pwm für display hintergrundbeleuchtung

OP #4051582
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Hallo,
ich habe einen Display, dessen Hintergrundbeleuchtung im Bereich von 
9-10V5 betrieben werden kann. Dabei sollten konstant 180mA Strom 
fließen.

Auf meinem aktuellen Board habe ich eine Spannungsquelle, die mir neben 
3V3 auch 12V versorgung liefert.

Weiterhin habe ich ein Allwinner A20-Board, das mir ein PWM-Signal mit 
3V3 generiert. (Die Frequenz ist also einstellbar, jedoch würde ich im 
endausbau etwa 1kHz verwenden. Viel mehr oder weniger wohl kaum.).

Dazu habe ich eine Einfache Schaltung gemacht (siehe schaltung.png)
wobei in der Schaltung V1 mein PWM Signal, V2 das 12V signal, RL ist 
sozusagen das Backlight des LCD.

um nun aus den 12V die 10V zu erzeugen, habe ich zuerst RL berechnet:
dazu habe ich den bekannten Strom (180mA) und 10V genommen. 
(RL=U/I=10/180*1000=55Ohm)

Dann hab ich zu RL den Widerstan R3 berechnet: mit R3=2/180*1000=11Ohm.


Diese Schaltung hab ich dann im LTSpice simuliert: (siehe 
simulation_spannung.png, bzw. simulation_strom.png)

Meine Frage nun: Ist das grundsätzlich so möglich, dass ich die 
benötigten 10V mit der Spannungsteilerregel erzeuge? (verhält sich das 
LED backlight wirklich linear?)
Ist die Z-Diode, die bei 10V ihren Durchbruch hat notwendig? (Ich habe 
gesehen, dass kaum Strom durch diese fließt)

gibts vielleicht ähnlich einfache alternativen, (ggf. nur aus trans, res 
oder cap)

lg

PS: zur besseren nachvollziehbarkeit habe ich das LTSpice-file 
angehängt.
Angehängte Dateien:
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OP
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PeterL schrieb:
> die Zener Diode wird nicht benötigt, den Transistor (UCE 0,7V)  würde
> ich durch einen Mosfet ersetzen

Ah ok, dann schau ich mal, ob ich einen mosfet finde...
aber könntest du mir vielleicht auch sagen, warum du da einen mosfet 
verwenden würdest?

Edit:
Wäre beispielsweise der 2N7002F einer, den ich verwenden könnte? 
http://www.farnell.com/datasheets/704088.pdf
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OP
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Aha ok danke,

ich hab soeben im DB vom A20 nachgesehen, die GPIO-Pins (also die PWM) 
können mit 20mA betrieben werden.

Wenn ich nun den Widerstand von 1k auf 250 verringere, sollten etwa 13mA 
drinnen sein.
Somit eingang zu Ausgang: Faktor 14

Oder soll ich generell keine Bipos verwenden, weil die FETs auch noch 
schneller sind?

danke
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Gast
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Leet Core schrieb:
> Wenn ich nun den Widerstand von 1k auf 250 verringere, sollten etwa 13mA
> drinnen sein.
> Somit eingang zu Ausgang: Faktor 14
>
> Oder soll ich generell keine Bipos verwenden, weil die FETs auch noch
> schneller sind?

Die 13mA werden in Wärme und nicht in Licht umgesetzt.

MfG Klaus
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