Hallo Leute,
folgendes Anliegen. Ich habe einen Treiber für einen MOSFET. Nun möchte
ich messtechnisch ermitteln, wie groß die Treiberverluste im dynamischen
Fall sind. Dynamischer Fall soll heißen: Leistung zum Laden bzw.
Entladen der Mosfet Kapazität.
Weshalb das messtechnisch gemacht werden soll: Der MOSFET ist ein
Prototyp, von dem es kein Datenblatt gibt und ich die Gate Kapazität
nicht kenne.
Der Ansatz im folgenden Link hilft mir also nicht wirklich weiter.
http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Verlustleistung
Anbei habe ich mal ein Bild angefügt über meinen Ansatz. Ich messe die
Spannung über den Gate Widerstand (um den Strom zu erhalten) sowie die
Gate-Source Spannung. Wenn ich beides miteinander multipliziere, erhalte
ich die zeitliche Leistung. Davon bilde ich den Mittelwert und habe dann
die durchschnittliche Treiberleistung (dynamischer Fall).
Gibt es einen anderen/einfacheren korrekteren messtechnischen Weg?
Danke.
Das Gate besteht im Allgemeinen nicht aus einer Kapazität, sondern aus
drei Komponenten. Gate-Eigenkapazität und Gate-Source-Kapazität kann man
einfach zusammenrechnen, die sieht man vom Eingang aus auch als eine
Kapazität. Mit der Gate-Drain-Kapazität sieht es da schon anders aus:
Die erscheint, weil es eine vom Vorzeichen her negative
"Spannungsverstärkung" von Gatespannung zu Drainspannung gibt, größer.
Während der Transistor einschaltet, sieht man den eigentlichen
"Einschaltvorgang" am Gate als Plateauphase, da in dem Moment die
Spannung am Drain drastisch sinkt, der Transistor wird ja langsam
leitend. Am Gate wird während der Plateau-Phase ein konstanter Strom
eingespeist, da die Drain-Source-Spannung sinkt. Die
Gate-Source-Kapazität spielt ein wenig "schwarzes Loch"...
Mit einem Schaltungssimulator kann man sich das auch schön
visualisieren. Die Drain-Source-Strecke ist eine über eine
Formelbeziehung Spannungsgesteuerte Stromquelle!
mfg mf
Hi mini float,
danke, aber ich weiß nicht, worauf du hinaus möchtest. Ich habe keine
Informationen über die Kapazitäten. Vor allem, warum soll der Strom am
Gate konstant sein?
Mein Oszilloskopbild sagt nämlich etwas anderes. :/
Gruß
Ich meinte: in der Plateauphase ist der Strom konstant, obwohl ich hier
mit einem Widerstand ans Gate gehe...
mfg mf
PS:
Blöd schrieb:> Mein Oszilloskopbild sagt nämlich etwas anderes.
Hast du eine Last am MOSFET hängen? Oder einfach nur ein leerer
Zwischenkreis? Dann gibts nämlich keine Plateauphase.
Hi Mini Float,
Mini Float schrieb:> Ich meinte: in der Plateauphase ist der Strom konstant, obwohl ich hier> mit einem Widerstand ans Gate gehe...
danke für die Simulation. Nun verstehe ich, was du mit Plateauphase
meinst - höre es jetzt zum ersten Mal
> Hast du eine Last am MOSFET hängen? Oder einfach nur ein leerer> Zwischenkreis? Dann gibts nämlich keine Plateauphase.
Ich habe einen leeren Zwischenkreis. Einzige Spannung ist die Versorgung
vom Treiber, der MOSFET ist unbelastet.
Okay, ich sehe, dass sich die Treiberleistung geringfügig von der Last
abhängig macht wegen dieses Plateau Effektes. In meinen
Berechnungen/Messungen sollte das aber vernachlässigbar sein.
Es bleibt aber dennoch die Frage offen, wie ich die Verluste
messtechnisch bestimme. Ich hatte ja im Eingangspost eine Schaltung
aufgezeigt, die den Gate-Strom und die Gate-Source Spannung misst. Das
sollte ich problemlos mit dem Oszi hinbekommen.
Strom und Spannung multiplizieren und Mittelwert bilden sollte m.E. also
zum Erfolg führen. Oder wie siehst du das?
Gruß
Hans schrieb:> In meinen> Berechnungen/Messungen sollte das aber vernachlässigbar sein.
Genau, deswegen ist es auch schön, da nicht so viel Effekt davon zu
sehen.
Wobei: ein bisschen was sieht man immer. Bei dir ist ein wenig
"klingeln" in dem Bereich zu sehen. Zumindest könnte man das in dein
Oszibild rein interpretieren.
Bei höheren Spannungen >1kV, wo meist mit IGBTs geschaltet wird, sieht
das meist noch viel "übler" aus und die Plateauphase ist um einiges
länger, macht sogar mehr als die halbe Schaltzeit aus.
Die Hersteller von Leistungshalbleitern kümmern sich auch sehr darum,
diese Gate-Drain-Kapazität, die auch manchmal Reverse Transfer
Capacitance genannt wird, klein zu halten. Du weißt hoffentlich wieso :)
Hans schrieb:> den Gate-Strom und die Gate-Source Spannung misst. [...]> Strom und Spannung multiplizieren und Mittelwert bilden sollte m.E. also> zum Erfolg führen. Oder wie siehst du das?
Das Gate und der Gatevorwiderstand sind nicht die einzigen
"Verlustleistungsfresser". Wenn der Transistor leitend geschaltet wird,
nimmt die Drain-Source-Spannung ab, während der Strom zunimmt. Da wird
auch gehörig Verlustleistung umgesetzt. Kommt drauf an, was du da
schalten willst, aber das wird eher den Löwenanteil der Schaltverluste
ausmachen.
Dieselben Überlegungen gelten auch fürs Ausschalten.
"Zeitlichen Mittelwert bilden" reicht nicht. Du musst den Effektivwert
der am Transistor anfallenden Verlustleistung über eine Periode
berechnen, wenn es um einen Schalter geht, der periodisch schalten
muss(kann ein Umrichter oder ein Schaltnetzteil oder ein Bremschopper
sein, völlig egal). Wenn es einfach nur ein "Verbraucher anschalten"
ist, gibts ja nur 1-2x pro Betriebszyklus deiner Baugruppe einen
Schaltvorgang.
Auch maximale Verlustleistung muss betrachtet werden, um in der Safe
Operation Area deines Schaltelements zu bleiben.
mfg mf
Hallo Mini Float,
du hast natürlich recht mit dem, was du schreibst. Ich glaube
allerdings, dass wir unterschiedliche Sachen meinen.
Die Schaltverluste im MOSFET habe ich bereits bestimmt. Soll heißen, ich
habe die Drain-Source Spannung sowie den Strom durch den MOSFET
gemessen und die Schaltenergie fürs Einschalten und Ausschalten
bestimmt. Das passt alles soweit.
Mein Prof. möchte allerdings, dass ich die Verlustleistung im TREIBER
auch noch bestimme. Die statischen Verluste (Leistungsaufnahme des
Treibers) habe ich bestimmt und dachte, dass das Thema damit gegessen
sei. Jetzt möchte er allerdings die dynamischen Treiberverluste
vermessen haben. Also die Leistung, die ich benötige, um den Schalter
ein- bzw. auszuschalten.
Der ganze Thread hier zielt auf die Verluste im Treiber ab, denn die
Verluste im Schalter sind bereits bestimmt.
Ich hoffe, dass wir nun dasselbe meinen. Also, siehst du Bedenken in
meinem Ansatz?
Ok, wenns dir tatsächlich nur um die Verluste der Ansteuerung geht, dann
die Spannung am Treiberausgang gegen Masse und Gate gegen Masse messen.
Mit dem Math-Channel deines Oszis kannst du dann die Spannung über dem
Widerstand berechnen. Besser wären natürlich zwei Differenztastköpfe,
vor allem, wenn du damit auch mal am Umrichter/Schalter unter Last
messen willst, da immer ein gewisser Masse-Verriss da sein wird, der dir
deine Messung versauen kann. Am oberen Schalter einer Halbbrücke
verbietet sich eine Messung mit zwei normalen single-ended-Tastköpfen
sowieso.
Meist haben Leistungshalbleitermodule intern mehrere MOSFETs. Die haben
dann alle nochmal einen eigenen Gatevorwiderstand, da sich die U_th der
einzelnen Transistoren immer geringfügig unterscheiden.
mf
Mini Float schrieb:> Ok, wenns dir tatsächlich nur um die Verluste der Ansteuerung geht, dann> die Spannung am Treiberausgang gegen Masse und Gate gegen Masse messen.> Mit dem Math-Channel deines Oszis kannst du dann die Spannung über dem> Widerstand berechnen.
Genau und mit dem Widerstandswert habe ich dann den Strom. Somit kenne
ich Spannung und Strom und habe dann Leistung.
Done.
Gruß
Hans schrieb:> Nun möchte ich messtechnisch ermitteln, wie groß die Treiberverluste> im dynamischen Fall sind. Dynamischer Fall soll heißen: Leistung zum> Laden bzw. Entladen der Mosfet Kapazität.
Das sind aber zwei ganz verschiedene Dinge.
Die Leistung zum Laden bzw. Entladen der Mosfet-Kapazität ist die vom
Treiber-IC abgegebene Leistung, und man kann sie so messen wie du es
beschrieben hast.
Die Verlustleistung im Treiber-IC hingegen ist die Differenz zwischen
aufgenommener und abgegebener Leistung. Du musst also folgende Größen
messen:
- die Versorgungsspannung Uv am VCC-Pin des ICs (falls sie ausreichend
stabil ist, brauchst du sie nur einmal zu messen)
- den Versorgungsstrom Iv, der in den VCC-Pin hineinfließt
- die Ausgangsspannung Ua des ICs (also die Spannung vor dem
Gate-Vorwiderstand)
- den Ausgangsstrom, der aus dem IC herausfließt (beim Sperren des
Mosfets fließt er in das IC hinein und ist dann negativ zu rechnen)
Das Ganze natürlich über die Zeit, damit du hinterher das zeitliche
Mittel bilden kannst. Ein Speicheroszi mit mindestens drei Kanälen wäre
deswegen von Vorteil. Du kannst die Messungen aber auch nacheinander
durchführen, wenn sichergestellt ist, dass die Spannungs-/Stromverläufe
bei jedem Durchgang genau gleich sind.
Die Verlustleistung ist dann
P = Uv·Iv - Ua·Ia
Allgemein kann die Verlustleistung eines Bauteils mit n Anschlüssen
dadurch bestimmt werden, dass man für jeden Anschluss i die Spannung Ui
und den hineinfließenden Strom Ii misst. Dann ist die Verslustleistung
Ströme, die aus dem IC herausfließen, sind hierbei negativ zu rechnen.
Am besten definiert man einen der Anschlüsse (z.B. GND) als Referenz-
anschluss und misst alle anderen Spannungen bezogen auf diesen. Damit
fällt der entsprechende Summand in der obigen Summe weg, und man kann
auf jeweils eine der n Spannungs- und Strommessungen verzichten.
Hallo Yalu,
auch dir erstmal danke. Du hast natürlich recht, die Verluste sind die
Differenz aus aufgenommener und abgegebener Leistung. Die aufgenommene
Leistung ist bereits bestimmt - so wie du es beschrieben hast.
> - die Versorgungsspannung Uv am VCC-Pin des ICs (falls sie ausreichend> stabil ist, brauchst du sie nur einmal zu messen)> - den Versorgungsstrom Iv, der in den VCC-Pin hineinfließt
Das ist also die Leistungsaufnahme des ICs. Aber was gibt das Treiber IC
im statischen Fall an Leistung an den MOSFET ab? Ein MOSFET ist doch
ein spannungsgesteuertes Bauteil. Das heißt, dass statisch betrachtet
kein Strom in das Gate vom MOSFET fließt.
Sämtliche Leistung wird also im Treiber IC umgesetzt. So bin ich die
Sache bis jetzt herangegangen, wobei mein Prof. nun meinte, dass das
Laden/Entladen der Kapazität auch Verluste verursacht, die ich
untersuchen sollte.
Jetzt frage ich mich, ob inwiefern das Laden/Entladen der Kapazität zu
den Verlusten beiträgt. Denn letztendlich habe ich ja die
Leistungsaufnahme vom Treiber bereits bestimmt. Schalte ich den MOSFET
nicht, so setzt er seine ganze Leistung in Wärme um. Schalte ich den
MOSFET hingegen, verwendet der Treiber einen Teil der Leistung, um den
MOSFET zu schalten. Das sollte die Leistungsaufnahme aber eigentlich
unberührt lassen, oder täusche ich mich da?
Gruß
Ups, ein wenig unglücklich formuliert.
Hans schrieb:> Jetzt frage ich mich, ob und inwiefern das Laden/Entladen der Kapazität zu> den Verlusten beiträgt. Denn letztendlich habe ich ja die> Leistungsaufnahme vom Treiber bereits bestimmt. Schalte ich den MOSFET> nicht, so bleibt die ganze Leistung im Treiber IC. Schalte ich den> MOSFET hingegen, verwendet das Treiber IC einen Teil der Leistung, um den> MOSFET zu schalten. Das sollte die Leistungsaufnahme aber eigentlich> unberührt lassen, oder täusche ich mich da?
Und was ist nun dein Ziel? Einen Treiber suchen? Die optimale Auslegung?
Einen Simulator bedienen können? Ist mir jetzt nicht so ganz klar.
Schnapp dir ein paar Bauelemente und simuliere es. Kannst natürlich auch
aufbauen und messen. In die Gate Leitung machst du 22 Ohm, der MOSFET
hat intern so ca. 1 Ohm Serienwiderstand im Gate. Je nach Last am
Ausgang des MOSFETs kann die Ansteuerleistung auch kräftig variieren.
Hans schrieb:> Die aufgenommene Leistung ist bereits bestimmt - so wie du es> beschrieben hast.
Nur für den statischen Fall oder auch während des Schaltens? Wichtig
ist, dass die Leistung über einen kompletten Zyklus (Ruhe — Einschalten
— Ruhe — Ausschalten) gemessen wird, um sämtliche statischen und
dynamischen Verluste zu berücksichtigen.
Hans schrieb:> Schalte ich den MOSFET hingegen, verwendet der Treiber einen Teil der> Leistung, um den MOSFET zu schalten.
Das ist richtig.
> Das sollte die Leistungsaufnahme aber eigentlich unberührt lassen,> oder täusche ich mich da?
Nein, ja.
Die Energie, die zum Laden des Mosfet-Gates erforderlich ist, muss ja
irgendwo herkommen. Da das Treiber-IC selbst keine Energie erzeugen
kann, kann sie nur von der Stromversorgung kommen. Deswegen wirst du
während des Schaltens¹ einen erhöhten Stromverbrauch feststellen.
Ein idealer Mosfet-Treiber verbrät überhaupt keine Verlustleistung, weil
er beim Einschalten des Mosfets die gesamte der Versorgung entnommene
Energie zum Laden des Mosfet-Gates einsetzt und beim Ausschalten die
gesamte Energie des Mosfet-Gates an die Versorgung abgibt. Wenn du aber
nicht die tatsächliche Leistungsaufnahme zu jedem Zeitpunkt, sondern nur
die Ruheleistungsaufnahme berücksichtigst, wird das Ergebnis falsch.
————————————
¹) evtl. auch etwas verzögert, wenn Energie zwischengespeichert wird,
bspw. in den Bootstrap- oder Ladungspumpenkondensatoren eines High-
side-Treibers
Hallo Abdul, hallo Yalu.
Abdul K. schrieb:> Und was ist nun dein Ziel? Einen Treiber suchen? Die optimale Auslegung?
Ich habe einen Hochsetzsteller gebaut und dessen Wirkungsgrad gemessen.
Der Treiber sowie weitere ICs (Schmitt Trigger, Spannungsregler etc.)
wurden allerdings von einer externen Quelle versorgt und sind folglich
in der Wirkungsgradmessung nicht enthalten. Deswegen möchte ich nun die
Leistung des Treibers nachträglich vermessen, um abschätzen zu können,
wie stark er den Wirkungsgrad des Hochsetzstellers beeinflusst.
Yalu X. schrieb:> Nur für den statischen Fall oder auch während des Schaltens? Wichtig> ist, dass die Leistung über einen kompletten Zyklus (Ruhe — Einschalten> — Ruhe — Ausschalten) gemessen wird, um sämtliche statischen und> dynamischen Verluste zu berücksichtigen.
Nur für den statischen Fall. Ich habe schlichtweg zwei Multimeter
genommen und Spannung sowie Strom gemessen. Dynamische
Leistungsaufnahme/Verluste habe ich nicht berücksichtigt.
> Die Energie, die zum Laden des Mosfet-Gates erforderlich ist, muss ja> irgendwo herkommen. Da das Treiber-IC selbst keine Energie erzeugen> kann, kann sie nur von der Stromversorgung kommen. Deswegen wirst du> während des Schaltens¹ einen erhöhten Stromverbrauch feststellen.
Okay, die Stromaufnahme im Ruhezustand ist anscheinend nicht
ausreichend. Was wäre aber folgende Idee, die zwar nicht 100%ig genau
ist, aber eine erste Näherung geben sollte:
Die statische Leistungsaufnahme im Ruhezustand habe ich bereits
ermittelt. Nennen wir die einfach mal
. Nun geht es um die Leistung, die benötigt wird, um den MOSFET ein-
bzw. auszuschalten. Dort verwende ich den Messaufbau aus meinem ersten
Bild bzw. die abgeänderte Version von Mini Float von 21:39 Uhr. Somit
erhalte ich genau die Leistung, die in den MOSFET fließt, um dessen
Kapazität zu laden und entladen. Lass uns diese Leistung mal
nennen.
Es ist sinnig, dass sich die Stromaufnahme des Treiber ICs während des
Schaltens erhöht. Aber kann man nicht in erster Näherung annehmen, dass
sich die Stromaufnahme nur so viel erhöht, wie die Leistung, die in den
FET fließt, nämlich um
?
Insofern hätte ich jetzt gesagt, dass man als erste Abschätzung folgende
Rechnung anstellen kann, wenn die gesamte Leistungsaufnahme des Treibers
:
Mir ist klar, dass ich sämtliche Verluste im Treiber IC während des
Schaltvorgangs außer Acht lasse. Das heißt, dass die Stromaufnahme des
Treiber ICs sicherlich geringfügig höher ist als die Leistung, die in
den MOSFET fließt
. Bei einem 3kW Hochsetzsteller frage ich mich allerdings, inwiefern
sich die Verluste im Treiber IC bemerkbar machen, oder ob mein Ansatz
für
hinreichend genau ist.
Könnt ihr das vielleicht abschätzen?
Die Verluste im Treiber gehen im Gesamtverlust unter. Daher ist die
Berechnung witzlos.
Ein anderer Aspekt ist die Frage, wieviel EMV vs. Wirkungsgrad des
Wandlers. Es gibt eine optimale Flankensteilheit.
Und ob der Treiber thermisch der Sache gewachsen ist. Der MOSFET ist ja
in erster Näherung eine rein kapazitive Last. Hier kommen die 22 Ohm ins
Spiel.
Ich versteh nicht so recht, wieso man sowas heute noch per Hand
berechnet. Das hatte ich vor 15 Jahren noch gemacht. Danach hatte ich
aber 5 Jahre pö-a-pö in SPICE-lernen investiert und es nicht bereut.
Mein Design von 1995 berechnet SPICE bis auf wenige Prozent exakt nach.
Damals hatte ich leider noch keinen Simulatorzugriff und machte alles
per Hand und in langen physikalischen Testreihen. Die dann auch
ordentlich Geld kosteten.
Abdul K. schrieb:> Die Verluste im Treiber gehen im Gesamtverlust unter. Daher ist die> Berechnung witzlos.
Der Vollständigkeit halber möchte ich diese Berechnung allerdings
machen.
> Ein anderer Aspekt ist die Frage, wieviel EMV vs. Wirkungsgrad des> Wandlers. Es gibt eine optimale Flankensteilheit.
Das ist definitiv ein interessanter Aspekt, den ich auch in den Ausblick
meiner Arbeit stelle. Das würde allerdings den Rahmer meiner Arbeit
sprengen - außerdem wurde Rom ja auch nicht an einem Tag gebaut :)
> Ich versteh nicht so recht, wieso man sowas heute noch per Hand> berechnet. Das hatte ich vor 15 Jahren noch gemacht. Danach hatte ich> aber 5 Jahre pö-a-pö in SPICE-lernen investiert und es nicht bereut.> Mein Design von 1995 berechnet SPICE bis auf wenige Prozent exakt nach.> Damals hatte ich leider noch keinen Simulatorzugriff und machte alles> per Hand und in langen physikalischen Testreihen. Die dann auch> ordentlich Geld kosteten.
Wie soll ich das sonst machen? Einen Hochsetzsteller vom Wirkungsgrad
her vermessen mit teuren Messgeräten und dann die Leistungsaufnahme des
Treibers in Spice simulieren? Wozu dann überhaupt noch ins Labor
gehen... :/
Hans schrieb:> Abdul K. schrieb:>> Die Verluste im Treiber gehen im Gesamtverlust unter. Daher ist die>> Berechnung witzlos.> Der Vollständigkeit halber möchte ich diese Berechnung allerdings> machen.>
Ich bin mir sicher, daß wird in diversen AppNotes behandelt. Mir fällt
da eine von Microchip ein:
Google liefert mit
site:microchip.com MOSFET driver filetype:pdf
sofort:
http://ww1.microchip.com/downloads/en/appnotes/00799b.pdf
Im Prinzip reduziert sich die Schaltung auf einen Kondi mit
Vorwiderstand, der über zwei Schalter abwechselnd an unterschiedliches
Potential geschaltet wird.
Die Größe des Kondi läßt sich aus den DB des MOSFET bestimmen. Stichwort
Gate-Charge Diagramm. Vorsicht: Lastabhängig!!!!!!!
Die anderen Parameter kommen aus dem DB des MOSFET-Treibers.
>> Ein anderer Aspekt ist die Frage, wieviel EMV vs. Wirkungsgrad des>> Wandlers. Es gibt eine optimale Flankensteilheit.> Das ist definitiv ein interessanter Aspekt, den ich auch in den Ausblick> meiner Arbeit stelle. Das würde allerdings den Rahmer meiner Arbeit> sprengen - außerdem wurde Rom ja auch nicht an einem Tag gebaut :)>>>> Ich versteh nicht so recht, wieso man sowas heute noch per Hand> Wie soll ich das sonst machen? Einen Hochsetzsteller vom Wirkungsgrad> her vermessen mit teuren Messgeräten und dann die Leistungsaufnahme des> Treibers in Spice simulieren? Wozu dann überhaupt noch ins Labor> gehen... :/
Genau! Stell dir vor, es gibt Leute wie mich die einfach nur noch
simulieren und dann den fertigen Schaltplan samt Erklärung verkaufen.
Manches läßt sich schlecht simulieren (wegen diverser Gründe), dann ist
halt doch noch Praxis angesagt. Davon gibts dann immernoch mehr als
genug ;-)
Abdul...
Ich hatte im Anfangspost geschrieben, dass die Kapazität des MOSFETs
unbekannt ist, weil er Schalter ein Prototyp ist, für den es kein
richtiges Datenblatt gibt.
Möchtest du nun also wirklich darüber diskutieren, wie sinnig oder
unsinnig es ist, die Leistungsaufnahme des Treibers im Labor
messtechnisch zu ermitteln oder ein Spice File zu erstellen?
PS: Die Appnote ist aber dennoch nice. Die hatte ich bis dato noch nicht
gefunden.
Gruß
Nö. Mir scheint ich verbrenne hier Zeit mit dir.
Dann erstelle doch ein Datenblatt oder ein SPICE-Modell. Oder messe eben
die Leistungaufnahme! Vergeß nicht, da du es ja ganz genau nimmst, daß
die Ansteuerung mit dem Sekundärkreis über den MOSFET Energie
kommuniziert.
Ich habe wirklich genug Tipps gegeben.
Ganz sicher werde ich nicht endlose Formeln mit Integralen der
nichtlinearen Kapazität aufstellen. Aus dem Spielalter bin ich raus.
Wenn du Tipps zu meinem Anliegen hast oder auf meine Fragen eingehen
möchtest, darfst du das gerne tun. Ansonsten ist es in der Tat
vergeudete Zeit - für beide von uns.
In diesem Sinne...
Theoretische Berechnungen findest du in diversen akademischen
Abhandlungen. Bin schon öfters drüber gestolpert. Ich denke nun, daß ist
das was du suchst. So ne Art wasserdichte Herleitung für einen Prof.
Jenseits barer Anwendungorientierung.
Ist nicht meine Welt, ich baue oder entwickle praktische Sachen. Ist gar
nicht böse gemeint.
Du siehst ja wie wenige dir noch antworten. Die meisten wollen halt
möglichst bald fertig sein.
Lieber Abdul,
wir beide sind wirklich auf unterschiedlichen Wellenlängen. Ich bin
nicht auf der Suche nach irgendwelchen höchst theoretischen
Berechnungen oder Herleitungen; warum auch? Dass ich die Treiberleistung
vermesse, spricht doch eher für den praktischen Ansatz. Denn
letztendlich müssen wir bedenken, dass ich einen unbekannten MOSFET
vor mir habe, der angesteuert wird und ich möchte die Treiberleistung
ermitteln. Ohne die Parameter der Kapazitäten vom MOSFET ist mir der
messtechnische Ansatz mit einem Oszilloskop und ein paar Tastköpfen der
einfachste und sicherste Weg - weil er so schön pragmatisch ist. Bevor
ich ein vernünftiges Spice Modell erstellt habe, habe ich doch 3 mal die
Tastköpfe vom Oszi drangelötet und meine Messungen durchgeführt.
Weshalb du so vehement eine Spice Simulation von einem unbekannten
MOSFET vorziehst, ist mir ehrlich gesagt schleierhaft. Aber nun gut, das
ist deine Ansicht und ich respektiere sie natürlich.
Ich für meinen Teil verabschiede mich aus dieser Diskussion, denn Mini
Float und Yalu haben bereits meine Fragen beantwortet.
Schönen Sonntag noch,
Hans
Unbenannt.JPG
(5,5 KB)
