Frage zu Transistor - PD = Ptot?

OP #3096865
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Hallo alle miteinander.
Ich habe hier mal das Datenblatt des PZTA42T1G NPN Transistors 
rausgesucht.
In dem Datenblatt steht nirgens etwas von Ptot.
Da steht nur PD = 1,5W. (Power Dissipation)
Ist das das selbe?

Und sind 1,5W für einen Transistor in SOT-223 Bauweise nicht ein wenig 
viel?

Edit: Und steht Emitter-Base Brakedown Voltage für die Schwellenspannung 
der Basis? Oder ist es Base-Emitter Saturation Voltage?

Irgendwie ist dieses Datenblatt anders als die die ich gewohnt bin...

http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/PZTA42T1-D.PDF

MfG
Gast #3096924
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> In dem Datenblatt steht nirgens etwas von Ptot.
> Da steht nur PD = 1,5W. (Power Dissipation) Ist das das selbe?

Ja.

> Und sind 1,5W für einen Transistor in SOT-223 Bauweise nicht ein wenig
> viel?

Nein, das ist abhängig von der Wärmeableitung an die Umgebung siehe 
Note1. Das Gehäuse selbst kann noch viel mehr.

> Edit: Und steht Emitter-Base Brakedown Voltage für die Schwellenspannung
> der Basis? Oder ist es Base-Emitter Saturation Voltage?

Das ist die Durchbruchspannung in Sperrrichtung.
OP #3096941
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Vielen dank erstmal soweit :).
Also wann schaltet der Transistor denn komplett durch?
Das habe ich irgendwie nicht ganz verstanden. Und aus dem Datenblatt 
werde ich auch nicht schlau.

Emitter-Base Breakdown Voltage: 6Vdc
Emitter-Base Voltage: 6Vdc
Base-Emitter Saturation Voltage 0,9Vdc

MfG
Gast #3096982
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> Ist das nicht die Maximale Spannung die der Transistor an der Basis
> verträgt?
> Bzw. wo entnimmst du, dass er bei 3Vdc durch ist?

Mann, hast du denn überhaupt keine Ahnung von Transistoren?

Das eine ist die Spannung in Durchlassrichtung der B-E-Diode, und da ist 
der bei 3V zerstört, weil der Strom dann zig Ampere sein müsste.

Das andere ist die Durchbruchspannung in Sperrrrichtung!

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