Elektonisch steuerbare Widerstände

OttoMotto schrieb:
> Transistor? (Ist aber mehr nen Stromverstärker als nen veränderbarer
> Widerstand...)

Aaaarghhh!
ich glaube du hast tatsächlich recht, der meint das wirklich:
"mit ner Basis ansteuern" "ähnlich wie ein Poti" klar die haben auch 3 
Anschlüsse

Da muss man erst mal drauf kommen.
Bier und Popcorn her!
Messi schrieb:

>> Nur dass ich den
>> Wiederstand gerne mit einem Analogen signal steuern möchte
> kleine Glühlampe, die einen LDR mehr oder weniger bescheint.

Statt Glühlampen nimmt man da heutzutage grüne LEDs. :-)
Gruss
Harald
PS: "steuerbare Widerstände" sind nur schwer zu realisieren, da sich
die üblichen Schaltungen dafür unlinear verhalten. Es ist besser, man
führt das Problem auf eine steuerbare Spannung oder einen steuerbaren
Strom zurück. Deshalb die Bitte an Tim: Problem schildern.
>Transistor? (Ist aber mehr nen Stromverstärker als nen veränderbarer
>Widerstand...)

"Transistor" ist ein Kunstwort aus "Trans" und "Resistor", weil man zu 
Beginn in der Tat festgestellt hat, daß man mit einem Strom in die Basis 
den Widerstand der Kollektor-Emitter-Strecke steuern kann. Also, soo 
völlig verkehrt ist das nicht...
Gast
Zumindest für einen normalen Bipolaren Transistor ist eine 
Stromverstärkung eine deutlich bessere Beschreibung der Eigenschaften 
als der veränderliche (Spannungs- oder Strom gesteuerte) Widerstand.

FETs verhalten sich bei kleiner Drain-Source Spannung noch so etwa wie 
ein Spannungsgesteuerter Widerstand.

Eine analoge Multiplikation lässt sich mit Transistoren über die 
exponentielle Diodenkennlinie erreichen, etwa als Gilbertzelle. Wegen 
der Temperaturstabilität sind hier fertige ICs zu empfehlen. Wenn es um 
niedrige Frequenzen geht, gäbe es auch noch geschaltete Kondensatoren 
als Frequenzgesteuerte Widerstände.
Kai Klaas schrieb:
> "Transistor" ist ein Kunstwort aus "Trans" und "Resistor"

Aber bitte vollständig angeben. Es heißt "Transfer" und nicht nur 
"Trans" ;)

Während aber ein Bipolar-Transistor "nur" die Stromverstärkung 
beeinflußt (nicht aber den Leitwert der CE-Strecke) wird beim Mosfet 
mittels der Gate-Source-Kapazität ja tatsächlich direkt der Leitwert des 
Drain-Source-Kanals verändert.
Persönliche Seite
Moin,

Also ich bastel auch gerade an ner Schaltung rum die unter anderem so 
etwas ähnliches wie du suchst beinhaltet.
Ulrich hats ja schon erwähnt, mit der DS-Strecke von FETs, hab dir mal 
ne Schaltung angehängt.

Ist mit einem Verstärkung berechnet sich wie bei einem nicht 
invertierenden Verstärker. Wird R1 weggelassen dann hast nen 
Spannungsfolger. Vielleicht kannst damit was anfangen.
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