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FET in Durchlassrichtung
Gast
#3695993
(1) Was würde eigentlich passieren wenn man die beiden PN-Dioden eines FET in Durchlassrichtung betreiben würde? (2) Ein FET besteht ja aus zwei modellhaft aus zwei PN-Dioden, würde es nicht reichen den Kanal über die Gate-Source Diode zusteuern, d.h. könnte man den Drain bei einer n-FET p-dotieren? (bei n-dotirter Source und p-dotierten Gate) , danke.
Gast
#3696000
carlos schrieb: > Ein FET besteht ja aus zwei modellhaft aus zwei PN-Dioden Nein, tut er nicht. Es gibt den Kanal, der durch das Gate gesteuert wird. http://de.wikipedia.org/wiki/MOSFET#Grunds.C3.A4tzlicher_Aufbau_und_physikalische_Funktion
Gast
#3696079
Beim JFET auf Grundlage eines n-dotoerten Halbleiter gibt's doch n-Source p-Gate und n-Drain das Gate sollte sich doch bzgl. des n dotierten Bereiches durchaus wie ein PN-Übergang verhalten (was doch einer idealen Diode entspricht), was ist daran falsch?
Gast
#3696089
carlos schrieb: > das Gate sollte sich doch bzgl. des n > dotierten Bereiches durchaus wie ein PN-Übergang verhalten (was doch > einer idealen Diode entspricht), was ist daran falsch? Die Diode besteht bei Sperrschicht-FETs zwischen Kanal und Gate und wird - wie der Name schon sagt, immer in Sperrrichtung betrieben, d.h. sie isoliert. Beim MOSFET übernimmt eine SiO2-Schicht die Isolation. Der Kanal ist von der Polarität genauso wie Drain und Source dotiert. Antwort schreiben |
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