Ohmscher Bereich oder Stromquellenbereich - MOSFET

Ok vielleicht war die Frage etwas unklar. Wenn UGD = 1V ist. Was ist es 
dann? Ist es ohmscher oder stromquellenbereich? Weil nach unserer 
Definition ist es dann nicht definiert. Daher weiß ich auch nicht welche 
Gleichungen ich verwenden muss...

Du müsstest mit beiden Gleichungen auf das gleiche Ergebnis kommen, da 
ja die Kennlinie des MOSFET in diesem Punkt keinen Sprung macht, sondern 
stetig ist.

Ähm man benutzt eigentlich U_GS U_DS an, U_DG macht wenig Sinn.

Für den Triodenbereich oder Linearbetrieb ist die Gleichung folgend:

Sättigung oder Abschnürbereich:

Ach!
UGD sollte es natürlich lauten und UGD ist ja < Uth! Denn UGD ist ja 
nicht 1V sonder -1V in dieser Schaltung!!
Mein Fehler!

Tobi schrieb:
> Ähm man benutzt eigentlich U_GS U_DS an, U_DG macht wenig Sinn.

So haben wir das aber nicht gelernt...

U_GD = Gate-Drain Spannung .... wird eigentlich nur bei Rückkopplung 
intressant und das tust du bei deiner Schaltung nicht.

U_GS = Gate-Source Spannung

U_DS = Drain-Source Spannung, die ist dann auch für die 
Leistungsaufnahme des Transistors verantwortlich.

Tobi schrieb:
> U_GD = Gate-Drain Spannung .... wird eigentlich nur bei Rückkopplung
> intressant und das tust du bei deiner Schaltung nicht.

Also ich habe da fixe Definitionsungleichungen die mir sagen, dass wenn 
UGD > Uth und UGS > Uth ich dann im ohmschen Bereich bin.
Und wenn UGS > Uth und UGD < Uth ich dann im Stromquellenbereich bin.

Ohne diese bedingungen kann ich nicht viel rechnen, denn sonst weiß ich 
nicht welche Gleichungen ich verwenden soll.
Heißt das, dass unser Professor uns etwas falsches lehrt?

Manu schrieb:
> Heißt das, dass unser Professor uns etwas falsches lehrt?

Er hat die Welt sehr vereinfacht. Die ist nicht schwarz und weiß, 
sondern es gibt einen Übergang zwischen Tag und Nacht, genauso wie es 
einen Übergang zwischen ohmschen Bereich und Stromquellenbereich gibt. 
Das siehst du daran, dass die Kennlinie nicht aus zwei sich schneidenden 
Geraden besteht.