Transistor ; Definition von r(BE)

Lothar S. schrieb:
> Der R(BE) ist dynamisch und es gibt ihn für DC und AC! Grüße Löti

Ja, aber was hat das mit meiner Frage zu tun? Ich verstehe nicht, was du 
mir damit sagen willst...

Löti... einfach der Hammer :D

Wenn ich einsetze bekomme ich

r_BE = Steigung der U_BE - I_B Kennlinie = Delta U / Delta IB = 0.2V / 
4.5mA = 44 Ohm.

Das ist bei mir das r_BE.

In meinem mitgelieferten Bild der Mitschrift kommt das aber raus für

beta * r_be = 44 Ohm, was bei einem beta von 100 ein r_BE = 0.44 Ohm 
ergibt.

Was nun? Wie kommt man auf

U_BE = U_BE,0 + beta  I_B  r_BE

Wieso steht da Beta drin ????

Denn dann wäre ja r_BE als Steigung der Kennlinie U_BE - I_E definiert.
Überall wo ich auch nachlese ist aber r_BE als Steigung der Kennlinie 
U_BE - I_B definiert (=differenzieller Widerstand der Basis-Emitter 
Diode).

Im übrigen würde es mich freuen, mir mit sachlichen Antworten zu helfen, 
statt sich auf meine Kosten lustig zu machen. ich mach das nicht aus Jux 
und Tollerei, sondern lerne für eine Prüfung.

WIE IST DER r_BE dann genau definiert????

Hast du doch geschrieben

r_{BE} = \frac{\partial U_{BE}}{\partial I_B}

1) als Steigung der Kennlinie U_BE - I_E


oder


als Steigung der Kennlinie U_BE - I_B definiert

Kirk schrieb:
> Hast du doch geschrieben
>
> r_{BE} = \frac{\partial U_{BE}}{\partial I_B}

Ja, eben: und da kommt bei mir als Differenzialquotient 44 Ohm raus. Ich 
habs ja vorgerechnet.

Am Blatt kommen aber 0.44 Ohm raus, weil da noch durch beta=100 
dividiert wird.

Also sind es nun 44 Ohm oder 0.44 Ohm?

Du hast den Transistor grundsätzlich nicht verstanden. Es gibt nun mal 
eine Verstärkung.

Lothar S. schrieb:
>> als Steigung der Kennlinie U_BE - I_B definiert
>
> am Arbeitspunkt. So kenne ich Das.


Ja, so kenne ich es auch. Das ist ja mein Problem.

;-)

Achso, hatte ich vergessen:

Beitrag "Einheitlicher Umgang mit faulen Schülern etc.?"

> Also sind es nun 44 Ohm oder 0.44 Ohm?

Im Zweifel bezieht man sich natürlich auf den Tietze/Schenk/Gamm = 
Halbleiter-Schaltungstechnik. Siehe Anhang.

Nöh, schrieb:
> Du hast den Transistor grundsätzlich nicht verstanden. Es gibt nun mal
> eine Verstärkung.

Mit euch verliere ich langsam die Nerven. Reden wir aneinander vorbei 
oder was? Sicher weiß ich, was ein Transistor macht, und dass er eine 
Verstärkung hat (ich bin ja nicht doof).

Es geht mir um die Konkrete Herleitung des Werts von r_BE=0.42 Ohm. Ich 
bekomme 42 Ohm raus, und der Professor 0.42 Ohm.

Wenn ich die Einganskennlinie im AP linearisiere, dann bekomme ich

U_BE = U_BE,0 + k * I_B

Das k ist dann doch r_BE ???

ArnoR schrieb:
> Im Zweifel bezieht man sich natürlich auf den Tietze/Schenk/Gamm =
> Halbleiter-Schaltungstechnik. Siehe Anhang.

Oh mann,

in meinem Tietze Schenk (5. Auflage von 1980) steht

In deinem steht:

obwohl es zwei Zeilen oberhalb noch wie bei mir steht ;-)

Hat sich die Definition in den letzten 30 Jahren geändert?

Lothar S. schrieb:
>> Das ist ja mein Problem.
>
> Du hast vergessen das durch die Basis nicht nur der Basiseingangsstrom
> fließt sondern auch der Collektorstrom!
>
> Deshalb: / beta!
>
> Grüße Löti

Basisstrom ist Basisstrom (also was durch den B-Pin hineinfließt, du 
meinst den Emitterstrom (also was aus E rauskommt). Welcher Strom geht 
nun in das r_BE ein?

Nöh, schrieb:
> Achso, hatte ich vergessen:
>
> Beitrag "Einheitlicher Umgang mit faulen Schülern etc.?"

Und was hat das mit mir zu tun? Kennst du mich? Weißt du wer ich bin? 
Was ich studiert habe, etc...?

Ich habe eine konkrete Frage auf höfliche Art und Weise gestellt, die 
mir bisher noch niemand konkret beantworten konnte, obwohl es lediglich 
um eine Frage der Definition geht.

Schüler schrieb:
> Mit euch verliere ich langsam die Nerven. Reden wir aneinander vorbei
> oder was? Sicher weiß ich, was ein Transistor macht, und dass er eine
> Verstärkung hat (ich bin ja nicht doof).

Na dann mach doch mal ne Pause.

Schüler schrieb:
> Hat sich die Definition in den letzten 30 Jahren geändert?

Nee, das ist wohl ein Fehler, die 5. Auflage stimmt bzw. in der 11. die 
oberen Zeilen, hab ich vorhin übersehen. Also der rbe ist der mit der 
Stromverstärkung multiplizierte Diffusionswiderstand.

Lothar S. schrieb:
> Das ist so richtig!
>
> Das Untere ist nur die Auflösung der Zeile darüber!
>
> Grüße Löti

Sorry, aber es können nicht beide (Definitions-)Gleichungen stimmen: 
einmal (oben) mit I_B im Nenner, und unten plötzlich mit I_C (und alles 
andere bleibt gleich). DAS IST EINDEUTIG EIN DRUCKFEHLER (auch wenn es 
Tietze Schenk ist...)

So, nun bin ich ein wenig weiter, denn ich habe gerade etwas gefunden

http://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_models/bjt_models.html

wonach es zwei gängige Ersatzschaltbilder des Transistors gibt, nämlich 
das (mir bekannte) Pi-ESB, mit

und auch ein (mir bisher unbekanntes, aber natürlich gleichwertiges) 
T-Modell, mit

Das wird es wohl sein: Der Professor hat stillschweigend das T-ESB 
angenommen, wo der "übliche" R_BE auf die Emitterseite umgerechnet 
wurde. Klar, dass er dann um den Faktor beta kleiner ist.

Kennt jemand diese Darstellung??? Mir ist sie bisher nicht 
untergekommen.

Schüler schrieb:
> und auch ein (mir bisher unbekanntes, aber natürlich gleichwertiges)
> T-Modell, mit

rBE,T...

Nee, da steht re (durch den fließt Ic+Ib) und damit ist der 
Diffusionswiderstand 1/S gemeint gemeint. Der Eingangswiderstand rbe ist 
da nicht beschrieben.

Lothar S. schrieb:
>> Sorry, aber es können nicht beide (Definitions-)Gleichungen stimmen:
>
> Es sind nicht beide Definition!
>
> Die Obere ist die Definition, die Untere dann eingesetzt! Das stimmt so.
>
> R(BE) dynamisch ist abhängig von beta!
>
> Grüße Löti

Sorry, aber hast du überhaupt genau gelesen, was ich geschrieben habe? 
;-)

Oben steht bei dir:

und unten

Das KANN nicht stimmen und ist ein Druckfehler!!!!!

Die haben gemeint (und das meinst auch du, ohne den Fehler zu sehen - du 
bist da "betriebsblind"):

Damit hab ich ja keinerlei Problem - war aber auch nicht meine Frage! 
;-)

> Der differentielle Widerstand r_be wird in dem Link als Common emitter
> input resistance r_PI bezeichnet. ...

Da bist auf dem falschen Dampfer, es geht nicht um die Pi-Schaltung, 
sondern um die T-Schaltung darunter: Popular equivalent circuit #2

Alexander Schäfer schrieb:
> ArnoR schrieb:
>> Nee, da steht re (durch den fließt Ic+Ib) und damit ist der
>> Diffusionswiderstand 1/S gemeint gemeint. Der Eingangswiderstand rbe ist
>> da nicht beschrieben.
>
> Der differentielle Widerstand r_be wird in dem Link als Common emitter
> input resistance r_PI bezeichnet. Die angegebene Formel für die
> Transconductance (Steilheit) ist der Kehrwert des differentiellen
> Widerstandes r_be.

Das ist der springende Punkt: In der Mitschrift ist mit r_BE der 
Kehrwert von S (der Steilheit) gemeint. Und das ist um den Faktor 1/beta 
kleiner als die "übliche" Definition. Und dann kommt halt 0.44 Ohm raus 
(bei einem angenommenen beta=100). Wenn man es so definiert, dann muss 
man r_BE auf die Emitterseite legen, und man hat dann halt das T 
Ersatzschaltbild. Ich halte es nur für didaktisch ungenau, diesen wert 
als r_BE zu bezeichnen, da ja mit diesem die Steigung der B-E-Diode 
gemeint ist, und nicht 1/S.

Ich werde da mal näher nachfragen müssen...

Interessant:

http://de.wikipedia.org/wiki/Ersatzschaltungen_des_Bipolartransistors#Statisches_Kleinsignalmodell

Hier ist ein wenig weiter unten das "umgeformte Kleinsignalmodell" als 
T-Schaltung. In der Zeichnung eingezeichnet als (fälschlicherweise) 
r_BE, im Text richtigerweise ausgewiesen als r_E = 1/S.

Langsam wird mir klar, was da passiert ist.

Schüler schrieb:
> Nun habe ich eine  Vorlesungsmitschrift, wo r_BE aus dem Datenblatt
> ermittelt wird. Der Basisstrom wird als Knick modelliert

Wo siehst du da einen Knick?
Dafür müßte die Gleichung eine Fallunterscheidung enthalten.
Was du da zeigst, ist ein ganz gewöhnlicher, stetig differenzierbarer 
funktionaler Zusammenhang mit (konstantem) Offset und einem (über r_BE 
wahrscheinlich nichtlinear) mit I_B ansteigenden Anteil.

Dozent schrieb:
> Schüler schrieb:
>> Nun habe ich eine  Vorlesungsmitschrift, wo r_BE aus dem Datenblatt
>> ermittelt wird. Der Basisstrom wird als Knick modelliert
>
> Wo siehst du da einen Knick?
> Dafür müßte die Gleichung eine Fallunterscheidung enthalten.
> Was du da zeigst, ist ein ganz gewöhnlicher, stetig differenzierbarer
> funktionaler Zusammenhang mit (konstantem) Offset und einem (über r_BE
> wahrscheinlich nichtlinear) mit I_B ansteigenden Anteil.

Die Modellierung der U_BE - IB Kennlinie ist:

Das ist eine Gerade. Und da I_B nicht negativ werden kann, ist da auch 
ein Knick ;-)

Siehe Bild.

Problem ist geklärt: Der Vortragende verwendet das T-ESB. Ich habe 
bisher immer das Pi-ESB verwendet - daher die Unstimmigkeit.