Gast
#2992839
Hallo an alle, bloss eine kurze Frage, gilt das Gate eines MOSFET (Channel egal) bis zu seinen Spezifikationen (meistens so bis max. +20V) von Source und Drain als galvanisch getrennt?
Gast
#2992844
Die Frage ist, wie du "galvanisch getrennt" definierst. Es ist jedenfalls von Source und Drain isoliert. Das bringt dir aber in jeder normalen Anwendung nichts, weil du eine Gate-Source-Spannung anlegen musst.
Gast
#2993203
Für Fälle, wo der Lastkreis (MOSFET) vom Steuerkreis galvanisch getrennt sein muss, gibts MOSFET-Treiber als Optokoppler, z.B. TLP250.
Gast
#2993334
Man kann bei PWM-Anwendungen das Gate auch über einen kleinen Ferrit-Übertrager ansteuern. Der Vorteil gegenüber Optokopplern ist dass der Übertrager gleich die Energie zum Umladen des Gates liefert und man keine zusätzliche Versorgungsspannung braucht. Allerdings geht das nur bei relativ hohen Ansteuerfrequenzen; und 100% Pulsbreite (FET immer an) kann man auch nicht erreichen. In manchen Schaltnetzteilen werden diese Übertrager verwendet.
@ Stimmy (Gast) >Man kann bei PWM-Anwendungen das Gate auch über einen kleinen >Ferrit-Übertrager ansteuern. Ja. >Der Vorteil gegenüber Optokopplern ist dass der Übertrager gleich die >Energie zum Umladen des Gates liefert und man keine zusätzliche >Versorgungsspannung braucht. Ja. >Allerdings geht das nur bei relativ hohen Ansteuerfrequenzen; und 100% >Pulsbreite (FET immer an) kann man auch nicht erreichen. Falsch. Mit Knoff Hoff geht das auch bei sehr niedrigen Frequenzen und auch 100% DC. Beitrag "Re: +-150V mit 1kHz schalten" Wenn man etwas Logik und Treiberaufwand (H-Brücke) spendiert, kann man sogar den Kondensator und damit dessen Umladeenergie einsparen.
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