Logiklevel Dual Mosfet als Schalter

Steffen Gast 20.11.2013 09:32 #3410506

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Hallo,

ich möchte ein paar LEDs mit einem Mikrocontroller ansteuern. Dazu 
möchte ich Dual Mosfets im Dual SMD Package nutzen. Nun habe ich ein 
paar Verständnisfragen.

Mein Microcontroller bringt maximal 0,5mA und 2,5V am Ausgang, hiermit 
möchte ich nun die LEDs schalten. Was nehme ich da am besten N oder P 
Kanal?

Was ich also suche ist einen passenden Dual Mostet im SOT363 Package, 
der mit VGs von 2,8V voll durch steuert und einen Collectorstrom von 
100mA verkraftet.

Grüße

Steffen

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Dirk Gast 20.11.2013 09:38 #3410516

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Am einfachsten die Parametersuche bei IRF befragen:

http://www.irf.com/search/product_line.html

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Steffen Gast 20.11.2013 09:39 #3410518

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Danke, werde ich machen. Vergessen habe ich noch das die du Schaltende 
Spannung bis zu 4,2V beträgt. Ist das ein Problem?

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Dirk Gast 20.11.2013 09:47 #3410530

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Steffen schrieb:
> Vergessen habe ich noch das die du Schaltende
> Spannung bis zu 4,2V beträgt. Ist das ein Problem?

Üblicherweise ist die maximale Uds >10V. Das sollte also kein Problem 
sein. Bei induktiven Lasten die Freilaufdiode nicht vergessen.

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Dirk Gast 20.11.2013 09:53 #3410538

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Übrigens, bei der Beurteilung der Parameter im Datenblatt bitte immer 
nach den spezifizierten Rdson und den dort angegebenen Ugs schauen. Die 
Ugs-threshold ist lediglich die Spannung, bei der der FET gerade eben 
leitfähig wird und als Auswahlkriterium unbrauchbar.

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Steffen Gast 20.11.2013 10:17 #3410571

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Okay, habe nun das N-Channel Mosfet NX3008NBKS heraus gesucht. Das hat 
folgende Daten:

VGS =2.5V;ID =200mA;Tj =25°C 1.4 Ohm
VGS =1.8V;ID =10mA;Tj =25°C  2 Ohm

http://www.nxp.com/documents/data_sheet/NX3008NBKS.pdf

Ich denke das sollte locker reichen. :)

Hier nun die Schaltung, so sollte es doch funktionieren, oder?

Angehängte Dateien:

N-Channel.png (4,7 KB)

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Dirk Gast 20.11.2013 10:25 #3410581

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Das passt. Baue noch eine Widerstand vom Gate nach Masse ein (z.B. ca. 
100K). Im Reset schalten µC die I/Os auf hochohmig-Input und der FET 
hätte einen undefinierten Gate-Pegel.

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