Suche Mosfet

Die Schaltgeschwindigkeit hängt davon ab, wie schnell die parasitären 
Kapazitäten umgeladen werden. Dafür ist maßgeblich der Gate-Treiber 
ausschlaggebend. Auch müssen die parasitären Induktivitäten minimiert 
werden, vorallem die Source-Induktivität. Ist das bei Dir schon 
optimiert? Vielleicht wäre auch GaN eine Alternative.

Ja, das ist insoweit schon geschehen, nur bei den Induktivitäten, ist es 
in meiner Schaltung nicht ganz realisierbar...

Aber danke schon einmal vorab... Ich dachte vielleicht hat jemand bzw 
kennt jemand einen schnelleren Transistor mit einer geringeren 
Sperrschichtkapazität

Mirco schrieb:
> Ugs beliebig, müsste aber bei den meisten MOSFET um die 4V sein

Kommt darauf an, wieviel Strom letztendlich fließen soll. Dauernd oder 
gepulst oder wie auch immer.

http://aosmd.com/res/data_sheets/AOD7S60.pdf

AOSMD ist cool!!

Hab ich auch bei mir im Einsatz bei anderer Spannungsklasse.

Der vorgeschlagene Typ ist bedeutend schneller als dein bisheriger 
Infineon Typ.

Nur wie der andere Kollege schon geschrieben hat:  Das geht alles nur 
wenn dein Treiber gut angebunden ist und du die parasitären 
Induktivitäten deiner Endstufe minimierst.
Am besten 4 Lagen Platine mit oben Power, dann GND, dann Gate und Source 
der MOSFETs auf der 3. Ebene eng beieinander und dann unten wieder GND. 
Das machst du in den Bereichen wo die Ansteuerleitungen liegen. Das 
minimiert die parasitären Induktivitäten im Ansteuerkreis massiv und die 
Fasuformal 10nH/cm ist nicht mehr gültig.

Natürlich dann auch noch die Schleifenlänmge minimieren zwischen 
Zwischnekreiskondensor und GND und den MOSFETs dazwischen

Du solltest auch für jeden MOSFET einen einzelnen Treiber verwenden und 
keinesfalls einen 3-Phasen treiber mit einer einzigen Leitung der 
Lowside-Sources denn sonst hast du hier wieder hohe Induktivität.

P.S.

Was willst du denn bauen weshalb deine Anstiegszeiten (der Spannung) so 
klein sein muss. Bringt ja alles nix wenn die Last ne hohe Induktivität 
hat und du zwar ne schnelle Spannungänderung aber eine langsame 
Stromänderung hast. Macht dir ja sogar nur die EMV böse. Habe bei mir 
MOSFETs + Endstfe die ne Risetime von 6ns haben und musste wegen EMV auf 
300ns erhöhen...