NOR Memory (read / write) funktionsweise

http://de.wikipedia.org/wiki/Flash-Speicher

Zitat aus dem Artikel, Abschnitt Speichern und lesen:

Im ungeladenen Zustand des Floating-Gate kann im über das Steuer-Gate 
aufgesteuerten Transistor in der Source-Drain-Strecke (Kanal) ein Strom 
fließen.

Und jetzt liese diesen Abschnitt nochmal langsam durch und schau dir das 
Bild rechts daneben an.

ziehe ich einfach alle controlgates bis auf eins auf gnd, damit die fets 
sperren? messe dann die bitline?

frank schrieb:

> Da der Speicher auf NOR Zellen basiert

Das NOR bezieht sich nicht auf die einzelne Zelle.

Jeder MOSFET ist eine Speicherzelle für sich.

Aber die Verschaltung mehrer derartiger Zellen würde ein NOR ergeben. 
D.h. man das muss man beim Auslesen berücksichtigen.

frank s. schrieb:
> ziehe ich einfach alle controlgates bis auf eins auf gnd, damit die fets
> sperren? messe dann die bitline?

umgekehrt.
An eine der Wordlines kommt eine Spannung auf das Control Gate und wenn 
das FLoating Gate an diesem MOSFET Ladung trägt, dann zieht dieser FET 
die Bitline auf 0, ansonsten eben nicht.

>An eine der Wordlines kommt eine Spannung auf das Control Gate und wenn
>das FLoating Gate an diesem MOSFET Ladung trägt, dann zieht dieser FET
>die Bitline auf 0, ansonsten eben nicht.


wiki sagt
>Im ungeladenen Zustand des Floating-Gate kann im über das Steuer-Gate 
>aufgesteuerten Transistor in der Source-Drain-Strecke (Kanal) ein Strom >fließen.

das kann doch nicht beides richtig sein oder? o_0

Das deutsche WIKI sagt aber auch, dass es beides gibt:
Ladung am Gate, Source-Drain ist offen
Ladung am Gate, Source-Drain ist gesperrt

das eine ist eben eine "NPN"-MOSFET und das andere ein "PNP"-MOSFET.

thanks. dann ist alles klar :)