Ich verstehe nicht, warum in den Datenblättern die Threshold Spannung mit min und max angegeben wird? Das kann doch nicht sein das die Tresholdspannung so um die 2 Volt variiert? Z.B der 2N6761 N-Channel Mosfet hat V_th zwischen 2V und 4V? Gruss Bert
Gast
#3883810
Bert Siegfried schrieb: > Ich verstehe nicht, warum in den Datenblättern die Threshold Spannung > mit min und max angegeben wird? Das kann doch nicht sein das die > Tresholdspannung so um die 2 Volt variiert? > Z.B der 2N6761 N-Channel Mosfet hat V_th zwischen 2V und 4V? Das ist so :)
Gast
#3883819
Bert Siegfried schrieb: > Das kann doch nicht sein das die > Tresholdspannung so um die 2 Volt variiert? Wieso nicht?
Danke, nur so, dann muss man das halt messen, für Ids = 1mA gilt ja laut Datenblatt Vds = Vgs, dann kann ich daraus Vth berechnen. Noch was, wenn keine Angaben zu Width und Length im Datenblatt stehen, was mache ich dann? Ich kann ja Vth nur berechnen über: Vth = Vds - sqrt((2*L*Ids)/(k_p * W)) (Da Sättigung bei Vds = Vgs) für Ids = 1mA und Vgs = Vds nach Datenblatt, doch ohne die Dimension nicht möglich.
Gast
#3883878
Bert Siegfried schrieb: > Danke, nur so, dann muss man das halt messen, für Ids = 1mA gilt ja laut > Datenblatt Vds = Vgs, dann kann ich daraus Vth berechnen. du denkst um drei Ecken zu kompliziert. Der Hersteller deines FETs definiert Vth als die Spannung V_GS=V_DS, bei der ID=1mA wird. Also wenn du nach den Testbedingungen des Herstellers Vth messen willst, dann schalte Gate und Source zusammen, schicke 1mA hinein und miss nach, welche Spannung sich einstellt: das ist Vth (ohne weitere Rechnung).
Danke, ja stimmt, ist eigentlich wirklich einfach.
Doch wo genau finde ich die Channel Weite und Länge?
nirgends, da ne Art Betriebsgeheimnis. Und wozu auch, alles wesentliche is im DB angegeben.
Wie genau mache ich dass dann, wenn ich z.B einen Stromspiegel baue und das 4-Fache des Referenzstromes haben möchte? Dann ist ja der Strom abhängig von: I_ds2 = I_ref * (W_2/L_2)*(L_ref/W_ref) Wie macht man das dann in der Realität? Gruss Bert
Gast
#3884506
Bert Siegfried schrieb: > Wie macht man das dann in der Realität? Mit Bipolartransistoren und definierte Emitterwiderständen. Oder gleich OpAmos. Denn VLSI Bauweise lässt sich nicht übertragen, und ist eh nicht so genau.
Gast
#3884511
Bert Siegfried schrieb: > Wie macht man das dann in der Realität? Gar nicht: du baust mit diskreten Leistungs MOSFETs keine genauen Stromspiegel auf. Das geht mit gematchten Transistoren auf dem selben Substrat, die die identische Fertigungsparameter und die immer die selbe Temperatur haben. Beim Entwerfen eines Stromspiegels auf einem IC kannst du auch W und L frei wählen, bei einem gekauften diskreten MOSFET halt nicht. Wenn du trotzdem einen Stromspiegel aus einzelnen Transistoren zusammen bauen willst, kannst du W/L in diskreten Schritten variieren, indem du mehrere identische MOSFETs parallel schaltest. Ansonsten musst du halt wieder nachmessen, wann genau der 4fache Strom fließt. Wenn die Temperaturen der einzelnen FETs auseinander laufen, wird es dann halt wieder ungenau. Mit Widerständen an der Source lässt sich die Drift etwas reduzieren und der Innenwiderstand der Stromquelle deutlich erhöhen.
Danke euch, wusste ich nicht.
Es gibt auch welche mit rausgeführtem Teiltransistor: HEXsense. "The HEXSense device provides an accurate fraction of the drain current through the additional two leads to be used for control or protection of the device" Hat jemand ne Übersicht über vergleichbare Typen anderer Hersteller? Sind ja eher Exoten.