MOSFET - Warum muss IDS bei steigender VDS runter?

Gast #3644667 
Hallo,

kann mir jemand erklären warum der maximale Drain-Source-Strom so 
drastisch begrenzt werden muss bei steigendem VDS (rote Linie)?

Was würde passieren wenn ich bei VDS=100V IDS=100A einstelle? Hitzetod?

Ich dachte bei gegebenem Strom und VGS fällt immer eine bestimmte 
Spannung VDSon am MOSFET ab - unabhängig von der Betriebsspannung.

Vielen Dank für Antworten.
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Gast 
>  Was würde passieren wenn ich bei VDS=100V IDS=100A einstelle? Hitzetod?
Ja!

Das Produkt aus Drainstrom und DS-Spannung muss kleiner sein, als die 
zulässige Verlustleistung.
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Samuel A. schrieb:
> Sobald ich das Gate auflade fällt doch VDS auf weit weniger als 1 Volt.
> Dann ist die Verlustleistung doch im Rahmen.

Und, hast du dann:

Samuel A. schrieb:
> Was würde passieren wenn ich bei VDS=100V IDS=100A einstelle?

Überlege mal, hast du jetzt "VDS=100V" oder "weit weniger als 1 Volt."?
Du solltest erst mit dir selber klären was du jetzt fragen willst.
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Du mischst gedanklich zwei verschiedenen Betriebszustände. Beim 
Schaltbetrieb kommen 100V UND 100A nur während des Umschaltens vor.
100V im Sperrzusteand, mit I = 0 oder 100A im Leitzustand, mit U nahezu 
0V (bzw. 1V)
aber nicht gleichzeitig 100V und 100A

Die rote Linie bezieht sich aber auf eine andren Betriebszustand: Der 
MOSFET ist z.B. als Konstantstromquelle eingesetzt, die aus einer 
Spannungsquelle 120V gerade einen Motor mit 10A versorgen soll, also als 
Dauerzustand.

Dabei fallen am Motor 20V und am MOSFET 100V an. Die 100V und 10A am 
Mosfet bringen eine Leistung im MOSFET von 1000W ! natürlich geht das 
nicht.
Die rote Kennlinie sagt aus: Dauerleistung von 120W geht gerade noch, 
dann ist Schluss.
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