Gast
#3243576
Hallo zusammen, ich muss einen Resonanzwandler simulieren (Ausgangsspannung: 50V Ausgangsstrom: 4A) und schließlich bauen und kenne mich in einigen Dingen leider nicht so gut aus. Ich habe sowohl noch nie eine Halbbrücke als auch einen Trafo gebaut, also vielleicht sind die Fragen trivial, oder ich habe falsche Vorstellungen. Bitte seid gnädig ;) 1. Die Halbbrücke: Die Halbbrücke, die die Rechteckspannung (50V, 100-200kHz) für den Resonanzkreis erzeugt, besteht aus zwei n-Kanal MOSFETs. In LTSPice kann ich beide einfach mit je einer Spannungsquelle simulieren, aber in der Realität werde ich eine Bootstrap-Schaltung brauchen, oder? Am einfachsten wäre wohl, sich einen Treiber-IC zu kaufen, der sowohl high-side als auch low-side ansteuert. Es gibt einige Treiber-ICs zu kaufen, ich weiß aber leider überhaupt nicht, welcher da der richtige ist. Mit LTSpice habe ich im Resonanzkreis Ströme bis zu ~10A. 2. Der Trafo: Der Trafo soll aus einem E-Kern selbst gebaut werden. Wenn ich von einer max. Stromdichte von 2.8A/qmm ausgehe, müssen die Drähte bei den Strömen aus der Simulation (~10A) ca 2mm dick sein. Wegen den hohen Frequenzen von 100-200kHz wurde aber empfohlen, HF-Litzen zu benutzen (Skin-Effekt). Ich weiß jetzt allerdings nicht, welche Auswirkungen diese Wahl auf die Drahtstärke hat (abgesehen davon, dass ich auf die Schnelle keine HF-Litzen in der Stärke gefunden habe). Kann mir jemand Anhaltspunkte für die richtge Wahl des Treiber-ICs und der Wicklungsdrähte geben? Vielen Dank schon mal im Voraus.