Dimensionierung Mosfet Gatewiderstand (keine PWM)

Das Gate eines Mosfet ist hochohmig.

Wenn nicht großartig geschaltet wird kann man den Gatevorwiderdtand 
dafür vergrößern. Ich vermute mal dein Gate ist upgepullt und wird mit 
dem Transistor kurzgeschlossen?


Ingo

Das hängt ein bisschen von der Frequenz ab, die du mit dem Mosfet 
"erreichen" willst. Da du keine PWM umsetzt, vermute ich mal, dass du 
keine allzu steilen Flanken hast - achte also vor allem darauf, dass der 
Tiefpüass aus Gate-Widerstand und Gate-Kapazität des Fet dir nicht das 
Signal versauen.
Andererseits: Wenn das ganze ziemlich niederfrequent läuft, wirst du 
nicht viel Leistung "sparen" können, da nennenswerte (Gate-)Verluste ja 
nur beim "Schalten" auftreten.

Du weißt aber schon, dass statisch kein Gatestrom beim MOSFET fließt, 
außer vielleicht so an die 100 nA Leakage?
Oder meinst du den Entladewiderstand zwischen Gate und Source? Den 
kannst du zwischen 10k und 100k wählen, das ist egal.

U. B. schrieb:
> Das Gate eines Mosfet ist hochohmig.

Er sprach von der Ansteuerschaltung, nicht von Gatestrom.

Hallo,

also zum besseren verständnis was ich meine mit der ansteuerung, hab ich 
hier mal schnell in ltspice gezeichnet:

wenn Q1 durchschaltet (Endstufe "Enable"), dann fließt ein Strom durch 
R4 -> R2 -> Q1 von ca. 43mA + der Strom durch den spannungsteiler R5 / 
R7..ergibt einen gesamtstrom der durch R7 fließt von ca 78mA.
Der spannungsabfall über R4 und R1 ergibt die Gatespannung von ca 19V.

die 5V werden aus einem 7815 und einem 7805 erzeugt. da die 
Eingangsspannung 23V beträgt. Das ergibt einen spannungsabfall über 
einen regler von 10V und Annahme 100mA Strom 1W Verlustleistung.
Das finde ich schon etwas hoch, da dieser Strom unabhängig von der last 
ist.

Wählt man nun z.B. für R5 und R7 (100 Ohm), so ergeben sich auch andere 
Werte für R2 20 Ohm und für R4 900 Ohm. Der Strom würde nur noch ca 38mA 
ergeben...Man darf aber R5 und R7 nicht zu hoch dimensionieren, da sonst 
Q1 nicht mehr durchsteuert...

Gruß