EEPROM 24LC64F Verständnisfrage(n)

>Weiß jemand ob wiederholtes Schreiben jeweils
>der gleichen Daten z.B. immer 0x55 auf die gleiche Adresse z.B. immer
>0x0000 als mehrfache Schreibzyklen zählt?

Ja, jeder Schreibzyklus zählt.

Danke für die schnelle Antwort. Bei mir hat sich nun aber eine weitere 
Frage aufgetan. Kann ich diese Zellenabnutzung wirklich für jedes 
einzelne EEPROM-Byte getrennt betrachten, oder betrifft es jedes mal die 
gesamte page? (Der 24LC64F ist intern in pages a 32 bytes organisiert. 
Wer weiß, ob er nicht jedesmal die ganze page löscht und die daten 
vorher im Puffer merged und dann die ganze page schreibt, auch wenn ich 
nur ein bestimmtes Byte addressiere?)

Gruß

marc

Danke für die ausführliche Antwort.

So eine Tatsache finde ich jedoch ohne genauere Angaben Seitens 
Microchip im Datenblatt (dort steht wirklich nur so lala "More than 1 
Million Erase/Write Cycles" @ 25°C bzw. man solle das 
TotalEndurance-Tool für genauere Vorhersagen nutzen) fatal. Wenn ich es 
richtig verstanden habe spielt es keine Rolle, ob ich 500.000 mal auf 
Addr. 0x0000 und 500.000 mal auf Addr. 0x0001 schreibe oder ich gleich 
1.000.000 mal auf Addr. 0x0000 schreibe. Für meine Anwendung reduziert 
sich dadurch der verfügbare EEPROM-Speicher um Faktor 32. Statt 8k --> 
256 Bytes. Na super. Ist das wirklich so?

Gruß

Marc

marc schrieb:
> Na super. Ist das wirklich so?

Ich denke das wird Dir nur der Hersteller beantworten können - auch wenn 
er das ganz ungern tun wird.
Ich gehe jedenfalls für unsere Applikationen davon aus - heißt: page 
cachen und erst wenn nötig schreiben.

Grüße

marc schrieb:

> Weiß jemand ob wiederholtes Schreiben jeweils
> der gleichen Daten z.B. immer 0x55 auf die gleiche Adresse z.B. immer
> 0x0000 als mehrfache Schreibzyklen zählt? Oder werden die Zellen dadurch
> nicht abgenutzt?

Man kann da einen Trick in seiner Software nutzen: Und zwar, wenn das 
EEPROM mit einem Wert beschrieben werden soll, prüft man vorher, ob 
nicht schon der selbe Wert in der Adresse drin steht. Steht der selbe 
Wert schon drin, spart man sich das Schreiben.

Es gibt auch noch weitere Algorithmen, die das EEPROM mit ständig 
aufwärts zählenden Adressen beschreiben. Bis die Endadresse erreicht 
ist. Dann beginnt es wieder bei Null. Das sorgt wenigstens für eine 
gleichmäßigere Abnutzung aller Zellen. Sonst sind überwiegend nur die 
unteren Adressen abgenutzt.

Ja, ich sah schon industrielle Schaltungen, wo das EEPROM Schrott wurde.

marc schrieb:
> Wenn ich es
> richtig verstanden habe spielt es keine Rolle, ob ich 500.000 mal auf
> Addr. 0x0000 und 500.000 mal auf Addr. 0x0001 schreibe oder ich gleich
> 1.000.000 mal auf Addr. 0x0000 schreibe. Für meine Anwendung reduziert
> sich dadurch der verfügbare EEPROM-Speicher um Faktor 32. Statt 8k -->
> 256 Bytes. Na super. Ist das wirklich so?

Warum willst du 1 Milion mal das gleiche an die gleiche Adresse 
schreiben? Lies doch einfach was drin steht, und wenn das schon richtig 
ist, kneif dir das Schreiben.

MfG Klaus

Danke für die Antworten.

@Klaus. Das war nur ein Zahlenspiel um den Sachverhalt wiederzuspiegeln. 
Das ist mir schon klar. Es liegt ja auf der Hand, dass man vorher liest 
und vergleicht. Allerdings kostet lesen über einen 400 KHz I2C Bus Zeit, 
steigert die SW-Komplexität, Test-Komplexität etc. Würde ein derartiger 
Datenvergleich innerhalb des EEPROM Bausteins stattfinden, worauf meine 
erste Frage abzielte, könnte ich mir dies sparen.

Ach seufz, wieso hat heute nicht bereits jeder µC internes FRAM ohne 
Mehrkosten...

marc schrieb:
> Allerdings kostet lesen über einen 400 KHz I2C Bus Zeit,

Aber viiiiiiiel weniger als schreiben. Und da schreiben so lange dauert, 
gibts ja den page mode.

marc schrieb:
> Würde ein derartiger
> Datenvergleich innerhalb des EEPROM Bausteins stattfinden, worauf meine
> erste Frage abzielte, könnte ich mir dies sparen.

Das Konzept dieser EEPROMS ist steinalt, war wohl einer der ersten I2C 
Bausteine.

MfG Klaus