Hallo,
bis jetzt habe ich bei N-Kanal Mosfet immer am Drain das höhere
Potential, bzw. die Plus Spannung angeschlossen....
mich verwirrt es jetzt aber, das man scheinbar genauso das ganze
umgekehrt machen kann.
Also am Source, den Pluspol... wie im angehängten Bild.
Geht das wirklich und ohne Nachteile (wie weniger Strom) ??
Grüsse
Voll eingeschalteten MOSFETs ist es egal, in welcher Richtung der Strom
durch sie fliesst. Die Spannungen sind entscheidend, nicht die Richtung
des Stromflussses. Im Gegensatz zu Bipolartransistoren.
Schau dir mal die Richtung der eingebauten Diode an. Dies Diode ist
sofort leitend, wenn die Eingangsspannung größer als die
Ausgangsspannung ist. Diese Funktionsweise macht Sinn, wenn man einen
verlustlosen Verpolungsschutz haben will oder 2 Quellen "verodern" will.
Was muss ich am Gate für eine Spannung anlegen, damit es ohne diesen IC
funktioniert ?
Theoretisch also min. 10V höher als die Eingangsspannung, oder ?
epikao schrieb:> Was muss ich am Gate für eine Spannung anlegen, damit es ohne diesen IC> funktioniert ?> Theoretisch also min. 10V höher als die Eingangsspannung, oder ?
1. Ja. Allerdings nicht "mindestens": 10V reichen locker aus...
2. Bitte nicht plenken!
epikao schrieb:> mich verwirrt es jetzt aber, das man scheinbar genauso das ganze> umgekehrt machen kann.
Siehe den Verpolungsschutz dort:
http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz
Auch da ist der Mosfet "falsch" herum eingbaut. Das ist aber nur im 1.
Augenblick interessant. Wenn die Diode dann leitet, wird sie sofort vom
niederohmigen DS-Kanal überbrückt...
schon krass wie schnell hier geholfen wird :-) Danke.
kann ich das Schema (Anhang) auch für den Fall einsetzen wenn Ausgang >
Eingang (bzw. Eingang macht Kurzschluss), ohne dass dabei der N-Kanal
Mosfet leitet ?
Grüsse
epikao schrieb:> Ausgang >> Eingang (bzw. Eingang macht Kurzschluss), ohne dass dabei der N-Kanal> Mosfet leitet?
Nein, wenn an Gate des FETs eine Spannung>Vgs(thr) anliegt, also
Vout>Vgs(thr) ist wird der FET immer leiten. Das ist nur eine
Verpolschutz und ersetzt eine Diode nicht komplett.
Wenn man die Bauteile ein bisschen anders anordnet sieht man das
besser...
BTW: Es gibt die Schaltung auch mit P-MOSFETs, das ändert aber nichts am
Problem.
gibt es eine Schaltung, die dieses Problem löst?
Ich möche ein Schaltnetzteil von XP-Power:
http://www.xppower.com/EN/100678/HDS800-Series
als Schnell-Ladegerät für LiFe Akkus verwenden.
Bei Stromausfall würde sich der Akku gemäss Hersteller über das Netzteil
entladen.
Der Hersteller empfiehlt deshalb eine O-Ring Schaltung,
aber wie soll das jetzt funktionieren?
Max H. schrieb:> Nein, wenn an Gate des FETs eine Spannung>Vgs(thr) anliegt, also> Vout>Vgs(thr) ist wird der FET immer leiten.
eben, ich hatte mal einen Versuchsaufbau gemacht um 2 Spannungen zu
entkoppeln ohne diese Mist Schwellspannung an den Dioden zu haben und
wunderte mich waum das Teil leitet wenn vom anderen Zweig Spannung kommt
!
Es ist wirklich nur als Verpolschutz zu gebrauchen, sobald hinten
Spannung kommt leitet der im Gegensatz zu einer Diode rückwärts.
epikao schrieb:> eine O-Ring Schaltung
... hat schon überhaupt rein gar nichts mit einem O-Ring zu tun! Sondern
es ist eine "Veroderungs-Schaltung" zweier Spannungen. Auf gut
angelsächsisch heißt das dann "Or" von "Oder" bzw. "das Verodern" =
"Oring".
Max H. schrieb:> Nein, wenn an Gate des FETs eine Spannung>Vgs(thr)
Wenn ich aber den Gate bei Stromausfall automatisch abklemme, dann
leitet der Mosfet nicht, oder?
Hubert G. schrieb:> Der FET leitet nicht, aber die Body-Diode.
verstehe ich nicht,
der Eingang macht Kurzschluss, dann liegt die Body Diode doch in
Sperrrichtung zum PlusPol?
epikao schrieb:> Wenn ich aber den Gate bei Stromausfall automatisch abklemme, dann> leitet der Mosfet nicht, oder?
Damit der FET sicher sperrt muss das Gate auf Source-Potential liegen,
offen lassen erzeugt einen undefinierten Zustand.
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