> was der Maximale Betreibspunkt der Diode ist.

Derjenige, bei der die Diode durch die Verlustwärme so heiss wird, daß 
sie kaputt geht (oder zumindest ihre Dat4enblattgrenztemperatur 
überschreitet).

Datenblattangaben sind übrigens immer geschönt (z.B. bei 25 GradC 
Umgebungstemperatur, die haben wir selbst heute nicht, schon gar nicht 
in einem Gehäuse wo nebenan andere Bauteile braten), daher empfiehlt es 
sich, deutlich drunter zu bleiben, oder zumindest die fertige Schaltung 
mit der Infrarotkamera zu begucken.

Ok
Wenn ich dich richtig verstanden habe gibts eigentlich nur 2 
Limitierungsfaktoren:

1. Thermisch
2. IFSM

also ist Aussage:

SPICE schrieb:
> Dann währe ein Strom der IFSM ist mit einer Duty von IFAV/IFSM oder
> IFAV*UFAV/IFSM*UFSM (nehme das mit geringerem Duty) und ansonsten 0 mit
> einer IFSM Zeit von tp zulässig?

korrekt?

Hmm anscheinend bin ich nicht der einzige, dem die die Datenblattangaben 
nicht ganz klar sind....

SPICE schrieb:
> Ok
> Wenn ich dich richtig verstanden habe gibts eigentlich nur 2
> Limitierungsfaktoren:
>
> 1. Thermisch
> 2. IFSM
>
> also ist Aussage:
>
> SPICE schrieb:
>> Dann währe ein Strom der IFSM ist mit einer Duty von IFAV/IFSM oder
>> IFAV*UFAV/IFSM*UFSM (nehme das mit geringerem Duty) und ansonsten 0 mit
>> einer IFSM Zeit von tp zulässig?
>
> korrekt?

könnte wer bitte dies noch kurz bestätigen oder widerlegen?

> Dann währe ein Strom der IFSM ist mit einer Duty von IFAV/IFSM oder
> IFAV*UFAV/IFSM*UFSM (nehme das mit geringerem Duty) und ansonsten 0 mit
> einer IFSM Zeit von tp zulässig?

Richtig. Dennoch würde ich deutlich unter dme Maximalwert bleiben,
der für 25 GradC Gehäusetemp definiert ist.

Danke dir! Das klärt meine frage.

nebenbei: UFSM sinkt ja mit steigender Temp. also macht es durchaus Sinn 
die Arbeitstemperatur der diode bei 60-80% von Tjmax zu wählen, um 
Verluste zu minimieren.