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Ungewolltes Entstehen eines Schwingkreises durch Zenerdiode
Gast
#3830140
Hallo, ich habe gelernt, dass man durch paralleles Verschalten einer Zenerdiode zu einem Schutzobjekt dieses vor zu hoher Spannung schützen kann. Ist es so, dass so eine Zenerdiode auch "kapazitive" Effekte hat, und man so durch das Parallelverschalten auch einen Schwingkreis "ungewollt" entstehen lassen kann? Geht bestimmt. Allerdings ist die geringe Kapazität nur in hochohmigen Meßschaltungen oder im MHz-Bereich von Belang. Im Datenblatt deiner Z-Diode ist der Parameter angegeben.
Gast
#3830294
Die Güte des Schwingkreises dürfte auch relativ schlecht sein =) Jede Z-Diode hat wie andre Sperrschicht-Dioden eine Spannunsgsabhängige Kapazität im Sperrzustand. Bei Durchbruch entsteht parallel zu dieser Kapazität ein Widerstand entsprechend du/di Unterhalb Uz verhält sich die Diode wie eine normale PN-Sperrschicht. Im Durchbruchbereich kommt dann ein Widerstand (rz) und eine Spannungsquelle Uz parallel ins Ersatzschaltbild.
Gast
#3830694
Da hat wieder JEMAND einen Elko eingespart , gelle.
Gast
#3830949
Helge A. schrieb: > Allerdings ist die geringe Kapazität nur in hochohmigen > Meßschaltungen oder im MHz-Bereich von Belang. 300-500 pF für eine BZX85 bei Spannungen unter 5V würde ich nicht vernachlässigen. Wenn das zu sehr stört kann man auch eine normale 1N4148 mit 4pF in Reihe schalten. (natürlich erhöht sich die Spannung um 0.7V Gruß Anja Antwort schreiben |
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