Puls mit hohem Strom - MOSFET

Gast #3116976
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Hallo,

Beigelegte Schaltung zeigt einen kleinen Versuchsaufbau.
Ich muss mit einem MOSFET, im schlimmsten Fall, ca. 800A bei 2V schalten 
und das ganze für ca. 1us alle 10-20s.

Hällt das der FET aus?
Ich glaube mal gehört zu haben das FET's für kurze Zeit das 20-fache des 
erlaubten Dauerstroms schalten können. Stimmt das?


Das ist der FET:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfs3306pbf.pdf
Angehängte Dateien:
Gast #3116986
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Das ist schon richtig, nur dass ich mit dieser angabe nichts anfangen 
kann weil keine Zeit dabei steht also wie lange dieser Puls sein darf.
Oder heißt das, dass egal wie kurz der Impuls ist es nie mehr als 620A 
sein dürfen?
Gast #3116989
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Was ist an "Absolut Maximum Rating" so schwer zu verstehen? Die Angaben 
dort dürfen unter gar keinen Umständen jemals überschritten werden, wenn 
man nicht die sofortige Zerstörung des Bauteils riskieren will.

Dein FET ist ungeeignet. Nimm einen anderen mit anderen Spezifikationen 
oder schalte zwei oder mehrere Parallel.
#3117003
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Johannes M. schrieb:
> Das ist schon richtig, nur dass ich mit dieser angabe nichts anfangen
> kann weil keine Zeit dabei steht also wie lange dieser Puls sein darf.
> Oder heißt das, dass egal wie kurz der Impuls ist es nie mehr als 620A
> sein dürfen?

Das würde ich so interpretieren, zumal da noch eine Anmerkung steht:

(2) Repetitive rating; pulse width limited by max. junction
temperature.

Daraus könnte man schließen: nie mehr als 620A, aber die erlaubte 
Pulslänge ist zusätzlich begrenzt durch die Verlustleistung bzw. 
Erwärmung.

Weiterer Hinweis: alle Diagramme enden bei diesem Strom.

Ohne Garantie grüßt Dietrich

PS: "Absolut Maximum Rating" ist die Zerstörgrenze; vor diesen Angaben 
sollte man genügend Respekt haben!
Gast #3117008
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Ach ja, noch was:

Wie sollen denn bei nur 2 Volt Spannung 800 Ampere zustandekommen? Dein 
verlinkter FET hat einen RDSon von ca. 4 milliOhm, das macht maximal 500 
A, den Widerstand der Leitungen und des Verbrauchers noch gar nicht 
dazugerechnet.
Gast #3117043
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Was soll das denn werden?
2V und hoher Strom klingt nach Bleiakkuzelle. Bei 800A machen dir aber 
sämtliche Leitungswiderstände und bei den geforderten Schaltzeiten vor 
allem die parasitären Induktivitäten zu schaffen.

Was für eine Stromanstiegsgeschwindigkeit soll denn erreicht werden?
Gast #3117062
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MOSFETs sind ganz schlecht bei Pulsströmen, denn sie sind wie ein 
Widerstand: Doppelter Strom, doppelter Spannungabafll und vierfache 
Verlustleistung.
Und noch schlimmer als ein Widerstand: Sie haben einen Maximalstrom ab 
dem sie abschnüren. Also doppelter Strom (versucht), kompletter 
Spannungsabfall, exorbitante Verlustleistung.

Du siehst bei deinem MOSFET beispielsweise im Diagramm ID, 
Drain-to-Source Current (A) Tj 175 GradC, daß er die 620A nur erreicht, 
wenn die Gate-Spannung 15V beträgt. Bei 10V Gate-Spannung schnürt er 
knapp über 200A ab (und das Digarmm ist typisch, die Kurven können auch 
erst für 0.7 oder 1.4-fache Gate-Spannung gelten). Ist er kälter schafft 
er zwar mehr, aber bei den Strömen ist er sofort heiss.

Besser für Pulsspitzenströme sind bipolare Transistoren und Thyristoren, 
den die haben eine Diodenkennlinie: Doppelter Strom bedeutet nur 
unwesentlich mehr Spannungsabfall, also eher die doppelte und nicht die 
vierfache Verlustleistung und keine Stromabschnürung. Auch IGBTs sind 
robust, es gibt spezielle für die Ansteuerung von Blitzlampen (Beispiel 
CT40TMH-8 für 200A pulsed, hab gerade keine Typennummer für stärkere zur 
Hand).
Gast #3117144
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Der Schaltplan soll euch nur zeigen worum es geht, und nicht 
funktionstüchtig sein.

Ich will im Grunde nur wissen wie ich diesen hohen Strom im us-Bereich 
schalten kann.

Ich bitte um Ratschläge.

MaWin schrieb:
> Besser für Pulsspitzenströme sind bipolare Transistoren und Thyristoren,
> den die haben eine Diodenkennlinie: Doppelter Strom bedeutet nur
> unwesentlich mehr Spannungsabfall, also eher die doppelte und nicht die
> vierfache Verlustleistung und keine Stromabschnürung. Auch IGBTs sind
> robust, es gibt spezielle für die Ansteuerung von Blitzlampen (Beispiel
> CT40TMH-8 für 200A pulsed, hab gerade keine Typennummer für stärkere zur
> Hand).

Und wo kann ich solche kaufen? Bei conrad.at bin ich nicht fündig 
geworden.
Gast #3117200
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Also ihm da zu Bipolartransistoren zu raten, ist wohl nicht der richtige 
Weg. Zwar wissen wir alle, daß das sowieso nie gebaut wird, aber 
theoretisch nimmt man einfach den Mosfet mit dem kleinsten Widerstand 
den man finden kann, und gut. Unter 1mOhm wird es interessant. Und max. 
erlaubte Gatespannung anlegen. Dann "nur" noch die Verschienung, eine 
monströse Stromquelle/Supercaps o.ä...
Gast #3117223
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12345 schrieb:
> Zwar wissen wir alle, daß das sowieso nie gebaut wird, aber...

Es ist schon gebaut mein Herr. :-)
Ich warte nur noch auf meine Kühlbleche und die Wärmeleitpaste welche 
ich gestern bestellt hab.
Mir fehlt jetzt nur noch eine Lösung um meinen Strom schnell schalten zu 
können.

Kann man vl einen Thyristor (oder mehrere) zu einem HF-Schalter umbauen. 
Denn die "Selbsthalte-Funktion" ist doch bei denen dass Problem oder?
Gast #3117232
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Kühlblech brauchst du ohnehin nicht bei us alle 10-20 sekunden. Das 
Material würde ich eher in eine niedeinduktive Verschienung stecken. 
Nimm einen Funktionsgenerator, der 15V kann undschalte einige MosFets 
parallel.
Was für MosFets hast du?
Gast #3117236
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Achja und vergiss alle Bipolaren Elemente wie Thyristoren und IGBTs. Die 
haben alle zu viel Spannungsabfall, egal wieviele du parallel schaltest. 
Achja und der Funktionsgenerator müsste einiges An Strom können. Mit 
einer Ausgangsimpedanz von 50Ohm kannst du das Gleich vergessen!
Gast #3117325
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2V 800A
Dass ist doch mehr als bei einem Schweißgerät fließt.
Und da bekommt man schöne Lichtbögen mit denen man Stahl schmilzt.

Bei bis zu 200A sind die Anschlusskabel dick wie ein Daumen und trotzdem 
werden die im Betrieb warm.

Was soll das werden?
Eine HF-Zündung für ein Schweißgerät?
Ein Erodiergerät?
Gast #3117335
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Der verlinkte MOSFET ist für vielleicht 75-100 A gut. Dann hält sich 
auch der Spannungsverlust mit rund 200-400 mV noch in Grenzen. Das hieße 
dann eher 8-10 der MOSFETs parallel, und einen (oder mehr) entsprechend 
kräftigen Treiber.

Mit 60 V Spannungsfestigkeit ist der MOSFET Typ wohl auch nicht die 
beste Wahl. Da sollten sich passendere mit weniger Spannungsfestigkeit 
und dafür besseren Daten bei Strom, Gate Kapazität und On-Widerstand 
finden lassen.
Gast #3117336
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Bei 2V gibt es keinen Lichtbogen (zumindest keinen stehenden!). Zudem 
sind es nur sehr kurze Pulse (us in zig Sekunden) da kann man ohne mühe 
ein 1quadrat mm Kabel nehmen (wenn da nicht die Induktivität wäre, die 
eine flächige Verbindung benötigt)
#3117505
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Johannes M. schrieb:
> 12345 schrieb:
>> Zwar wissen wir alle, daß das sowieso nie gebaut wird, aber...
>
> Es ist schon gebaut mein Herr. :-)

Es wird nur nicht funktionieren. Also nicht so, wie geplant.

Von 0 auf 800A bei gerade mal 2V mit 1µs Pulsdauer ist äußerst 
unrealistisch. Nehmen wir einfach mal an, du würdest dir 1µs Zeit lassen 
wollen, um den Strom auf 800A steigen zu lassen, dann dürftest du bei 2V 
gerade mal 2.5nH an Induktivitäten haben. Im kompletten Stromkreis von 
der Spannungsquelle über den FET hin zur Last und zurück zur 
Spannungsquelle.

1cm Draht hat ca. 10nH parasitäre Induktivität (Faustformel)

Ganz davon zu schweigen, daß du ja auch die Gate-Kapazität in deutlich 
weniger als 1µs von 0 auf 20V (oder wie viel der MOSFET aushält, weil 
das wirst du bei diesen Strömen ausreizen wollen) laden und dann genauso 
schnell wieder entladen mußt.


XL
Gast #3117932
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Wolfgang schrob:
>Bei 2V gehen liegt man sogar mit Pulsen, die
>100-fach längeren sind als gefordert, dicke im sicheren Bereich.

Ja, hier ist es aber andersherum: Der Mann hat nur 1µs Zeit zur 
Ansteuerung
und das ist zu kurz. Er kriegt den Mosfet so schnell nicht "weit genug 
auf"
oder andersrum nicht schnell genug wieder gesperrt.

MfG Paul
#3117985
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Das ist das was Alexander ja schon ansprach. Alleine die Faustformel für 
1 cm langen Draht zeigt, dass dessen parasitäre Induktivität viel zu 
groß ist für die geforderte Pulslänge des genannten Stroms. Ich denke 
nicht, dass man 800 A so ohne weiteres mit 1µs Pulslänge schalten kann. 
Alleine schon die Flankensteilheit von 800 MA/s wird man nicht so leicht 
hinbekommen und das wäre ja noch viel zu wenig für das vorhaben.
(Firma: EleLa - www.elela.de) #3118050
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Johannes M. schrieb:
>
> Es ist schon gebaut mein Herr. :-)
> Ich warte nur noch auf meine Kühlbleche und die Wärmeleitpaste welche
> ich gestern bestellt hab.
> Mir fehlt jetzt nur noch eine Lösung um meinen Strom schnell schalten zu
> können.
>
> Kann man vl einen Thyristor (oder mehrere) zu einem HF-Schalter umbauen.
> Denn die "Selbsthalte-Funktion" ist doch bei denen dass Problem oder?


Johannes M. schrieb:
> Als Funktiongenerator nehme ich einen Mikrocontroller und eine
> Anpasschaltung.
> Noch hab ich gar keine Fets....Ich bin für Vorschläge offen.


Was ist denn schon gebaut, wenn Du noch keine FET's hast?
Was soll das denn werden?
Gast #3119911
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Zur Ueberwindung der Induktivitaet muesste etwas mehr Spannung da sein. 
Nehmen wir einen kompakten Aufbau mit 20cm zwischen Powersupply, FET, 
Last. Das waeren dann 400nH hin und zurueck, optimistisch. Wir wollen 
die 800A in 100ns schalten, es soll ja kein Dreieck sein. Nach U = L* 
di/dt, erhalten wir 3.2kV.
Ja. Das Projekt schein etwas ueberzogen zu sein.
Gast #3119919
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Ich kenne Leute, die mussten 300A Pulse waehrend 10us zur Verfuegung 
stellen. Anstigszeit war 1us. Das sind schon schwaechere 
Spezifikationen. Die sind dann mit 300V ran, und kriegten's hin. Da 
waren aber einige Mann Monate weg.
Gast #3119957
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Ladung Q = 800A x 1us = 0.0008As

=> Das passt locker in einen 100uF Kondensator

U = Q / C = 0.0008As / 100uF = 8V

Also: Ein 100uF Elko auf 8V laden und den direkt über dem Ziel-DUT 
kurzschliessen, dann kriegst Du zumindest den gewünschten Ladungsimpuls 
auf deinen "Verbraucher"
Gast #3120001
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>> Also: Ein 100uF Elko auf 8V laden und den direkt über dem Ziel-DUT
>> kurzschliessen,
>Schade daß der Elko eine 100 fach zu hohe parasitäre Induktivität haben
>dürfte :-)
Und auch der ESR von Elkos darf natürlich auch nicht vernachlässigt 
werden!
Aber 10V/100uF kriegt man inzwischen auch locker mit 
Keramik-Kondensatoren hin, die schaffen dann problemlos die gewünschten 
800A
Gast #3120013
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Weil der Schalter die Laenge Null hat, resp nicht da iat. Das Ganze wird 
dann aber ein Stress mit der Repetitionsrate. Wenn die Anschlusskappen 
bei den 800A festschweissen muss man den Cap jeweils mit dem Meissel 
entfernen. Wie lange soll repetiert werden ?

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