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Mosfet Datenblatt Frage
Gast
#3895384
Hallo, Bin gerade dabei mich an einer MOSFET Schaltung zu versuchen und habe mich für ein Low Resistance P-Fet entschieden IRFR5505. Nun verwirrt mich das Datenblatt, Gate Threshold Voltage, ist doch die Spannung ab die der FET durchschaltet oder? Hier steht nun mind. -2V bis max -4V, heißt das Ich muss mit Negativspannung um sie Ecke kommen oder interpretiere ich das falsch? Ich möchte mittels einem Atmega32L die Mosfet durchschalten. Grüße, Dani Beim P Kanal FET ist zum einschalten das Gate negativ zu Source. Von daher sind negative Werte normal. An µC wird Source wohl mit VCC verbunden sein und ein Low Ausgang den MOSFET ggf. einschalten (sofern man mit 5 V VCC arbeitet). Die Gate Threshold Voltage ist die Grenze zum weitgehend Sperren. D.h. erst ab -2 V bis -4 V (je nach Exemplar) fängt der MOSFET an zu leiten. Zum "voll" einschalten, also den minimalen R_on werden wohl eher -8 V oder so nötig sein.
Gast
#3895396
Hallo,
Noch vergessen, auf meiner Platine ist ein NTD5867NL FET drauf, da ich
den nicht her bekomme, suche ich daher für diesen einen geeigneten
ersatz.
Das ganze ist so geschaltet mit dem Atmega32L / 3.3V
GND |---- C1 100n -------- D------ X1 X2 (+12V)
| |
AVR PIN ----- R1 (332R) --------- G ------ 10k0 --------
|
R1 S
10k0 |
| -
| GND
- GND
Soweit man den Plan entziffern kann, passt die Schaltung für einen N-Kanal MOSFET. Bei 3 V muss ein LL Typ sein, d.h. eine Threshhold Spannung so im Bereich 0,5 - 1,5 V ggf. noch gerade so 2 V. Der IRFR5505 hilf mit 3 V Versorgung für den µC nicht weiter, jedenfalls nicht ohne extra Treiber. Zumindest in der Schaltung passt ein P-Kanal nicht.
Gast
#3895411
Hallo, Hab das mal eben nachgezeichnet, so sieht das ungefähr aus. Durch welchen Fet kann ich den NTD denn ersetzen? hab bis jetzt noch nichts wirkliches gefunden, die IRF bringen mich leider auch nicht weiter... Wäre um hilfe echt dankbar :)
Angehängte Dateien:
Beispiel IRLR024.
Gast
#3895540
Dani schrieb: > Hab das mal eben nachgezeichnet, so sieht das ungefähr aus. Als Last wirst du sicher nicht nur R3 mit seinen 10Ω dran haben. Falls du eine größere Last mit PWM schalten möchtest, sollte R1 deutlich kleiner sein und es muss nicht ein 0,1%-Typ sein. R2 kann gerne um einen Faktor 10 größer sein. Und wenn du dir angewöhnst, Schaltpläne so zu zeichnen, dass "+" oben und "-" unten ist, wird es auch übersichtlicher (C1 senkrecht und rechts parallel zu Q1). Wenn die Spannung am Gate nur um die 3V liegt, sollte man einen Typ wählen, der etwa für 2,5...2,7V Ugs spezifiziert ist. Beispiel: http://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd16342q5a.pdf Anmerkung: Die Gate Threshold Voltage liegt hier bei 0,85V also erheblich unter den 2,5V für ein sicheres Durchschalten. Dani schrieb: > Nun verwirrt mich das Datenblatt, Gate Threshold Voltage, ist doch die > Spannung ab die der FET durchschaltet oder? Oder. Die Threshold-Spannung markiert den Übergangsbereich zwischen Sperr- und Leitzustand. Die genauen Meßbedingungen stehen in der Tabelle daneben. I.d.R. sind für diese Messung Drain und Gate verbunden (der MOSFET schließt also seine eigene Gate-Source-Spannung kurz) und es fließt ein Drainstrom von einigen hundert µA. Wirklich durchgeschaltet ist der MOSFET erst bei einer (betragsmäßig) deutlich höheren Spannung. Typischerweise ist der Drain-Source Widerstand bei einer oder mehreren Gate-Source-Spannungen spezifiziert. Im Schaltbetrieb verwendet man praktisch immer mindestens die kleinste spezifizierte dieser Spannungen. > Hier steht nun mind. -2V bis max -4V, heißt das Ich muss mit > Negativspannung um sie Ecke kommen oder interpretiere ich das falsch? Bei einem p-Kanal-MOSFET muß die Gate-Source-Spannung negativ sein damit der MOSFET durchschaltet. Im Prinzip verhält sich ein p-Kanal-MOSFET zu einem n-Kanal-MOSFET wie ein pnp-Transistor zu einem npn-Transistor. Grundlagen! Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
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