Gast
#3528536
Hallo, ich suche eine Methode, wie ich bestimmen kann, wie lange ein Impuls dauert kann, um eine Mosfet zu zerstören. Mosfet: 40V.
Gast
#3528548
Bernd W schrieb: > ich suche eine Methode, wie ich bestimmen kann, wie lange ein Impuls > dauert kann, um eine Mosfet zu zerstören. Was soll denn das bringen? Die Grenzdaten stehen im DB, z.B. SOA-Diagramm. Kein Entwickler, der noch bei Verstand ist, belastet Mosfets über die DB-Grenzen hinaus bis an selbst ermittelte Zerstörschwellen.
Gast
#3528568
Anzahl der Impulse zählen bis er kaputt ist? :-) Ganz so einfach wirds wohl nicht werden, da die steilen Impulse weniger heizen als die schrägen im Schaltbetrieb. Außerdem hast Du noch nicht verraten wozu Du ihn benutzen möchtest. Such Dir einen Typ und schau ins Datenblatt. Ein Datenblatt garantiert leider noch keinen gescheiten Aufbau der Schaltung. Induktivitäten und böse Abschaltspannungen können so manches "Wunder" bewirken.
Gast
#3528624
oszi40 schrieb: > Anzahl der Impulse zählen bis er kaputt ist? :-) > Ich möchte nur bestimmen wie lange 1 Impuls dauert, bis die Mosfet kaputt wird. Ich habe schon heute einen Versucht gemacht mit der Mosfet AUIRF3504 . bei 40V (+/-5V)ist nix passiert obwohl nach DB, sollte es bei 40V kaputt gehen. Erst bei etwas 48V ist es gebrannt. Aber wie lange diese impuls die Mosfet zerstört hat, das möchte ich bestimmen können. > Ganz so einfach wirds wohl nicht werden, da die steilen Impulse weniger > heizen als die schrägen im Schaltbetrieb. Außerdem hast Du noch nicht > verraten wozu Du ihn benutzen möchtest. Such Dir einen Typ und schau ins > Datenblatt. Ein Datenblatt garantiert leider noch keinen gescheiten > Aufbau der Schaltung. Induktivitäten und böse Abschaltspannungen können > so manches "Wunder" bewirken. Ich verbinde dDrain ans Netzsteil und Source an die Masse.
Gast
#3528658
Was du suchst, ist die Avalanche-Energie. Die steht meist auch im Datenblatt.
Gast
#3528682
Bernd W schrieb: > sollte es bei 40V kaputt Sei nicht traurig! http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/auirf3504.pdf Ich lese, daß bei 40V I_dss 20-250 uA gemessen wurde. Bevor ich einen MOSFET kaputt machen würde, wäre es sinnvoll, ihn selbst zu messen. In einfachen Fällen reicht ein Widerstand zur Strombegrenzung und ein Netzteil. Kaputt machen hat mehrere Phasen: 1.Irgendwann steigt der Strom 2.Flüssiges Silizium 3.Deckel fliegt in Dein Auge
Bernd W schrieb: > bei 40V (+/-5V)ist nix passiert obwohl nach DB, sollte es bei 40V kaputt > gehen. Erst bei etwas 48V ist es gebrannt. Dann war er aber sicherlich schon so weit kaputt, das seine Kenndaten nicht mehr stimmten. Und soweit vorgeschädigt, das er bei der nächsten Gelegenheit endgültig seinen Geist aufgegeben hätte. Gruss Harald