Mosfet - VGS, was beachten?

Hallo,

das hilft schon weiter. Nur das mit dem "aktiv nicht entladen von Cgs" 
habe ich noch nicht verstanden. Wenn ich das Gate mit sauberen Takt, 
also nicht floaten, ansteuere, dann muß sich doch Cgs auch irgendwie 
entladen bei 0V Signal. Das würde er doch dann über das Ansteuersignal 
machen. Ich dachte ein Widerstand zwischen Gate und Source hilft um den 
Mosfet schneller zu sperren eben weil das C dadurch schneller entladen 
wird. Falsch?

Jörg Wunsch schrieb:
>> Ein Vorwiderstand für Vgs ist nicht notwendig?
>
> Kontraproduktiv, da er mit Cgs einen Tiefpass bildet.

Produktiv, da es die Treiberstufe entlastet (Strombegrenzung beim 
Umladen der Gate-Kapazität). Ein sehr kleiner Vorwiderstand reicht (z.B. 
33 Ohm).

Jörg Wunsch schrieb:
>> Nur vielleicht ein Pulldown am Gate (Gate zu Source) damit er wieder
>> sicher sperrt?
>
> Das hängt von deiner Ansteuerung ab.  Wenn du eine push-pull-Stufe
> zum Ansteuern nimmst, dann ist der Widerstand witzlos: bei High
> verbraucht er nur unnütz Strom, und bei Low wird die Treiberstufe
> sowieso stromergiebiger sein.

Auf jeden Fall Pull-Down.
Die "push-pull-Stufe" ist in der Regel ja ein Microcontroller, der 
erstmal Booten muss. In dieser Zeit sind die I/Os in der Regel floatend, 
und dein MosFET macht was er will.
Je nachdem, ob eine Last daran hängt oder nicht, kann das zu sehr viel 
Wärme führen wenn der MosFET dabei unkontrolliert im aktiven Bereich 
rumeiert.
Ein 100K Pulldown oder Pullup verbraucht keine Leistung, und hält das 
Gate sicher auf Low oder High solange der Treiber floatet.

mosfet schrieb:
> Nur das mit dem "aktiv nicht entladen von Cgs"
> habe ich noch nicht verstanden. Wenn ich das Gate mit sauberen Takt,
> also nicht floaten, ansteuere, dann muß sich doch Cgs auch irgendwie
> entladen bei 0V Signal. Das würde er doch dann über das Ansteuersignal
> machen. Ich dachte ein Widerstand zwischen Gate und Source hilft um den
> Mosfet schneller zu sperren eben weil das C dadurch schneller entladen
> wird. Falsch?

Es kommt eben darauf an, wie der MosFET angesteuert wird.
Mit einem Push-Pull Ausgang kannst du das Gate aktiv über 2 
Transistoren sowohl auf High als auch auf Low ziehen. Das ist sehr gut 
und schnell.

Manchmal hat man aber z.B. "nur" einen Open-Drain oder Open-Collector 
Ausgang zur Ansteuerung, dann braucht man einen Pull-Up. Je nach 
Dimensionierung des Pull-Ups entstehen hier Verzögerungen, bis die 
Spannung am Gate die Threshold erreicht hat, da der Kondensator am Gate 
ja nur  "langsam" über den Pull-Up geladen werden kann.