Hey,
ein Kumpel bastelt gerade an nem Projekt, bei dem unter anderem ein FET
auf der Low-Side durchgeschaltet werden soll. Prinzipiell keine große
Sache,wäre da nicht der orange markierte Schaltungsteil. Kann mir einer
sagen, was der genau bewirken soll? Bin irgendwie ratlos...
Ich dachte das wäre vielleicht ein Verpolschutz, aber das bringt ja
nicht viel, wegen der parasitären Diode der FETs.
Wäre euch für eine Erklärung der Schaltung sehr dankbar :-)
> Prinzipiell keine große> Sache,wäre da nicht der orange markierte Schaltungsteil.
Nee nee, ohne den könnte der Fet nicht einschalten. Typische Schaltung
von Jemandem der keine Ahnung hat. Es ist nicht zu erkennen, was für ein
Fet da drin ist, wo eine zu schaltende Last angeschlossen ist ...
Mal angenommen es ist ein n-Kanal und die Last liegt zwischen 12V und
GNDschaltbar, dann schaltet der Fet ein, wenn der Schaltpin auf Masse
ist und der (+)12V-Anschluss vom 27K-Widerstand auch an Masse liegt.
Allerdings kann die Drainspannung nur soweit absinken bis sie die
Schwellspannung des Fet erreicht. Insgesamt ist der Schaltzustand des
Fet von 2 Signalen auf eine blödsinnige Art abhängig und der Fet kann
nicht richtig durchgeschaltet werden.
Viel einfacher wäre es, zu sagen was erreicht werden soll, anstatt so
ein Konstrukt zu posten.
ArnoR schrieb:> Nee nee, ohne den könnte der Fet nicht einschalten.
Doch, über die 8,2k und 3,3k Widerstände.
ArnoR schrieb:> Typische Schaltung> von Jemandem der keine Ahnung hat.
Vielleicht. Mich würde es auch interessieren wozu das Ganze gut sein
soll.
Da ist im Schatbild wohl einiges durcheinandergeraten...zumindest glaube
ich nicht, dass die Polaritaet des oberen TRansistor so richtig ist.
Gruss
Michael
Ich verstehe die Schaltung so, dass sie durch eine Spannung von über 10
Volt den P-Kanal Fet einschaltet oder wahlweise durch den Schaltpin
eingeschaltet werden soll.
Wobei mir nicht klar ist, ob das so mit der Zenerdiode geht. Das ist der
falsche Transistor meiner Meinung nach.
Allerdings entzieht sich auch mir die Sinnhaftigkeit solch einer
Schaltung.
Hallo Alfred,
die Art der Zeichnung ist sehr "unelektronisch"..... aber jetzt verstehe
ich:
"Ground schaltbar" bezeichnet den AUSGANG der Schaltung und diese treibt
eine Last nach +Ub
> Wäre euch für eine Erklärung der Schaltung sehr dankbar :-)
Der entsprechende Schaltungsteil sorgt dafuer, dass , falls beim
Ausschalten (Öffnen) des FET ein Spannungsanstieg erzeugt wird
(Induktive Last...) der FET wieder soweit aufmacht, dass diese
Spannungsspitze abgebaut wird.
Schätze - ohne zu rechnen oder zu simulieren, dass diese Spannungsspitze
max. 15..16V betraegt.
gruss
Michael
> Allerdings entzieht sich auch mir die Sinnhaftigkeit solch einer> Schaltung.
Das liegt would an der tollen Darstellungsweise.
Scheinbar liegt die Gatespannung von irgendwoher (rechts) an.
Der Schalteingang dient dazu, den MOSFET bei Eingang = H auszuschalten.
Zum oberen Transistor s.o.
Gruss
Michael
Ich denke mal, dass die Schaltung nur dazu da ist, um uns zu verwirren
;) Der PNP Transistor schaltet nur durch, wenn am Pin was kleineres als
12V anliegt, da da aber anscheinend immer 12V anliegen, ist der
Schaltungsteil schonmal ziemlich unnötig.
Außerdem werden wohl Gleichspannungen aus der ganzen Schaltung
ausgesperrt, wenn an den 12V am FET ein 100nF Kondensator liegt. Also
nur Wechselsignale am FET?
Der Transistor unten ist immer an, wenn 12V anliegen, den Schaltpin hab
ich nicht verstanden, die Schottkydiode von GND zur Basis macht wenig
Sinn, sollte wohl eher eine Z-Diode sein...
Wo liegt eigentlich die Last?
Keine Ahnung was das soll...vielleicht hab ichs aber auch nicht ganz
verstanden und die Schaltung ist das non-plus-ultra zum Durchschalten
eines FETs ;)
Gruß Christian
Hallo Christian,
> ;) Der PNP Transistor schaltet nur durch, wenn am Pin was kleineres als> 12V anliegt, da da aber anscheinend immer 12V anliegen, ist der> Schaltungsteil schonmal ziemlich unnötig.
Nein, sondern sobald sein Emitter positiver wird als 12V+LEDSpannung+UBE
des PNP + Spannungsabfall ueber den 27k.
> Außerdem werden wohl Gleichspannungen aus der ganzen Schaltung> ausgesperrt, wenn an den 12V am FET ein 100nF Kondensator liegt. Also> nur Wechselsignale am FET?
Beschi%$"#en gezeichnet:
Der FET bekommt ueber 3k3+8k2 Gatespannung -> schrieb schon Pommes.
> Der Transistor unten ist immer an, wenn 12V anliegen, den Schaltpin hab> ich nicht verstanden, die Schottkydiode von GND zur Basis macht wenig> Sinn, sollte wohl eher eine Z-Diode sein...
Bei der Polung schliesst sie negative Ug kurz.
> Wo liegt eigentlich die Last?
Hat lange gedauert bis ich das verstanden habe: Die Last wird nach GND
geschaltet.....liegt also an "GND schaltbar" an, vermutlich gegen
irgendeine positive Ub..... War eine echte Denksportaufgabe ;-)
> Keine Ahnung was das soll...vielleicht hab ichs aber auch nicht ganz> verstanden
dito ;-)
Gruss
Michael
Neuer Anlauf!
Der Fet ist ein ein P-Kanal Verarmungstype (nicht ganz richtig
gezeichnet), ist aber auch falsch.
Der PNP ist falsch!
Die Zenerdiode ist auch falsch gezeichnet, ist aber erkennbar durch die
Spannungsangabe und das "ZD" dabei stehend.
Die 100nF zu 12V dienen der Stabilisierung des der Spannung.
Die 100K und der Kondensator sollen wohl für ein schnelles Schalten des
NPN sorgen, machen aber für mich so keinen Sinn.
Insgesamt ist die ganze Schaltung falsch, aber sicher hat sich der
Zeichner das so gedacht:
Über die anliegende Gate Spannung wird der Fet nach Gnd geschaltet und
wäre da ein NPN, so würde bei übersteigen von 10Volt das Gate nach Gnd
geschaltet und es würde so eine Spannungsregelung ergeben.
Warum der NPN unten den ganzen Kreis ausschalten soll, das weiß ich auch
nicht.
Denke der "Konstrukteur" hat sich da etwas verrannt.
Hey Leute,
vielen vielen Dank für eure Mühe...
Die Schottky-Diode ist eigentlich eine Zener, sorry, hab ich verpeilt
und es handelt sich außerdem um ein N-Kanal FET.
Ich glaube Michael hat die Funktion richtig erkannt *Schulterklopfer
:-)*, es muss sich um einen Überspannugsschutz handeln, der bei
induktiver Last den Lastausgang bei einer Spitze > ca. 14V auf GND
zieht...
Alfred
Hab das ganze simuliert.
Ist genau so, wie mexman schrieb, eine Überspannungsbegrenzung.
Und die funktioniert bei kleinen zulässigen Spannungsdifferenzen besser
als z.B. eine Diodenkombination/TVS zwischen Drain und Gate.
Der einzige Punkt ist, das ich die beiden Dioden vertauschen würde.
Die Z-Diode D2 ans Gate und die Schottky D1 in die Basisansteuerung Q2.
Der etwas höhere Sperrstrom ist egal (Ginge theoretisch auch ganz ohne
Diode, da der Strom bei BE-Durchbruch ohnehin schon durch R6 begrenzt
wird).
Schaltung.JPG
(120 KB)
