Hallo alle miteinander. Ich habe hier mal das Datenblatt des PZTA42T1G NPN Transistors rausgesucht. In dem Datenblatt steht nirgens etwas von Ptot. Da steht nur PD = 1,5W. (Power Dissipation) Ist das das selbe? Und sind 1,5W für einen Transistor in SOT-223 Bauweise nicht ein wenig viel? Edit: Und steht Emitter-Base Brakedown Voltage für die Schwellenspannung der Basis? Oder ist es Base-Emitter Saturation Voltage? Irgendwie ist dieses Datenblatt anders als die die ich gewohnt bin... http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/PZTA42T1-D.PDF MfG
Gast
#3096924
> In dem Datenblatt steht nirgens etwas von Ptot. > Da steht nur PD = 1,5W. (Power Dissipation) Ist das das selbe? Ja. > Und sind 1,5W für einen Transistor in SOT-223 Bauweise nicht ein wenig > viel? Nein, das ist abhängig von der Wärmeableitung an die Umgebung siehe Note1. Das Gehäuse selbst kann noch viel mehr. > Edit: Und steht Emitter-Base Brakedown Voltage für die Schwellenspannung > der Basis? Oder ist es Base-Emitter Saturation Voltage? Das ist die Durchbruchspannung in Sperrrichtung.
Vielen dank erstmal soweit :). Also wann schaltet der Transistor denn komplett durch? Das habe ich irgendwie nicht ganz verstanden. Und aus dem Datenblatt werde ich auch nicht schlau. Emitter-Base Breakdown Voltage: 6Vdc Emitter-Base Voltage: 6Vdc Base-Emitter Saturation Voltage 0,9Vdc MfG
Gast
#3096946
> Also wann schaltet der Transistor denn komplett durch? Das ist ein ganz normaler npn-Transistor, also Ube~0,7V oder bei bestimmten Bedingungen: > Base-Emitter Saturation Voltage 0,9Vdc
Okay. Danke nochmal :). Es war mir halt nur wichtig, dass der bei Spätestens 3V komplett durchschaltet. Die angaben waren ein wenig verwirrend. MfG
konrad M. schrieb: > Es war mir halt nur wichtig, dass der bei Spätestens 3V komplett > durchschaltet. Bei Ube=3V ist er durchgebrannt.
MAXIMUM RATINGS Emitter-Base Voltage 6.0Vdc Ist das nicht die Maximale Spannung die der Transistor an der Basis verträgt? Bzw. wo entnimmst du, dass er bei 3Vdc durch ist? MfG
Gast
#3096982
> Ist das nicht die Maximale Spannung die der Transistor an der Basis > verträgt? > Bzw. wo entnimmst du, dass er bei 3Vdc durch ist? Mann, hast du denn überhaupt keine Ahnung von Transistoren? Das eine ist die Spannung in Durchlassrichtung der B-E-Diode, und da ist der bei 3V zerstört, weil der Strom dann zig Ampere sein müsste. Das andere ist die Durchbruchspannung in Sperrrrichtung!
So meinst du das also. Ich bin davon ausgegangen, das es klar ist, dass ein Basiswiderstand verwendet wird. Sorry wenn das nicht ersichtlich war. MfG
>Ich bin davon ausgegangen, das es klar ist, dass ein Basiswiderstand >verwendet wird. Eben - deswegen liegen die 3V glücklicherweise nicht direkt als Ube an ...
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