Kühlkörper MOSFET bei PWM

http://www.mikrocontroller.net/articles/Pulsweitenmodulation

Hier steht die Leistungsberechnung bei PWM.

Wichtig ist noch, dass bei höheren frequenzen die Sperrschichtkapazität 
und andere effekte des MOSFET berücksichtigt werden müssen

Thomas schrieb:
> http://www.mikrocontroller.net/articles/Pulsweitenmodulation
>
> Hier steht die Leistungsberechnung bei PWM.
>
> Wichtig ist noch, dass bei höheren frequenzen die Sperrschichtkapazität
> und andere effekte des MOSFET berücksichtigt werden müssen

Ja und diese Effekte führen zu den Schaltverlusten.

Bei Induktivier last, ist die sache recht einfach.


Ein Blick ins Datenblatt, verrät die Fall/Risetime.

Die Verlustleistung kann man dann approximativ gemäß der 
Integralrechnung zu 1/2*fschalt*U*I*(Rise+Fall). Diese Verlustleistung 
ist größer als die Reeale, da die Gerade ein Geößered Flächenstück 
einschließt als die E-Funktion, die der FET Tatsächlich durläuft.

wären bei 20Khz 12V und 15 Ampere 0,558W
RDS On sind 0,03Ohm das führt zu Maximal 6,75W Berlust.

Gesammt hast du also ca. 6,5W Verlust zu Verkraften.

Ohne Kühlkörper hättest du ein dT von 6,5W*62,5C/W = 406,25 Grad 
Celcius. Würde verpuffen.

Wir wollen, dass unser Transistor nicht heißer als 125 Grad wird. Bei 
maximaler Umgebungstemperatur von 50*, darf ein dT von 75 Nicht 
überschritten werden.
75/6,5=11,5

Abzüglich zwischenwiderstände ca. 9C/W


Der erst bei Conrad würde passen,


http://www.conrad.de/ce/de/product/183975/Strangkuehlkoerper-mit-Loetstiften-TO-220TOP-3SOT-32-ASSMANN-WSW-V8511Y-L-x-B-x-H-508-x-416-x-25-mm-Rth-4-KW?ref=list


Rechnungen natürlich zu meinem Schutz ohne Gewähr

Mfg