LTSpice, wie modelliere ich die Sperrverzugszeit einer Diode

OP #3057014
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Mahlzeit,

ich möchte mir ein Spice-Modell für eine Diode 40EPS12 basteln. Nun 
bleibe ich gerade an der Sperrverzugszeit hängen.
In der anhängenden Simulation steppe ich vier verschiedene Diodenmodelle 
durch. Die ersten drei sind selbst erstellt, daß letzte ist das Modell 
einer 1N4007, aus den Tiefen des Internets.
Ich finde die Darstellung des Rückstroms aber in allen Fällen ziemlich 
unbefriedigend. Außerdem schein Cjo massiv die ansteigende Flanke zu 
verschleifen.

Hat jemand eine Idee, wie ich zu einem realistischen Modell komme?
Gruß und Späße
Michael
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OP #3057132
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Hallo Helmut,
ja, den habe ich ja auch variiert. (Bei Nr 2 hatte ich mich nur 
verschrieben).

Beim Model der 1N4007 (Das ist die eckige Kurve, cjo=20p, tt=4µs) sieht 
das aber anders aus, als in der Realität. Das ist schon fast eine 
Step-Recovery-Diode.
Mit meine Parametern (cjo=20nF tt=4µs) wird es schon etwas runder, aber 
ich nehme mal an, daß ich mit der Kapazität irgend einen anderen Effekt 
verursache.

Muß ich jetzt nochmal die Vorlesung zur Halbleiterphysik besuchen?
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Gast #3057224
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Hallo,

ich glaube im normalen Spice-Dioden modell wird nur die linke Hälfte des 
Pulses bzw. nur die Ladung unter der linken Kurvenhälfte in der Rechnung 
berücksichtigt, weshalb die Simulation ohne eine signifikante Kapazität 
ein sehr steiles Verhalten liefert. Dies liegt auch daran, dass die 
Vorgänge beim Ausräumen / Aufbauen von Plasma in einer pin-Diode im 
normalen Diodenmodell nicht enthalten sind. Vielleicht hilft dir dieser 
Link http://www.camacho.prof.ufu.br/Tesi_Gustavo_12gen2006.pdf
Dort sind zum Einen die physikalischen Prozesse beschrieben und es wurde 
versuch ein Modell zu entwickeln.
Gast #3057568
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@Falk Brunner: Man spricht in der Halbleiterphysik wenn Elektronen und 
Löcher in etwa gleicher und hoher Konzentration vorliegen von einem 
Elektron-Loch-Plasma. Natürlich ist damit nicht der Aggregatzustand 
gemeint.

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