Hallo allerseits,
und zwar habe ich das Problem dass der NMOS sehr spät abschaltet wenn
ich die 22V am Eingang (ChargePump) wegnehme.
Das Problem müsste sein, dass sich die Gate Kapazität erst entladen
muss.
Könntet ihr mir ein Tipp geben, wie ich das Gate an Masse ziehe?
Mfg
Was ist eigentlich hinter R25?
Denn in dem FET ist eine Diode.
Wenn der FET nicht angesteuert wird, läuft der ganze Strom über diese
Diode. Daher wundert es mich eigentlich, dass du das Ding überhaupt
"aus" bekommst.
Klaus schrieb:> und zwar habe ich das Problem dass der NMOS sehr spät abschaltet wenn> ich die 22V am Eingang (ChargePump) wegnehme.
Wie nimmst du die weg?
> Das Problem müsste sein, dass sich die Gate Kapazität erst entladen> muss.
Und zusätzlich noch der C2... :-o
> Könntet ihr mir ein Tipp geben, wie ich das Gate an Masse ziehe?
Mit einem Pulldown.
Der könnte auch geschaltet sein. Das hängt von der Antwort auf meine
erste Frage ab...
Lothar Miller schrieb:> Wie nimmst du die weg?
Hallo Herr Miller,
es liegt an der Versorgung, vorerst einmal 12V, dann aber 0V, hier soll
das MOSFET abschalten, in die entgegengesetzte richtung.
billydeedaniels schrieb:> Was ist eigentlich hinter R25?> Denn in dem FET ist eine Diode.
Ja, ich habe dieses so gewollt hinplatziert.
Klaus schrieb:> Mit einem Pulldown gehts auch nicht?
Soll das eine Frage sein oder eine Feststellung?
Natürlich geht es mit einem richtig angeschlossenen Pulldown vom Gate
zur Masse, die Frage ist nur wie schnell es geht. Die Zeitkonstante
kannst du dir aus dem Widerstandswert des Pulldowns und aus C2
berechnen.
Klaus schrieb:> hier soll> das MOSFET abschalten, in die entgegengesetzte richtung.
Soll er abschalten? Oder soll er in der Gegenrichtung leiten? Das wird
er bei einer Umpolung der Drain-Source Spannung aufgrund der
Substratdiode tun, auch wenn du das Gate auf Masse hältst.
Achim S. schrieb:> Natürlich geht es mit einem richtig angeschlossenen Pulldown vom Gate> zur Masse, die Frage ist nur wie schnell es geht.
Ups, und nicht zu vergessen: kleiner als die Versorgungsspannung der
Ladungspumpe-1V wird die Gatespannung wohl nie werden. Vielleicht ist
das der Effekt, der dich gerade stört?
Ich hab einen gatewiderstand eingebaut und parallel dazu in
gegenrichtung eine diode. Hiermit soll sich die Gate Kapazität entladen.
Jedoch ist es nicht der Fall.
Gerhard schrieb:> Du hast Source und Drain vertauscht! Der MOSFET schaltet überhaupt nicht> ab.
Das ist gewollt :). Ich gebe deshalb negative spannung drauf, um zu
sehen obs funktioniert.
Klaus schrieb:> Jedoch ist es nicht der Fall.
Überleg mal wo der Entladestom hinfließen kann...
Richtig, es fließt keiner, da er durch D2 nicht durchkommt.
Platziere den Widerstand mal zwischen Gate und Source.
Klaus schrieb:
> Das ist gewollt :). Ich gebe deshalb negative spannung drauf, um zu> sehen obs funktioniert.
Dann guck dir mal das Datenblatt an. Stichwort "Reverse diode", die
leitet nämlich, wenn Drain negativ wird :).
Gerhard schrieb:> Stichwort "Reverse diode", die leitet nämlich, wenn Drain negativ wird :).
Ja, und die kann man leider auch nicht nachträglich rausbauen. :-(
Klaus schrieb:> Ich hab einen gatewiderstand eingebaut und parallel dazu in> gegenrichtung eine diode. Hiermit soll sich die Gate Kapazität entladen.> Jedoch ist es nicht der Fall.
Das klappt ja auch nur, wenn dort irgendwas angeschlossen ist, dass die
Gate-Ladung aufnehmen kann.
Bei dir ist da ein 100nF Kondensator, der das Problem verschlimmert
statt verbessert.
Und, ich vermute ein grundlegendes Verständnis-Problem: Der Mosfet wird
durch die Spannungs-Differenz zwischen seinen Gate- und Source- Pins
gesteuert.
Nicht durch die Spannungs-Differenz zwischen Gate-Pin und GND-Symbol am
Schaltplan. Den kann der FET nämlich nicht lesen.
test.JPG
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