PSpice .SUBCKT Modell in LTspice einbinden

Danke für deine Hilfe

Helmut S. schrieb:
> 4. .include mein_modell_file

Kannst du mir nochmal genauer erklären was hinter diesem Schritt steckt?

Was ich jetzt (nachdem ich Schritte 1-3 befolgt habe) probiert habe:
- Die Textdatei mit dem Code als .lib und .inc gespeichert
- .include CoolMOS_simplified_Spice_models_C6E6CFD2_
-> "could not open include file"

Helmut S. schrieb:
> .include CoolMOS_simplified_Spice_models_C6E6CFD2_.lib
aha,...
include erfolgreich; Simulation weiterhin nur bis 10us möglich, bis der 
Fehler wieder auftaucht:
"Time step too small"...
Ist das verwendete Infineon Modell vielleicht zu kompliziert für 
LTspice?

Helmut S. schrieb:
> Du solltest auch diese Datei anhängen, damit ich simulieren kann.
Siehe Anhang, oder Link hier:
http://www.infineon.com/dgdl/CoolMOS_simplified_Spice_models_C6E6CFD2_?folderId=db3a304333b8a7ca0133c6bec0956188&fileId=db3a304335f1f4b601360cb04a4e1385

Helmut S. schrieb:
> .options gmin=1e-10 abstol=1e-10 reltol=0.003

Das war der entscheidende Tip für eine erfolgreiche Simulation. Thanks!
(jetzt funktioniert auch der .SUBCKT Befehl)

Allerdings...
mit (V-Quellen):
Helmut S. schrieb:
> VLg     gate  g1    5n
> VLd     drain d1    3n
> VLs     source s1   5n
simuliert der mir eine Reverse-Recovery-Rückstromspitze von I_rrm=400A, 
was ich ja schon für sehr unwahrscheinlich halte.

Wenn die Zuleitungsinduktivitäten normal berücksichtigt werden:
> Lg     gate  g1    5n
> Ld     drain d1    3n
> Ls     source s1   5n
wird I_rrm "nur noch" zu 100A simuliert...

Wenn ich die Induktivitäten zu fast 0 verkleinere, erhalte ich die 
gleichen Ergebnisse, wie oben mit V-Quellen.



Also falls da noch jemand Ideen hat. Ich lasse mich gerne belehren.

Ich habe die Option abstol auf 100p gesetzt. Das ändert aber nix, außer 
das LTSpice sich nicht abmühen muß, die Konvergenz ins Extrem zu 
treiben.
Auch habe ich, was meiner Meinung nach das Verständnis fördert, die 
Ansteuerung durch eine Stromquelle ersetzt - 5A bei 3Ohm -> statisch 
15V.

Der Vergleich der internen V(m2:g2,m2:s2) zur externen V(l) 
Gate-Sourcespannung zeigt dann auch das Grundproblem deutlicher:
a) das Gate kann nicht schnell genug umgeladen werden um die durch
   die Millerkapazität verursachte Rückwirkung zu kompensieren und
b) die Reversdiode ist nicht schnell genug,
um ein gleichzeitiges Leiten beider Transistoren auszuschließen.

Nun kann man natürlich darüber diskutieren, ob das Modell die einzelnen 
Parameter richtig wiedergibt.
Meiner Meinung nach ist es jedoch recht realistisch ausgelegt. z.B 
erfolgt der Stromanstieg von 0->120A bei negativer Ugs innerhalb von 
~80ns, was deutlich unter der im DB angegebenen trr=950ns liegt.
Was spricht also dagegen, die Low-Side durch eine schnelle Diode zu 
ersetzen und auf die, in diesem Fall, eher kontraproduktive Ansteuerung 
zu verzichten?